[發明專利]形成內埋晶片結構的方法

在審

• 申請號: 202110625227.5
• 申請日: 2021-06-04
• 公開（公告）號: CN113571427A
• 公開（公告）日: 2021-10-29
• 發明（設計）人: 呂文隆
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L23/367;H01L23/488;H01L23/495
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種形成內埋晶片結構的方法，其特征在于，包括：

提供芯片堆疊件，所述芯片堆疊件包括堆疊設置的第一芯片和第二芯片、以及位于所述第一芯片和所述第二芯片之間的散熱層；

將所述芯片堆疊件設置在引線框的第一開口中，所述芯片堆疊件的散熱層接合至所述引線框。

2.根據權利要求1所述的形成內埋晶片結構的方法，其特征在于，在將所述芯片堆疊件設置在引線框的第一開口中之前，加熱所述引線框以使所述引線框的第一開口的寬度增大，在將所述芯片堆疊件設置在引線框的第一開口中之后，冷卻所述引線框以使所述芯片堆疊件的散熱層的側壁接合至所述引線框。

3.根據權利要求2所述的形成內埋晶片結構的方法，其特征在于，所述第一芯片的側壁與所述散熱層的側壁對齊，所述第一芯片的側壁也接合至所述引線框。

4.根據權利要求1所述的形成內埋晶片結構的方法，其特征在于，所述芯片堆疊件的形成包括：

在整塊的所述散熱層兩側分別附接整塊的所述第一芯片和多個隔開的第二芯片，

切割所述整塊的所述散熱層和所述整塊的所述第一芯片以形成單片化的所述芯片堆疊件，所述單片化的所述芯片堆疊件包括一個所述第二芯片。

5.根據權利要求4所述的形成內埋晶片結構的方法，其特征在于，所述第二芯片的寬度小于所述第一芯片的寬度，所述第二芯片和所述引線框隔開。

6.根據權利要求1所述的形成內埋晶片結構的方法，其特征在于，所述第一開口形成為包括第一段和第二段，所述第一段的寬度大于所述第二段的寬度，所述散熱層接合所述第二段的內壁。

7.根據權利要求1所述的形成內埋晶片結構的方法，其特征在于，在將所述芯片堆疊件設置在引線框的第一開口中后，將所述芯片堆疊件和所述引線框封裝至模制化合物中。

8.根據權利要求7所述的形成內埋晶片結構的方法，其特征在于，所述引線框具有位于所述第一開口旁的第二開口，對位于所述第二開口中的模制化合物進行鉆孔，并在形成的第一開孔中形成通孔。

9.根據權利要求8所述的形成內埋晶片結構的方法，其特征在于，使用激光鉆孔的工藝進行所述鉆孔。

10.根據權利要求7所述的形成內埋晶片結構的方法，其特征在于，所述模制化合物位于第一線路層上，將所述芯片堆疊件和所述引線框封裝至模制化合物中后，所述芯片堆疊件和所述引線框位于所述第一線路層上方。