[發(fā)明專利]一種利用組織培養(yǎng)技術繁殖芍藥的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110624827.X | 申請日: | 2021-06-04 |
| 公開(公告)號: | CN113133410B | 公開(公告)日: | 2022-04-22 |
| 發(fā)明(設計)人: | 李艷敏;張和臣;薛嫻;王慧娟;高杰;符真珠;王利民;王二強;高凱;袁欣;蔣卉 | 申請(專利權)人: | 河南省農(nóng)業(yè)科學院園藝研究所 |
| 主分類號: | A01H4/00 | 分類號: | A01H4/00 |
| 代理公司: | 鄭州聯(lián)科專利事務所(普通合伙) 41104 | 代理人: | 楊海霞 |
| 地址: | 450000 河*** | 國省代碼: | 河南;41 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 利用 組織培養(yǎng) 技術 繁殖 芍藥 方法 | ||
本發(fā)明涉及一種利用組織培養(yǎng)技術繁殖芍藥的方法,其以芍藥地下鱗芽為外植體來源,清洗、滅菌后作為組培用外植體;然后在外植體萌發(fā)培養(yǎng)基中培養(yǎng)20?40 d,培育莖尖萌發(fā)成苗;將莖尖萌發(fā)形成的組培苗,轉入潛伏芽形成培養(yǎng)基中培養(yǎng)50?100 d,使葉柄基部、莖基部的潛伏芽形成并長大;將得到的潛伏芽轉入芽盤誘導培養(yǎng)基中培養(yǎng)30?60 d,誘導形成芽盤。該方法針對芍藥的生長繁殖特性而設計,簡便易行,能夠獲得大量芽盤,芽盤上端的芽可以正常萌發(fā),芽盤下端能形成不定根,生根率高,為芍藥組培苗移栽提供健壯生根苗。
技術領域
本發(fā)明屬于植物的組培快繁方法技術領域,特別涉及一種利用組培技術誘導組培苗產(chǎn)生芽盤結構繁殖芍藥的方法。
背景技術
芍藥是芍藥科芍藥屬多年生草本植物,為我國傳統(tǒng)名花,至今有3000多年的栽培歷史,與牡丹并稱為“花王”、“花相”。芍藥花大色艷,花型多變,不僅可以園林和庭園栽培,還是高檔切花。芍藥根可藥用,花可食用,種子含油率高,富含亞麻酸、亞油酸和油酸,可作食用油,應用前景廣闊。
目前,芍藥主要采用分株的方式繁殖,但僅在秋季進行,受時間限制,繁殖效率低。已經(jīng)有芍藥不同品種的組培技術文獻,但多數(shù)研究集中在外植體的選擇和培養(yǎng)基配方等內(nèi)容,并且都是通過誘導不定芽形成的方式進行增殖,存在褐化、玻璃化嚴重等現(xiàn)象,?;矢哌_40.91%(鄭黎文等,芍藥‘種生粉’離體芽培養(yǎng)及玻璃化苗復壯研究,林業(yè)科學研究,2011,24(3):379-384);組培苗生長勢弱,生根率最高為28.15%,并且苗基部形成了大量愈傷組織,愈傷率高達44.4%(吳紅娟等,觀賞芍藥‘大富貴’叢生芽誘導及生根技術,東北林業(yè)大學學報,2011(9):20-22),嚴重影響了芍藥試管苗的移栽,成為芍藥組培快繁的技術瓶頸,制約了芍藥產(chǎn)業(yè)化發(fā)展進程。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的在于克服現(xiàn)有技術缺陷,提供一種利用組織培養(yǎng)技術繁殖芍藥的方法,該方法針對芍藥的生長繁殖特性而設計,簡便易行,能夠獲得大量芽盤,芽盤上端形成休眠芽,在合適的培養(yǎng)條件下,休眠芽可以正常萌發(fā),芽盤下端能形成不定根,生根率高,為芍藥組培苗移栽提供健壯生根苗。
為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用如下技術方案:
一種芍藥組培用培養(yǎng)基組合物,該組合物在芍藥組培過程中用于將外植體誘導形成芽盤結構;該組合物包括:外植體萌發(fā)培養(yǎng)基、潛伏芽形成培養(yǎng)基和芽盤誘導培養(yǎng)基;具體而言:
所述外植體萌發(fā)培養(yǎng)基組成為:1/2MS培養(yǎng)基+蔗糖30 g/L+瓊脂6 g/L+6-BA 0.1~2.0mg/L+ 0IBA ≤1.0mg/L;
所述潛伏芽形成培養(yǎng)基組成為:WPM培養(yǎng)基+蔗糖30 g/L+瓊脂6 g/L+06-BA≤1mg/L+0≤NAA ≤0.1 mg/L;
芽盤誘導培養(yǎng)基組成為:WPM培養(yǎng)基+蔗糖30 g/L+瓊脂6 g/L+06-BA≤0.8 mg/L+0≤椰子汁≤200 ml/L。
一種利用組織培養(yǎng)技術繁殖芍藥的方法,其包括如下步驟:
1)芍藥外植體滅菌:
以芍藥地下鱗芽為外植體來源,清洗、滅菌后作為組培用外植體;
2)芍藥外植體萌發(fā):
將步驟1)中外植體,在外植體萌發(fā)培養(yǎng)基中培養(yǎng)20-40 d,培育莖尖萌發(fā)成苗;
3)芍藥組培苗潛伏芽形成:
將莖尖萌發(fā)形成的組培苗,轉入潛伏芽形成培養(yǎng)基中培養(yǎng)50-100 d,使葉柄基部、莖基部的潛伏芽形成并長大;
4)芍藥芽盤誘導:
將得到的潛伏芽轉入芽盤誘導培養(yǎng)基中培養(yǎng)30-60 d,誘導形成芽盤。
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