[發(fā)明專利]一種在襯底上生長外延結(jié)構(gòu)的方法及外延結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110614947.1 | 申請日： | 2021-06-02 |
| 公開（公告）號： | CN113363362B | 公開（公告）日： | 2023-08-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 劉恒山;吳永勝;解向榮;曹鑫 | 申請（專利權(quán)）人： | 福建兆元光電有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/12 | 分類號： | H01L33/12;H01L33/20;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 福州市博深專利事務(wù)所(普通合伙) 35214 | 代理人： | 張明;柯玉珊 |
| 地址： | 350109 福建省福州*** | 國省代碼： | 福建;35 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 襯底 生長 外延 結(jié)構(gòu) 方法 | ||
1.一種在襯底上生長外延結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，包括步驟：
在襯底上生長緩沖層；
在所述緩沖層遠離所述襯底的一側(cè)上生長預(yù)備2D層；
在所述預(yù)備2D層遠離所述緩沖層的一側(cè)上生長3D層；
在所述緩沖層上生長預(yù)備2D層包括：將所述預(yù)備2D層生長至緩沖層上晶胞厚度為緩沖層整體厚度的1/4-3/4處，即預(yù)備2D層遠離所述襯底的一側(cè)位于所述緩沖層上晶胞厚度為緩沖層整體厚度的1/4-3/4處；
所述生長預(yù)備2D層包括：
以100-200torr的壓力、1010-1060℃的溫度及800-1200轉(zhuǎn)/秒的轉(zhuǎn)速生長所述預(yù)備2D層，生長時間為2-8分鐘；
所述生長預(yù)備2D層還包括：
以包括三甲基銦的材料作為原材料生長所述預(yù)備2D層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種在襯底上生長外延結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，所述生長預(yù)備2D層包括：
以大于或等于4um/h的生長速度生長所述預(yù)備2D層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種在襯底上生長外延結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，所述生長緩沖層具體為：
通過CVD沉積設(shè)備沉積厚度為16-22nm的氮化鋁緩沖層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種在襯底上生長外延結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，還包括：在所述3D層上遠離所述緩沖層的一側(cè)依次生長2D層、N型氮化鎵層、多層量子阱、P型氮化鎵層及歐姆接觸層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種在襯底上生長外延結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，所述在所述預(yù)備2D層遠離所述緩沖層的一側(cè)上生長3D層具體為：
以氮化鎵為原材料，在所述預(yù)備2D層上以300-500torr的壓力，1000-1050℃的溫度及500-800轉(zhuǎn)/秒的轉(zhuǎn)速縱向生長所述3D層；在所述3D層上生長2D層具體為：
以氮化鎵為原材料，在所述3D層上以100-500torr的壓力，1000-1050℃的溫度及600-1200轉(zhuǎn)/秒的轉(zhuǎn)速橫向生長所述2D層。
6.一種外延結(jié)構(gòu)，包括依次層疊設(shè)置的襯底、緩沖層和3D層，其特征在于，還包括預(yù)備2D層；
所述預(yù)備2D層設(shè)置于所述緩沖層和所述3D層之間；
所述預(yù)備2D層遠離所述襯底的一側(cè)位于所述緩沖層上晶胞厚度為緩沖層整體厚度的1/4-3/4處；
生長預(yù)備2D層包括：
以100-200torr的壓力、1010-1060℃的溫度及800-1200轉(zhuǎn)/秒的轉(zhuǎn)速生長所述預(yù)備2D層，生長時間為2-8分鐘；
生長預(yù)備2D層還包括：
以包括三甲基銦的材料作為原材料生長所述預(yù)備2D層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種外延結(jié)構(gòu)，還包括2D層、N型氮化鎵層、多層量子阱層、P型氮化鎵層及歐姆接觸層；
所述2D層、所述N型氮化鎵層、所述多層量子阱層、所述P型氮化鎵層及所述歐姆接觸層在所述3D層遠離所述預(yù)備2D層的一側(cè)沿遠離所述3D層的方向依次排列。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于福建兆元光電有限公司，未經(jīng)福建兆元光電有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110614947.1/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 卡片結(jié)構(gòu)、插座結(jié)構(gòu)及其組合結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)平臺結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)支撐結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)支撐結(jié)構(gòu)
- 單元結(jié)構(gòu)、結(jié)構(gòu)部件和夾層結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)扶梯結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)隔墻結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)連接結(jié)構(gòu)
- 螺紋結(jié)構(gòu)、螺孔結(jié)構(gòu)、機械結(jié)構(gòu)和光學結(jié)構(gòu)
- 螺紋結(jié)構(gòu)、螺孔結(jié)構(gòu)、機械結(jié)構(gòu)和光學結(jié)構(gòu)
