[發(fā)明專利]一種陣列基板的制備方法、陣列基板及顯示面板

在審

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• 申請日: 2021-06-04
• 公開（公告）號: CN113078107A
• 公開（公告）日: 2021-07-06
• 發(fā)明（設計）人: 譚芳
• 申請（專利權）人: 蘇州華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 深圳紫藤知識產(chǎn)權代理有限公司 44570
• 代理人: 何志軍

本申請公開了一種陣列基板的制備方法、陣列基板及顯示面板，通過將陣列基板中的第一柵極金屬層氧化，得到第二柵極金屬層；第二柵極金屬層包括靠近基板一側的金屬層和背離基板一側的氧化金屬層。使得對柵極金屬層進行酸性蝕刻時，相同蝕刻時間內(nèi)，氧化金屬層的蝕刻速率大于金屬層的蝕刻速率，使得氧化金屬層的橫向蝕刻量增加且大于金屬層的橫向蝕刻量，降低柵極金屬層與基板之間形成的傾角的角度，進而改善柵極絕緣層和源漏極金屬層在柵極金屬層形成的爬坡結構處斷線的問題。

技術領域

本申請涉及顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板的制備方法、陣列基板及顯示面板。

背景技術

傳統(tǒng)薄膜晶體管液晶顯示器（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT LCD）工藝因產(chǎn)品設計需求，源漏極金屬層金屬走線經(jīng)過柵極金屬層位置時，需要進行爬坡。受爬坡位置形貌影響，光阻涂布過程中，光阻流平性不佳，爬坡位置光阻填充不完全，在金屬與光阻間易產(chǎn)生孔隙，使得蝕刻過程藥液滲透至孔隙中，產(chǎn)生孔隙腐蝕，導致爬坡斷線異常發(fā)生，大大影響陣列基板的良率。

行業(yè)內(nèi)降低柵極金屬層爬坡位置處的傾角通常通過柵極金屬層銅酸配方調(diào)整進行控制，但銅酸開發(fā)周期長，投入資源成本多。

發(fā)明內(nèi)容

本申請實施例提供一種陣列基板的制備方法、陣列基板及陣列基板，旨在解決現(xiàn)有技術中柵極絕緣層和源漏極金屬層容易發(fā)生爬坡斷線的問題。

第一方面，本申請實施例提供一種陣列基板的制備方法，所述方法包括：

提供基板；

在所述基板上形成第一柵極金屬層；

對所述第一柵極金屬層進行氧化形成第二柵極金屬層，其中所述第二柵極金屬層包括靠近所述基板一側的金屬層和背離所述基板一側的氧化金屬層；

利用蝕刻液對所述第二柵極金屬層進行蝕刻，以形成圖案化的柵極層，其中，所述蝕刻液對所述氧化金屬層的蝕刻速率大于對所述金屬層的蝕刻速率。

進一步的，

所述在所述基板上形成第一柵極金屬層的步驟包括：采用物理氣相沉積的方式在所述基板上形成所述第一柵極金屬層。

進一步的，所述對所述第一柵極金屬層進行氧化形成第二柵極金屬層的步驟，包括：

在物理氣相沉積產(chǎn)生的高溫環(huán)境下，通入預設氧氣含量的氣體對所述第一柵極金屬層進行氧化，使得所述第一柵極金屬層上遠離所述基板的一側被氧化，而靠近所述基板一側未被氧化。

進一步的，所述利用蝕刻液對所述第二柵極金屬層進行蝕刻，以形成圖案化的柵極層，包括：

對所述第二柵極金屬層進行處理，得到圖案化的第二柵極金屬層；

對所述圖案化的第二柵極金屬層進行蝕刻，得到圖案化的柵極層。

進一步的，所述對所述第二柵極金屬層進行處理，得到圖案化的第二柵極金屬層，包括：

在所述第二柵極金屬層上方制備光刻膠層；

利用預設掩膜版對所述光刻膠層進行曝光顯影，得到圖案化的光刻膠層。

進一步的，所述方法還包括：

利用酸性溶液對所述第二柵極金屬層進行蝕刻，去除所述第二柵極金屬層中第一區(qū)域內(nèi)的金屬層和第二區(qū)域內(nèi)的氧化金屬層，得到圖案化的第二柵極金屬層；

其中，第一區(qū)域的范圍大于第二區(qū)域內(nèi)的范圍。

進一步的，所述方法還包括：

剝離所述圖案化的第二柵極金屬層上方的所述圖案化的光刻膠層，形成所述圖案化的柵極層。

第二方面，本申請實施例提供一種陣列基板，所述陣列基板包括：

基板；