[發明專利]半導體裝置在審
| 申請號: | 202110612967.5 | 申請日: | 2021-06-02 |
| 公開(公告)號: | CN113937158A | 公開(公告)日: | 2022-01-14 |
| 發明(設計)人: | 川﨑一紀;井上勇氣;吉井佑介 | 申請(專利權)人: | 羅姆股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L29/417 | 分類號: | H01L29/417;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人: | 龔詩靖 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 裝置 | ||
1.一種半導體裝置,包含:
第1絕緣層;
條紋配線,包含多個第1配線及多個第2配線,所述多個第1配線及多個第2配線在所述第1絕緣層之上分別沿第1方向延伸,并在與所述第1方向交叉的第2方向上隔開間隔地排列,所述條紋配線具有所述第1方向的一側的第1端部及所述第1方向的另一側的第2端部;
第2絕緣層,在所述第1絕緣層之上覆蓋所述條紋配線;
第1焊墊電極,在所述第2絕緣層之上配置在所述條紋配線的所述第1端部側,且電連接于多個所述第1配線;
多個第1引出電極,在所述第2絕緣層之上從所述第1焊墊電極向所述條紋配線的所述第2端部側呈梳齒狀引出,并且相對于所述第1焊墊電極而在所述條紋配線的所述第2端部側電連接于多個所述第1配線;
第2焊墊電極,在所述第2絕緣層之上配置在所述條紋配線的所述第2端部側,且電連接于多個所述第2配線;以及
多個第2引出電極,在所述第2絕緣層之上以與多個所述第1引出電極嚙合的方式,從所述第2焊墊電極向所述條紋配線的所述第1端部側呈梳齒狀引出,并且相對于所述第2焊墊電極而在所述條紋配線的所述第1端部側電連接于多個所述第2配線。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置,其中
所述第1引出電極與多個所述第2配線電絕緣,
所述第2引出電極與多個所述第1配線電絕緣。
3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置,其中
所述條紋配線包含多對所述第1配線及所述第2配線,
所述第1引出電極及第2引出電極的至少一個在俯視下與至少一對所述第1配線及所述第2配線重疊。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體裝置,其中
所述第1引出電極包含向所述第2方向彎曲的第1彎曲部,
所述第2引出電極包含沿著所述第1彎曲部的彎曲方向延伸的第2彎曲部。
5.根據權利要求4所述的半導體裝置,還包含:
第1接點,形成在所述第2絕緣層內,將所述第1配線與所述第1焊墊電極電連接;以及
第2接點,形成在所述第2絕緣層內,將所述第2配線與所述第2焊墊電極電連接,
所述第1彎曲部電連接于所述第1接點,與所述第2配線介隔所述第2絕緣層而電絕緣,
所述第2彎曲部電連接于所述第2接點,與所述第2配線介隔所述第2絕緣層而電絕緣。
6.根據權利要求4或5所述的半導體裝置,其中
所述第1彎曲部在俯視下橫穿多個所述第1配線及多個所述第2配線,
所述第2彎曲部在俯視下橫穿多個所述第1配線及多個所述第2配線。
7.根據權利要求4至6中任一項所述的半導體裝置,其中
所述第1引出電極包含多個所述第1彎曲部,
所述第2引出電極包含多個所述第2彎曲部。
8.根據權利要求7所述的半導體裝置,其中
所述第1引出電極在所述第1方向呈鋸齒狀延伸,
所述第2引出電極以與所述第1引出電極匹配的方式在所述第1方向呈鋸齒狀延伸。
9.根據權利要求4至8中任一項所述的半導體裝置,其中
所述第1引出電極還包含從所述第1焊墊電極向所述第1方向延伸的第1延伸部,
所述第1彎曲部包含從所述第1延伸部向所述第2方向的一側彎曲的第3彎曲部,
所述第2引出電極還包含向所述第2方向的所述一側凹陷且與所述第3彎曲部嚙合的凹陷部。
10.根據權利要求9所述的半導體裝置,其中
所述第3彎曲部包含第2延伸部,所述第2延伸部在比所述第1延伸部更靠所述第2端部側,從相對于所述第1延伸部向所述第2方向的所述一側偏移的位置沿所述第1方向延伸。
11.根據權利要求10所述的半導體裝置,其中
所述第2延伸部在所述第1方向上與所述第2引出電極對向。
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