[發(fā)明專利]一種透明導電基板及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110618135.4 | 申請日： | 2021-06-03 |
| 公開（公告）號： | CN113363303A | 公開（公告）日： | 2021-09-07 |
| 發(fā)明（設計）人： | 盧虎賁;李珍;李弋舟 | 申請（專利權(quán)）人： | 湖南智信微電子科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/32 | 分類號： | H01L27/32;H01L27/15;H01L31/0392;H01L31/18;H01J11/34;H01J17/49;G02F1/1343;G06F3/041;C23C14/18;C23C14/24;C23C14/34;C23C28/02;C25D5/54 |
| 代理公司： | 廈門原創(chuàng)專利事務所(普通合伙) 35101 | 代理人： | 魏思凡 |
| 地址： | 410129 湖南省長沙市中國（湖南）自由貿(mào)易試*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 透明 導電 及其 制備 方法 | ||
1.一種透明導電基板，其特征在于，包括：玻璃基板、第一導電層、單質(zhì)金導電層；所述第一導電層設置于所述玻璃基板的一側(cè)，所述單質(zhì)金導電層設置于所述第一導電層遠離所述玻璃基板的一側(cè)，所述第一導電層為通過將鉻濺射在所述玻璃基板得到。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導電基板，其特征在于，所述第一導電層為鉻層，所述鉻層厚度為60～150nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導電基板，其特征在于，所述鉻層的厚度為100～120nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導電基板，其特征在于，所述單質(zhì)金導電層為不同的連續(xù)化圖形或不連續(xù)的點。
5.一種透明導電基板的制備方法，其特征在于，包括如下步驟，
S1準備表面干燥潔凈的玻璃基板；
S2在所述玻璃基板一側(cè)濺射純鉻，濺射在真空條件下進行，在所述玻璃基板一側(cè)形成純鉻層；
S3在所述純鉻層遠離所述玻璃基板的一側(cè)涂光刻膠，得到光刻膠層；
S4用圖形化的光刻母版曝光顯影，在所述光刻膠層得到圖形化的凹槽；
S5顯影后在未去膠的所述玻璃基板上蒸鍍單質(zhì)金導電種子層；
S6用電鍍的方法在所述單質(zhì)金導電種子層的基礎上生長需要的厚度，得到單質(zhì)金導電層；
S7電鍍完成后去除所述光刻膠然后進行鉻腐蝕得到所述透明導電基板。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的透明導電基板的制備方法，其特征在于，在步驟S2中，所述純鉻的厚度為60～150nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的透明導電基板的制備方法，其特征在于，在步驟S5中，所述單質(zhì)金導電種子層的厚度為1～5nm。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
