[發(fā)明專利]一種透明導(dǎo)電基板及其制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110618135.4
• 申請(qǐng)日: 2021-06-03
• 公開（公告）號(hào): CN113363303A
• 公開（公告）日: 2021-09-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 盧虎賁;李珍;李弋舟
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 湖南智信微電子科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/32
• 分類號(hào): H01L27/32;H01L27/15;H01L31/0392;H01L31/18;H01J11/34;H01J17/49;G02F1/1343;G06F3/041;C23C14/18;C23C14/24;C23C14/34;C23C28/02;C25D5/54
• 代理公司: 廈門原創(chuàng)專利事務(wù)所(普通合伙) 35101
• 代理人: 魏思凡

本發(fā)明提供了一種透明導(dǎo)電基板包括：玻璃基板，第一導(dǎo)電層，單質(zhì)金導(dǎo)電層。所述單質(zhì)金導(dǎo)電層的圖案可根據(jù)需要進(jìn)行設(shè)計(jì)。本發(fā)明還提供了所述的透明導(dǎo)電基板制備方法，準(zhǔn)備表面干燥潔凈的玻璃基板，在所述玻璃基板一側(cè)濺射純鉻，涂膠，曝光，顯影，蒸鍍，得到具有蒸鍍種子層的基板，根據(jù)設(shè)計(jì)的圖形用電鍍的方法在單質(zhì)金導(dǎo)電種子層的基礎(chǔ)上長(zhǎng)出單質(zhì)金導(dǎo)電層，去膠、腐蝕得到透明的導(dǎo)電基板。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種透明導(dǎo)電基板及制備該導(dǎo)電基板的方法。

背景技術(shù)

作為液晶顯示器，電致發(fā)光顯示器，等離子顯示器等顯示元件作用透明電極，觸摸面板，太陽能電池等的透明電鍍、紅外線反射、電磁波屏蔽、抗靜電、防霧等功能性涂層所使用的透明導(dǎo)電基板的形成材料，已知有錫摻雜氧化銦(Indium Tin Oxide,下記為ITO)。

但是對(duì)于這樣各種ITO透明導(dǎo)電膜形成的基板，由于ITO透明導(dǎo)電膜形成過程需要用涂布液在基板上涂布，干燥，燒成而形成，其涂布液中的有機(jī)銦化合物等在通過燒成是的熱分解或燃燒(氧化)而轉(zhuǎn)化為ITO膜的過程中，形成的ITO微粒之間難以致密化，因此，得到的透明導(dǎo)電膜存在導(dǎo)電性不充分，或膜強(qiáng)度低，易脫落的問題。因此為了利用于顯示器、觸摸面板、太陽能電池等期望具有導(dǎo)電性以及粘附性更好的透明導(dǎo)電膜的基板。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供了一種透明導(dǎo)電基板，可以有效解決上述問題。

本發(fā)明是這樣實(shí)現(xiàn)的：

一種透明導(dǎo)電基板，包括：玻璃基板、第一導(dǎo)電層、單質(zhì)金導(dǎo)電層；所述第一導(dǎo)電層設(shè)置于所述玻璃基板的一側(cè)，所述單質(zhì)金導(dǎo)電層設(shè)置于所述第一導(dǎo)電層遠(yuǎn)離所述玻璃基板的一側(cè)，所述第一導(dǎo)電層為通過將鉻濺射在所述玻璃基板得到。

進(jìn)一步地，所述透明導(dǎo)電基板，其中，所述第一導(dǎo)電層為鉻層，所述鉻層表面光滑平整，厚度均勻一致為60～100nm。

進(jìn)一步地，所述透明導(dǎo)電基板，其中，所述單質(zhì)金導(dǎo)電層設(shè)置于所述第一導(dǎo)電層遠(yuǎn)離所述玻璃基板的一側(cè)，所述單質(zhì)金導(dǎo)電層為不同連續(xù)化圖形，或不連續(xù)的點(diǎn)。

本發(fā)明還進(jìn)一步提供所述透明導(dǎo)電基板的制備方法，包括如下步驟：

S1準(zhǔn)備表面干燥潔凈的玻璃基板；

S2在所述玻璃基板一側(cè)濺射純鉻，濺射在真空條件下進(jìn)行，所述純鉻的厚度根據(jù)濺射功率以及時(shí)間調(diào)整，在所述玻璃基板一側(cè)形成純鉻層；

S3在所述純鉻層相對(duì)于所述玻璃基板距離較遠(yuǎn)的一側(cè)涂光刻膠，形成光刻膠層；

S4用圖形化的光刻母版曝光顯影，在所述光刻膠層得到圖形化的凹槽；

S5顯影后在未去膠的所述玻璃基板蒸鍍單質(zhì)金導(dǎo)電種子層；

S6用電鍍的方法在所述單質(zhì)金導(dǎo)電種子層的基礎(chǔ)上生長(zhǎng)需要的厚度，得到單質(zhì)金導(dǎo)電層；

S7電鍍完成后去膠然后進(jìn)行鉻腐蝕得到具有所述單質(zhì)金導(dǎo)電層的透明導(dǎo)電基板。

進(jìn)一步地，所述透明導(dǎo)電基板的制備方法，其中，在步驟S2中，在所述玻璃基板一側(cè)濺射合適厚度的純鉻層，所述純鉻層的厚度為60～150nm。

進(jìn)一步地，所述的透明導(dǎo)電基板的制備方法，其中，步驟S5顯影后在未去膠的基板蒸鍍所述單質(zhì)金導(dǎo)電種子層,所述單質(zhì)金導(dǎo)電種子厚度為1～5nm。

本發(fā)明的有益效果是：采用鉻作為電鍍膜層，鉻的導(dǎo)電性較好，可以保證膜層的導(dǎo)電性與粘附性，相比于ITO/IWO等非金屬基底的粘附性好，電鍍后的蝕刻更簡(jiǎn)單，種子層的厚度可以更薄，為1-2nm,電鍍區(qū)域變小，節(jié)約成本。

附圖說明