[發(fā)明專利]晶片的加工方法、保護部件粘貼裝置以及加工裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110607867.3 | 申請日: | 2021-06-01 |
| 公開(公告)號: | CN113764266A | 公開(公告)日: | 2021-12-07 |
| 發(fā)明(設計)人: | 酒井敏行;藍麗華 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會社迪思科 |
| 主分類號: | H01L21/304 | 分類號: | H01L21/304;H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人: | 于靖帥;楊俊波 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 晶片 加工 方法 保護 部件 粘貼 裝置 以及 | ||
1.一種晶片的加工方法,對在正面?zhèn)染哂衅骷木M行加工,其特征在于,
該晶片的加工方法具有如下的步驟:
帶保護部件的晶片形成步驟,一邊對由能夠因熱而軟化的樹脂形成的保護部件進行加熱,一邊將該保護部件向該晶片的該正面?zhèn)冗M行按壓,從而將該保護部件粘貼于該晶片的該正面?zhèn)龋纬蓭ПWo部件的晶片;
厚度測量步驟,對該帶保護部件的晶片的該保護部件的厚度進行測量;以及
磨削步驟,利用卡盤工作臺的保持面對該帶保護部件的晶片進行保持,并且對該晶片的背面?zhèn)冗M行磨削直至該晶片成為目標完工厚度,
在該磨削步驟中,從該帶保護部件的晶片的總厚度減去在該厚度測量步驟中測量出的該保護部件的厚度而計算該晶片的厚度,并且對該晶片的該背面?zhèn)冗M行磨削。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片的加工方法,其特征在于,
在該帶保護部件的晶片形成步驟中使用的該保護部件是通過一邊對能夠因熱而軟化的熱可塑性樹脂進行加熱一邊進行按壓而形成的單片式的片材。
3.一種保護部件粘貼裝置,其將保護部件粘貼于在正面?zhèn)染哂衅骷木脑撜鎮(zhèn)龋涮卣髟谟冢?/p>
該保護部件粘貼裝置具有:
保護部件粘貼單元,其具有支承工作臺和按壓體,該保護部件粘貼單元使用該按壓體和支承工作臺一邊對由能夠因熱而軟化的樹脂形成的該保護部件進行加熱,一邊將該保護部件向該晶片的該正面?zhèn)冗M行按壓,從而將該保護部件粘貼于該晶片的該正面?zhèn)榷纬蓭ПWo部件的晶片;
厚度測量單元,其具有厚度測量器并對該帶保護部件的晶片中的該保護部件的厚度進行測量;以及
發(fā)送部,其用于將該厚度測量單元所測量出的該保護部件的厚度的信息發(fā)送到該保護部件粘貼裝置的外部。
4.一種加工裝置,其具有:保護部件粘貼裝置,其將保護部件粘貼于在正面?zhèn)染哂衅骷木脑撜鎮(zhèn)龋灰约澳ハ餮b置,其對在該正面?zhèn)日迟N有該保護部件的該晶片進行磨削,其特征在于,
該保護部件粘貼裝置包含:
保護部件粘貼單元,其具有支承工作臺和按壓體,該保護部件粘貼單元使用該按壓體和支承工作臺一邊對由能夠因熱而軟化的樹脂形成的該保護部件進行加熱,一邊將該保護部件向該晶片的該正面?zhèn)冗M行按壓,從而將該保護部件粘貼于該晶片的該正面?zhèn)榷纬蓭ПWo部件的晶片;
厚度測量單元,其具有厚度測量器并對該帶保護部件的晶片中的該保護部件的厚度進行測量;以及
發(fā)送部,其用于將該厚度測量單元所測量出的該保護部件的厚度的信息發(fā)送到該磨削裝置,
該磨削裝置包含:
卡盤工作臺,其對該帶保護部件的晶片進行保持;
磨削單元,其具有圓柱狀的主軸和安裝于該主軸的下端部的圓環(huán)狀的磨削磨輪,從而對該正面?zhèn)缺辉摽ūP工作臺保持的該晶片的背面?zhèn)冗M行磨削;以及
磨削進給單元,其將該磨削單元朝向該卡盤工作臺進行磨削進給,
該加工裝置還具有控制部,該控制部具有處理器并對該磨削進給單元的動作進行控制,
該控制部具有記錄部,該記錄部記錄該厚度測量單元所測量出的該保護部件的厚度的信息、該帶保護部件的晶片的總厚度的信息以及該晶片的磨削后的目標完工厚度的信息,
通過從該帶保護部件的晶片的總厚度減去該保護部件的厚度而計算該晶片的厚度,并且對該磨削進給單元的動作進行控制而對該晶片的該背面?zhèn)冗M行磨削,從而對該晶片進行磨削直至該晶片達到該目標完工厚度。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





