[發明專利]一種在襯底上生長外延結構的方法及外延結構

有效

• 申請號: 202110614947.1
• 申請日: 2021-06-02
• 公開（公告）號: CN113363362B
• 公開（公告）日: 2023-08-25
• 發明（設計）人: 劉恒山;吳永勝;解向榮;曹鑫
• 申請（專利權）人: 福建兆元光電有限公司
• 主分類號: H01L33/12
• 分類號: H01L33/12;H01L33/20;H01L33/32;H01L33/00
• 代理公司: 福州市博深專利事務所(普通合伙) 35214
• 代理人: 張明;柯玉珊

本發明提供了一種在襯底上生長外延結構的方法及外延結構，在襯底上生長緩沖層；在所述緩沖層遠離所述襯底的一側上生長預備2D層；在所述預備2D層遠離所述緩沖層的一側上生長3D層；本發明在緩沖層晶胞遠離緩沖層的一側上生長預備2D層，預備2D層能夠填平緩沖層上的晶胞間隙，使得緩沖層生長有預備2D層的一側形成較大的平臺，在此基礎上繼續生長的3D層和2D層晶體更加規整，使得之后生長的N型氮化鎵結構規整，從而實現質量提高，克服現有大規格襯底上晶胞間隙小，2D層和3D層的受間隙影響不規整導致N型氮化鎵層生長質量低的問題，特別適用于在大規格襯底上生長高質量的外延結構。

技術領域

本發明涉及LED芯片制造領域，尤其涉及一種在襯底上生長外延結構的方法及外延結構。

背景技術

外延是指在具有一定結晶取向的原有晶體（襯底）上延伸出的，按一定晶體學方向生長出的薄膜。襯底晶胞通常按底寬區分有2.70-2.75um、2.75-2.80um、2.80-2.85um、2.85-2.90um、2.90-2.95um等規格，高度一般在1.7-2.0um。一般來說，襯底規格越大，越有利于GaN與襯底界面散射時反射光出射角的改變，增加出光幾率，從而提高出光效率，提升亮度。但是，襯底規格越大，襯底晶胞間隙會越小，越難在襯底上生長出高品質的GaN材料。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是：提供一種在襯底上生長外延結構的方法及外延結構，實現在襯底上生長高質量外延結構。

為了解決上述技術問題，本發明采用的一種技術方案為：

一種在襯底上生長外延結構的方法，包括步驟：

在襯底上生長緩沖層；

在所述緩沖層遠離所述襯底的一側上生長預備2D層；

在所述預備2D層遠離所述緩沖層的一側上生長3D層。

為了解決上述技術問題，本發明采用的另一種技術方案為：

一種外延結構，包括依次層疊設置的襯底、緩沖層和3D層，還包括預備2D層；

所述預備2D層設置于所述緩沖層和所述3D層之間。

本發明的有益效果在于：在緩沖層晶胞遠離緩沖層的一側上生長預備2D層，預備2D層能夠填平緩沖層上的晶胞間隙，使得緩沖層生長有預備2D層的一側形成較大的平臺，在此基礎上繼續生長的3D層和2D層晶體更加規整，使得之后生長的N型氮化鎵結構規整，從而實現質量提高，克服現有襯底上晶胞間隙小，2D層和3D層的受間隙影響不規整導致N型氮化鎵層生長質量低的問題，特別適用于在大規格襯底上生長高質量的外延結構。

附圖說明

圖1為本發明實施例的一種在襯底上生長外延結構的方法的步驟流程圖；

圖2為本發明實施例的一種外延結構的示意圖；

圖3為現有技術的一種外延結構示意圖。

具體實施方式

為詳細說明本發明的技術內容、所實現目的及效果，以下結合實施方式并配合附圖予以說明。

請參照圖1，一種在襯底上生長外延結構的方法，包括步驟：

在襯底上生長緩沖層；

在所述緩沖層遠離所述襯底的一側上生長預備2D層；

在所述預備2D層遠離所述緩沖層的一側上生長3D層。