[發(fā)明專利]基于憶阻器交叉陣列的邏輯門電路及與非門、或非門實(shí)現(xiàn)方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110626491.0 | 申請日: | 2021-06-04 |
| 公開(公告)號: | CN113285710B | 公開(公告)日: | 2023-01-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉鵬;武繼剛;姚廉;鐘悅航 | 申請(專利權(quán))人: | 廣東工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號: | H03K19/20 | 分類號: | H03K19/20 |
| 代理公司: | 廣州粵高專利商標(biāo)代理有限公司 44102 | 代理人: | 劉俊 |
| 地址: | 510090 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基于 憶阻器 交叉 陣列 邏輯 門電路 與非門 非門 實(shí)現(xiàn) 方法 | ||
本發(fā)明針對現(xiàn)有技術(shù)的局限性,提出了一種基于憶阻器交叉陣列的邏輯門電路及與非門、或非門實(shí)現(xiàn)方法,電路主要包括兩個(gè)連接時(shí)鐘信號的電壓控制器以及由若干憶阻器組成的憶阻器交叉陣列;其能夠?qū)⑻N(yùn)含邏輯以及非蘊(yùn)含邏輯集成到同一個(gè)憶阻器交叉陣列中,在使用時(shí)通過兩種憶阻邏輯的不同組合操作實(shí)現(xiàn)與非邏輯門以及或非邏輯門,本發(fā)明提供的方案能夠減少實(shí)現(xiàn)與非、或非門的操作步驟和憶阻器開銷,大幅降低整體的能耗。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及數(shù)字電路技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及憶阻器在實(shí)現(xiàn)與非門、或非門方面的應(yīng)用,更具體地,涉及一種基于憶阻器交叉陣列的邏輯門電路。
背景技術(shù)
隨著半導(dǎo)體制造工藝技術(shù)的發(fā)展,集成電路的集成度和復(fù)雜度日益增加,其特征尺寸不斷縮小,目前已經(jīng)達(dá)到了納米級。在納米級工藝階段,IC面臨越來越多的問題。憶阻器作為一種新型納米器件,具有尺寸小、能耗超低以及讀寫時(shí)間短等優(yōu)點(diǎn),并且能夠嵌入到交叉陣列中,是實(shí)現(xiàn)大規(guī)模存儲的關(guān)鍵。
憶阻器除了能夠進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲,同時(shí)還能用來進(jìn)行邏輯計(jì)算。目前已有多種基于憶阻器的邏輯被提出,并且已經(jīng)應(yīng)用到交叉陣列中實(shí)現(xiàn)基本邏輯門電路。但是如公告日為2018.01.26,公布號為CN105356876B的中國申請專利:基于憶阻器的邏輯門電路所示,將單個(gè)邏輯應(yīng)用到交叉陣列中實(shí)現(xiàn)復(fù)雜電路時(shí),由于邏輯操作單一,導(dǎo)致操作步驟繁瑣,并且憶阻器開銷較大,因此現(xiàn)有技術(shù)仍具有不少局限性。
發(fā)明內(nèi)容
針對現(xiàn)有技術(shù)的局限,本發(fā)明提出一種基于憶阻器交叉陣列的邏輯門電路及與非門、或非門實(shí)現(xiàn)方法,本發(fā)明采用的技術(shù)方案是:
一種基于憶阻器交叉陣列的邏輯門電路,包括W條字線WLw,{w=1,2…W},B條位線BLb,{b=1,2…B},第一電壓控制器,第二電壓控制器以及{W*B}個(gè)憶阻器Mwb;
其中,各字線WLw分別與各位線BLb相交;各位線BLb的一端分別作為輸入端連接所述第一電壓控制器的輸出端,另一端分別依序連接一個(gè)模擬開關(guān)以及一個(gè)電阻后接地;各字線WLw的一端分別作為輸入端連接所述第二電壓控制器的輸出端,另一端分別依序連接一個(gè)模擬開關(guān)以及一個(gè)電阻后接地;
所述第一電壓控制器的輸入端連接第一時(shí)鐘信號CLK1;所述第二電壓控制器的輸入端連接第二時(shí)鐘信號CLK2;
各憶阻器Mwb的正極連接對應(yīng)下標(biāo)的字線WLw,負(fù)極連接對應(yīng)下標(biāo)的位線BLb。
相較于現(xiàn)有技術(shù),本發(fā)明提供了一種基于憶阻器交叉陣列的邏輯門電路,其能夠?qū)⑻N(yùn)含邏輯以及非蘊(yùn)含邏輯集成到同一個(gè)憶阻器交叉陣列中,通過兩種憶阻邏輯的不同組合實(shí)現(xiàn)與非邏輯門以及或非邏輯門,能夠減少實(shí)現(xiàn)與非、或非門的操作步驟和憶阻器開銷,大幅降低整體的能耗。
進(jìn)一步的,所述憶阻器Mwb以阻值的形式存儲輸入量P或輸入量Q或邏輯運(yùn)算結(jié)果,處于高阻ROFF狀態(tài)時(shí)表示邏輯0,低阻RON狀態(tài)時(shí)表示邏輯1。
進(jìn)一步的,在邏輯運(yùn)算的過程中:
根據(jù)存儲了輸入量P的憶阻器MP以及存儲了輸入量Q的憶阻器MQ,從其它憶阻器Mwb中選擇用于輔助運(yùn)算并存儲邏輯運(yùn)算結(jié)果的憶阻器MA;
根據(jù)憶阻器MP、憶阻器MQ以及憶阻器MA,控制對應(yīng)下標(biāo)的字線WLw或位線BLb的模擬開關(guān)閉合連通當(dāng)前階段的待運(yùn)算電路。
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