[發明專利]一種陣列基板的制備方法、陣列基板及顯示面板在審
| 申請號: | 202110622008.1 | 申請日: | 2021-06-04 |
| 公開(公告)號: | CN113078107A | 公開(公告)日: | 2021-07-06 |
| 發明(設計)人: | 譚芳 | 申請(專利權)人: | 蘇州華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/77 | 分類號: | H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 何志軍 |
| 地址: | 215000 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陣列 制備 方法 顯示 面板 | ||
1.一種陣列基板的制備方法,其特征在于,所述方法包括:
提供基板;
在所述基板上形成第一柵極金屬層;
對所述第一柵極金屬層進行氧化形成第二柵極金屬層,其中所述第二柵極金屬層包括靠近所述基板一側的金屬層和背離所述基板一側的氧化金屬層;
利用蝕刻液對所述第二柵極金屬層進行蝕刻,以形成圖案化的柵極層,其中,所述蝕刻液對所述氧化金屬層的蝕刻速率大于對所述金屬層的蝕刻速率。
2.根據權利要求1所述的陣列基板的制備方法,其特征在于,所述在所述基板上形成第一柵極金屬層的步驟包括:采用物理氣相沉積的方式在所述基板上形成所述第一柵極金屬層。
3.根據權利要求2所述的陣列基板的制備方法,其特征在于,所述對所述第一柵極金屬層進行氧化形成第二柵極金屬層的步驟包括:
在物理氣相沉積產生的高溫環境下,通入預設氧氣含量的氣體對所述第一柵極金屬層進行氧化,使得所述第一柵極金屬層上遠離所述基板的一側被氧化而靠近所述基板一側未被氧化。
4.根據權利要求1所述的陣列基板的制備方法,其特征在于,所述利用蝕刻液對所述第二柵極金屬層進行蝕刻,以形成圖案化的柵極層,包括:
對所述第二柵極金屬層進行處理,得到圖案化的第二柵極金屬層;
對所述圖案化的第二柵極金屬層進行蝕刻,得到圖案化的柵極層。
5.根據權利要求4所述的陣列基板的制備方法,其特征在于,所述對所述第二柵極金屬層進行處理,得到圖案化的第二柵極金屬層,包括:
在所述第二柵極金屬層上方制備光刻膠層;
利用預設掩膜版對所述光刻膠層進行曝光顯影,得到圖案化的光刻膠層。
6.根據權利要求5所述的陣列基板的制備方法,其特征在于,所述方法還包括:
利用酸性溶液對所述第二柵極金屬層進行蝕刻,去除所述第二柵極金屬層中第一區域內的金屬層和第二區域內的氧化金屬層,得到圖案化的第二柵極金屬層;
其中,第一區域的范圍大于第二區域內的范圍。
7.根據權利要求6所述的陣列基板的制備方法,其特征在于,所述方法還包括:
剝離所述圖案化的第二柵極金屬層上方的所述圖案化的光刻膠層,形成所述圖案化的柵極層。
8.一種陣列基板,其特征在于,所述陣列基板包括:
基板;
圖案化的柵極層,所述圖案化的柵極層位于所述基板的上方,所述圖案化的柵極層包括背離所述基板一側的氧化金屬層和靠近所述基板一側的金屬層,且所述圖案化的柵極層中的第一區域內的氧化金屬層和第二區域內的金屬層被去除;
其中,所述第一區域的范圍大于所述第二區域的范圍。
9.根據權利要求8所述的陣列基板,其特征在于,所述陣列基板還包括:
柵極絕緣層,所述柵極絕緣層設置在所述圖案化的柵極層上方;
源漏極金屬層,所述源漏極金屬層設置在所述柵極絕緣層的上方。
10.一種顯示面板,其特征在于,所述顯示面板包括對置基板、液晶層和如權利要求8-9任一項所述的陣列基板,所述對置基板與所述陣列基板相對設置,所述液晶層夾設在所述陣列基板和所述對置基板之間。
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H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





