[發明專利]一種薄膜晶體管以及薄膜晶體管的制備方法

在審

• 申請號: 202110625015.7
• 申請日: 2021-06-04
• 公開（公告）號: CN113363328A
• 公開（公告）日: 2021-09-07
• 發明（設計）人: 徐苗;李民;周雷;徐華;李洪濛;龐佳威;彭俊彪;王磊;鄒建華;陶洪
• 申請（專利權）人: 華南理工大學
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/417;H01L21/34
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

1.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括：

襯底；

第一電極，所述第一電極位于所述襯底的表面；

層間絕緣層，所述層間絕緣層位于所述第一電極背離所述襯底一側的表面，所述層間絕緣層背離所述第一電極的表面為平面，所述層間絕緣層設置有第一過孔，所述第一過孔暴露部分所述第一電極；

有源層，所述有源層位于所述層間絕緣層背離所述第一電極一側的表面，所述有源層包括源區、漏區以及位于所述源區與所述漏區之間的溝道區；所述第一電極在所述襯底的投影面積覆蓋所述溝道區在所述襯底的投影面積，其中，所述有源層包括金屬氧化物半導體材料或者碳納米管；

柵極絕緣層和柵極，所述柵極絕緣層和所述柵極層疊設置在所述有源層背離所述層間絕緣層一側的表面，其中，所述柵極絕緣層位于所述有源層和所述柵極之間；

第一鈍化層，所述第一鈍化層位于所述層間絕緣層背離所述第一電極一側的表面，且延伸至所述有源層的表面，所述第一鈍化層設置有第二過孔；

第二電極，所述第二電極位于所述第一鈍化層背離所述柵極一側的表面；

所述第一電極為源極，所述源區通過所述第一過孔與所述第一電極連接，第二電極為漏極，所述第二電極通過所述第二過孔與所述漏區連接；或者，所述第一電極為漏極，所述漏區通過所述第一過孔與所述第一電極連接，第二電極為源極，所述第二電極通過所述第二過孔與所述源區連接。

2.權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一電極為源極，第二電極為漏極，所述第一電極的厚度大于所述第二電極的厚度；或者，所述第一電極為漏極，第二電極為源極，所述第二電極的厚度大于所述第一電極的厚度。

3.根據權利要求1或2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一電極為源極，第二電極為漏極，所述第一電極在所述襯底的投影面積大于所述第二電極在所述襯底的投影面積，且所述第一電極在所述襯底的投影覆蓋部分或全部所述溝道區在所述襯底的投影；或者，所述第一電極為漏極，第二電極為源極，所述第二電極在所述襯底的投影面積大于所述第一電極在所述襯底的投影面積，且所述第二電極在所述襯底的投影覆蓋部分或全部所述溝道區在所述襯底的投影。

4.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述柵極在所述襯底的投影和所述柵極絕緣層在所述襯底的投影重疊。

5.根據權利要求4所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述柵極在所述襯底的投影和所述溝道區在所述襯底的投影重疊，所述源區的導電率大于所述溝道區的導電率，且所述漏區的導電率大于所述溝道區的導電率。

6.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述有源層包括銦、鋅、鎵、錫、鋯以及鉭中的至少一種對應的氧化物MO和稀土氧化物RO組成的復合氧化物(MO)x(RO)y薄膜，其中，0x1，0.0001≤y≤0.2，x+y＝1，所述稀土氧化物包括氧化鐠、氧化鋱、氧化鏑以及氧化鐿中的至少一種。