[發(fā)明專利]形成內(nèi)埋晶片結(jié)構(gòu)的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110625227.5
• 申請(qǐng)日: 2021-06-04
• 公開（公告）號(hào): CN113571427A
• 公開（公告）日: 2021-10-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 呂文隆
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/50
• 分類號(hào): H01L21/50;H01L23/367;H01L23/488;H01L23/495
• 代理公司: 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

本申請(qǐng)的實(shí)施例提供一種形成內(nèi)埋晶片結(jié)構(gòu)的方法，包括：提供芯片堆疊件，芯片堆疊件包括堆疊設(shè)置的第一芯片和第二芯片、以及位于第一芯片和第二芯片之間的散熱層；將芯片堆疊件設(shè)置在引線框的第一開口中，芯片堆疊件的散熱層接合至引線框。本發(fā)明的目的在于提供一種內(nèi)埋晶片結(jié)構(gòu)及其形成方法，以提高內(nèi)埋晶片結(jié)構(gòu)的散熱性。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的實(shí)施例涉及內(nèi)埋晶片結(jié)構(gòu)及其形成方法。

背景技術(shù)

現(xiàn)有的內(nèi)埋芯片封裝結(jié)構(gòu)主要為有機(jī)襯底基底以及引線框基底，若考慮散熱問題，則會(huì)采用引線框基底，主要是因?yàn)閮?nèi)埋芯片大多為高功率的芯片。

在現(xiàn)有的具有引線框基底的內(nèi)埋芯片封裝結(jié)構(gòu)中，其主要的特征為疊置的芯片，即將芯片分別疊置在引線框基底的上下表面，然而，如果想要整體封裝結(jié)構(gòu)的厚度變小，則需要對(duì)引線框基底進(jìn)行挖凹槽的設(shè)計(jì)以容納芯片，但是對(duì)于日益變小的引線框(例如厚度小于50μm時(shí))，要在引線框兩側(cè)形成凹槽且保有芯片焊盤則難以操作。

發(fā)明內(nèi)容

針對(duì)相關(guān)技術(shù)中存在的問題，本發(fā)明的目的在于提供一種內(nèi)埋晶片結(jié)構(gòu)及其形成方法，以提高內(nèi)埋晶片結(jié)構(gòu)的散熱性。

本申請(qǐng)的實(shí)施例提供一種形成內(nèi)埋晶片結(jié)構(gòu)的方法，包括：提供芯片堆疊件，芯片堆疊件包括堆疊設(shè)置的第一芯片和第二芯片、以及位于第一芯片和第二芯片之間的散熱層；將芯片堆疊件設(shè)置在引線框的第一開口中，芯片堆疊件的散熱層接合至引線框。

在一些實(shí)施例中，在將芯片堆疊件設(shè)置在引線框的第一開口中之前，加熱引線框以使引線框的第一開口的寬度增大，在將芯片堆疊件設(shè)置在引線框的第一開口中之后，冷卻引線框以使芯片堆疊件的散熱層的側(cè)壁接合至引線框。

在一些實(shí)施例中，第一芯片的側(cè)壁與散熱層的側(cè)壁對(duì)齊，第一芯片的側(cè)壁也接合至引線框。

在一些實(shí)施例中，芯片堆疊件的形成包括：在整塊的散熱層兩側(cè)分別附接整塊的第一芯片和多個(gè)隔開的第二芯片，切割整塊的散熱層和整塊的第一芯片以形成單片化的芯片堆疊件，單片化的芯片堆疊件包括一個(gè)第二芯片。

在一些實(shí)施例中，第二芯片的寬度小于第一芯片的寬度，第二芯片和引線框隔開。

在一些實(shí)施例中，第一開口形成為包括第一段和第二段，第一段的寬度大于第二段的寬度，散熱層接合第二段的內(nèi)壁。

在一些實(shí)施例中，在將芯片堆疊件設(shè)置在引線框的第一開口中后，將芯片堆疊件和引線框封裝至模制化合物中。

在一些實(shí)施例中，引線框具有位于第一開口旁的第二開口，對(duì)位于第二開口中的模制化合物進(jìn)行鉆孔，并在形成的第一開孔中形成通孔。

在一些實(shí)施例中，使用激光鉆孔的工藝進(jìn)行鉆孔。

在一些實(shí)施例中，模制化合物位于第一線路層上，將芯片堆疊件和引線框封裝至模制化合物中后，芯片堆疊件和引線框位于第一線路層上方。

本申請(qǐng)的實(shí)施例提供了一種內(nèi)埋晶片結(jié)構(gòu)，包括：引線框，具有第一開口；芯片堆疊件，位于第一開口中，芯片堆疊件包括堆疊設(shè)置的第一芯片和第二芯片、以及位于第一芯片和第二芯片之間的散熱層，散熱層接觸引線框。

在一些實(shí)施例中，散熱層接觸引線框以在二者之間進(jìn)行熱傳遞。

在一些實(shí)施例中，散熱層包括中間金屬層以及分別設(shè)置在中間金屬層的下側(cè)和上側(cè)的第一焊接材料和第二焊接材料，第一焊接材料和第二焊接材料接合至引線框。

在一些實(shí)施例中，第一開口具有第一段及位于第一段上的第二段，第二段的寬度小于第一段的寬度，第一芯片的側(cè)壁和散熱層的側(cè)壁對(duì)齊，并且第一芯片和散熱層的接觸開口的第一段的內(nèi)壁，第二芯片與開口的第二段的內(nèi)壁隔開。