[發(fā)明專利]晶片的加工方法、保護(hù)部件粘貼裝置以及加工裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110607867.3
• 申請(qǐng)日: 2021-06-01
• 公開（公告）號(hào): CN113764266A
• 公開（公告）日: 2021-12-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 酒井敏行;藍(lán)麗華
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社迪思科
• 主分類號(hào): H01L21/304
• 分類號(hào): H01L21/304;H01L21/67;H01L21/683
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 于靖帥;楊俊波

提供晶片的加工方法、保護(hù)部件粘貼裝置以及加工裝置，即使在加熱和按壓的前后保護(hù)部件的厚度發(fā)生了變化的情況下，也降低保護(hù)部件的厚度的變化對(duì)磨削等的加工條件造成的影響。對(duì)在正面?zhèn)染哂衅骷木M(jìn)行加工的晶片的加工方法具有：帶保護(hù)部件的晶片形成步驟，一邊對(duì)由因熱而軟化的樹脂形成的保護(hù)部件進(jìn)行加熱一邊將保護(hù)部件向晶片的正面?zhèn)劝磯憾迟N，形成帶保護(hù)部件的晶片；厚度測(cè)量步驟，測(cè)量帶保護(hù)部件的晶片的保護(hù)部件的厚度；磨削步驟，利用卡盤工作臺(tái)的保持面保持帶保護(hù)部件的晶片，將晶片的背面?zhèn)饶ハ鞯骄蔀槟繕?biāo)完工厚度，從帶保護(hù)部件的晶片的總厚度減去測(cè)量出的保護(hù)部件的厚度而計(jì)算晶片的厚度，并且對(duì)晶片的背面?zhèn)冗M(jìn)行磨削。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及在將保護(hù)部件粘貼于在正面?zhèn)染哂衅骷木恼鎮(zhèn)戎髮?duì)晶片的背面?zhèn)冗M(jìn)行磨削的晶片的加工方法、在晶片的正面?zhèn)日迟N保護(hù)部件的保護(hù)部件粘貼裝置、以及具有保護(hù)部件粘貼裝置和磨削裝置的加工裝置。

背景技術(shù)

搭載于電子設(shè)備等的器件芯片例如是在由設(shè)定于硅制的晶片的正面的多條分割預(yù)定線劃分的正面?zhèn)鹊母鲄^(qū)域中形成器件之后，經(jīng)過晶片的背面?zhèn)鹊哪ハ骱途那邢鞫圃斓摹?/p>

在對(duì)晶片進(jìn)行磨削時(shí)，通過將樹脂制的保護(hù)帶粘貼于晶片的正面?zhèn)龋档途茡p的風(fēng)險(xiǎn)，并且還防止磨削屑等附著于晶片的正面?zhèn)取１Ｗo(hù)帶例如由樹脂制的基材層和樹脂制的粘接劑層(糊層)構(gòu)成。

在將保護(hù)帶粘貼于晶片的正面?zhèn)葧r(shí)，首先，以使糊層側(cè)與正面?zhèn)认鄬?duì)的方式在晶片上配置保護(hù)帶。接著，通過對(duì)基材層側(cè)進(jìn)行加熱而使保護(hù)帶軟化，并且對(duì)保護(hù)帶進(jìn)行按壓，以使保護(hù)帶仿照晶片的正面?zhèn)鹊陌纪苟芙印５牵谠撉闆r下，有時(shí)保護(hù)帶的厚度與加熱和按壓前的厚度相比稍微變薄。

而且，在使用了具有糊層的保護(hù)帶的情況下，當(dāng)對(duì)保護(hù)帶進(jìn)行剝離時(shí)，有時(shí)構(gòu)成糊層的粘接劑殘留在電極凸塊等上，該粘接劑的殘留成為電極凸塊的不良原因。因此，提出了如下的技術(shù)：一邊通過對(duì)不具有糊層的樹脂制的片狀的保護(hù)部件進(jìn)行加熱而使其軟化，一邊使保護(hù)部件與晶片的正面?zhèn)让芙?例如，參照專利文獻(xiàn)1)。

專利文獻(xiàn)1：日本特開2019-169727號(hào)公報(bào)

但是，與具有糊層的保護(hù)片同樣地，不具有糊層的保護(hù)部件也根據(jù)加熱和按壓時(shí)的加熱溫度、按壓時(shí)間等粘接條件，存在保護(hù)部件的厚度稍微變薄的情況。當(dāng)保護(hù)部件的厚度發(fā)生變化時(shí)，例如在將晶片磨削至規(guī)定的完工厚度的情況下，磨削進(jìn)給量等磨削條件發(fā)生變化。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明是鑒于上述問題而完成的，其目的在于，即使在加熱和按壓的前后保護(hù)部件的厚度發(fā)生了變化的情況下，也能夠降低保護(hù)部件的厚度的變化對(duì)磨削等的加工條件造成的影響。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式，提供晶片的加工方法，對(duì)在正面?zhèn)染哂衅骷木M(jìn)行加工，其中，該晶片的加工方法具有如下的步驟：帶保護(hù)部件的晶片形成步驟，一邊對(duì)由能夠因熱而軟化的樹脂形成的保護(hù)部件進(jìn)行加熱，一邊將該保護(hù)部件向該晶片的該正面?zhèn)冗M(jìn)行按壓，從而將該保護(hù)部件粘貼于該晶片的該正面?zhèn)龋纬蓭ПＷo(hù)部件的晶片；厚度測(cè)量步驟，對(duì)該帶保護(hù)部件的晶片的該保護(hù)部件的厚度進(jìn)行測(cè)量；以及磨削步驟，利用卡盤工作臺(tái)的保持面對(duì)該帶保護(hù)部件的晶片進(jìn)行保持，并且對(duì)該晶片的背面?zhèn)冗M(jìn)行磨削直至該晶片成為目標(biāo)完工厚度，在該磨削步驟中，從該帶保護(hù)部件的晶片的總厚度減去在該厚度測(cè)量步驟中測(cè)量出的該保護(hù)部件的厚度而計(jì)算該晶片的厚度，并且對(duì)該晶片的該背面?zhèn)冗M(jìn)行磨削。

優(yōu)選的是，在該帶保護(hù)部件的晶片形成步驟中使用的該保護(hù)部件是通過一邊對(duì)能夠因熱而軟化的熱可塑性樹脂進(jìn)行加熱一邊進(jìn)行按壓而形成的單片式的片材。