[發明專利]半導體裝置及其制造方法及包括其的電子設備

有效

• 申請號: 202110616618.0
• 申請日: 2021-06-02
• 公開（公告）號: CN113380797B
• 公開（公告）日: 2022-07-29
• 發明（設計）人: 朱慧瓏
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L21/8234
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 倪斌

1.一種半導體裝置，包括：

襯底；

在豎直方向上疊置在所述襯底上的第一半導體器件和第二半導體器件，所述第一半導體器件和所述第二半導體器件各自包括在豎直方向上依次疊置的第一源/漏層、溝道層和第二源/漏層以及圍繞所述溝道層的外周的柵堆疊，

其中，所述第一半導體器件的第一源/漏層、第二源/漏層和柵堆疊在第一方向上的一端相對于所述第二半導體器件的第一源/漏層、第二源/漏層和柵堆疊在所述第一方向上的相應的一端在所述第一方向上伸出，從而形成第一臺階，所述第二半導體器件限定第二臺階，

其中，所述第一半導體器件和所述第二半導體器件各自的第一源/漏層在與所述第一方向相交的第二方向上的一端相對于第二源/漏層和柵堆疊在所述第二方向上的相應的一端在所述第二方向上伸出，從而分別形成第一子臺階和第二子臺階，其中，所述第一子臺階在所述第一臺階上，所述第二子臺階在所述第二臺階上，

其中，在所述第一半導體器件和所述第二半導體器件中的每一個中，相對于第二源/漏層在所述第二方向上與所述一端相對的另一端，柵堆疊在所述第二方向上與所述一端相對的另一端在所述第二方向上伸出。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，還包括：

電介質，與所述第一半導體器件和所述第二半導體器件各自的第一源/漏層和第二源/漏層在所述第二方向上的所述另一端相接，且在所述豎直方向上分別夾著所述第一半導體器件和所述第二半導體器件各自的柵堆疊。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，還包括：

在所述第二方向上排列的第一接觸部、第二接觸部、第三接觸部；

在所述第二方向上排列的第四接觸部、第五接觸部、第六接觸部，

其中，所述第一接觸部、所述第二接觸部和所述第三接觸部處于所述第一臺階上方，所述第四接觸部、所述第五接觸部和所述第六接觸部處于所述第二臺階上方，

其中，所述第一接觸部處于所述第一子臺階上方且著落于所述第一半導體器件的第一源/漏層，所述第二接觸部著落于所述第一半導體器件的第二源/漏層，所述第三接觸部靠近所述第一半導體器件的柵堆疊在所述第二方向上的所述另一端且著落于所述第一半導體器件的柵堆疊，

其中，所述第四接觸部處于所述第二子臺階上方且著落于所述第二半導體器件的第一源/漏層，所述第五接觸部著落于所述第二半導體器件的第二源/漏層，所述第六接觸部靠近所述第二半導體器件的柵堆疊在所述第二方向上的所述另一端且著落于所述第二半導體器件的柵堆疊。

4.根據權利要求3所述的半導體裝置，其中，

所述第一接觸部、所述第二接觸部、所述第三接觸部在所述第二方向上排列成直線，且所述第四接觸部、所述第五接觸部、所述第六接觸部在所述第二方向上排列成直線；或者

所述第一接觸部、所述第二接觸部、所述第三接觸部在所述第二方向上呈之字形排列成，且所述第四接觸部、所述第五接觸部、所述第六接觸部在所述第二方向上呈之字形排列。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，還包括：

在豎直方向上介于所述第一半導體器件與所述第二半導體器件之間的隔離層。

6.根據權利要求5所述的半導體裝置，其中，所述隔離層處在所述第一半導體器件的第二源/漏層和所述第二半導體器件的第一源/漏層之間并實現電隔離。

7.根據權利要求5或6所述的半導體裝置，其中，所述隔離層與所述第二半導體器件的第一源/漏層在俯視圖中實質上完全重合。

8.根據權利要求5或6所述的半導體裝置，其中，所述隔離層在豎直方向上的厚度小于所述溝道層在豎直方向上的高度。

9.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述第一半導體器件的第一源/漏層和第二源/漏層在所述第二方向上的所述另一端以及所述第二半導體器件的第一源/漏層和第二源/漏層在所述第二方向上的所述另一端在豎直方向上實質上對齊。