[發明專利]一種薄膜晶體管以及薄膜晶體管的制備方法

在審

• 申請號: 202110625015.7
• 申請日: 2021-06-04
• 公開（公告）號: CN113363328A
• 公開（公告）日: 2021-09-07
• 發明（設計）人: 徐苗;李民;周雷;徐華;李洪濛;龐佳威;彭俊彪;王磊;鄒建華;陶洪
• 申請（專利權）人: 華南理工大學
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/417;H01L21/34
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

本發明公開了一種薄膜晶體管以及薄膜晶體管的制備方法。薄膜晶體管包括：襯底；第一電極位于襯底的表面；層間絕緣層位于第一電極背離襯底一側的表面，層間絕緣層背離第一電極的表面為平面，層間絕緣層設置有第一過孔；有源層位于層間絕緣層背離第一電極一側的表面，有源層包括源區、漏區以及位于源區與漏區之間的溝道區；第一電極在襯底的投影面積覆蓋溝道區在襯底的投影面積；柵極絕緣層和柵極層疊設置在有源層背離層間絕緣層一側的表面；第一鈍化層位于層間絕緣層背離第一電極一側的表面，且延伸至有源層的表面；第二電極位于第一鈍化層背離柵極一側的表面。本發明達到了降低源極和漏極之間的關聯度和生產成本的效果。

技術領域

本發明實施例涉及半導體技術領域，尤其涉及一種薄膜晶體管以及薄膜晶體管的制備方法。

背景技術

薄膜晶體管作為液晶、有機顯示器的關鍵器件，對于顯示器件的工作性能具有十分重要的作用。常見的薄膜晶體管主要有非晶硅薄膜晶體管、多晶硅薄膜晶體管、有機薄膜晶體管以及金屬氧化物薄膜晶體管。

由于金屬氧化物薄膜晶體管具有優良的壓電、光電、氣敏和壓敏等性能，在半導體領域具有廣泛的發展前景。

傳統的薄膜晶體管的源極和漏極大都共面設計，改變源極的形狀時，漏極的形狀也需要相應調整，導致源極和漏極之間的關聯度太大，進而導致薄膜晶體管的生產成本較大。

發明內容

本發明提供一種薄膜晶體管以及薄膜晶體管的制備方法，以降低源極和漏極之間的關聯度和生產成本。

第一方面，本發明實施例提供了一種薄膜晶體管，薄膜晶體管包括：

襯底；

第一電極，所述第一電極位于所述襯底的表面；

層間絕緣層，所述層間絕緣層位于所述第一電極背離所述襯底一側的表面，所述層間絕緣層背離所述第一電極的表面為平面，所述層間絕緣層設置有第一過孔，所述第一過孔暴露部分所述第一電極；

有源層，所述有源層位于所述層間絕緣層背離所述第一電極一側的表面，所述有源層包括源區、漏區以及位于所述源區與所述漏區之間的溝道區；所述第一電極在所述襯底的投影面積覆蓋所述溝道區在所述襯底的投影面積，其中，所述有源層包括金屬氧化物半導體材料或者碳納米管；

柵極絕緣層和柵極，所述柵極絕緣層和所述柵極層疊設置在所述有源層背離所述層間絕緣層一側的表面，其中，所述柵極絕緣層位于所述有源層和所述柵極之間；

第一鈍化層，所述第一鈍化層位于所述層間絕緣層背離所述第一電極一側的表面，且延伸至所述有源層的表面，所述第一鈍化層設置有第二過孔；

第二電極，所述第二電極位于所述第一鈍化層背離所述柵極一側的表面；

所述第一電極為源極，所述源區通過所述第一過孔與所述第一電極連接，第二電極為漏極，所述第二電極通過所述第二過孔與所述漏區連接；或者，所述第一電極為漏極，所述漏區通過所述第一過孔與所述第一電極連接，第二電極為源極，所述第二電極通過所述第二過孔與所述源區連接。

可選地，所述第一電極為源極，第二電極為漏極，所述第一電極的厚度大于所述第二電極的厚度；或者，所述第一電極為漏極，第二電極為源極，所述第二電極的厚度大于所述第一電極的厚度。

可選地，所述第一電極為源極，第二電極為漏極，所述第一電極在所述襯底的投影面積大于所述第二電極在所述襯底的投影面積，且所述第一電極在所述襯底的投影覆蓋部分或全部所述溝道區在所述襯底的投影；或者，所述第一電極為漏極，第二電極為源極，所述第二電極在所述襯底的投影面積大于所述第一電極在所述襯底的投影面積，且所述第二電極在所述襯底的投影覆蓋部分或全部所述溝道區在所述襯底的投影。

可選地，所述柵極在所述襯底的投影和所述柵極絕緣層在所述襯底的投影重疊。