[發明專利]校準OM和SEM坐標關系的方法和裝置、設備和存儲介質

有效

• 申請號: 202110607323.7
• 申請日: 2021-06-01
• 公開（公告）號: CN113379692B
• 公開（公告）日: 2022-10-21
• 發明（設計）人: 甘遠;薛磊;韓春營;俞宗強;蔣俊海
• 申請（專利權）人: 中科晶源微電子技術（北京）有限公司
• 主分類號: G06T7/00
• 分類號: G06T7/00;G06T7/62;G06T7/73;G06V10/74
• 代理公司: 北京市鼎立東審知識產權代理有限公司 11751
• 代理人: 陳佳妹;朱慧娟

本申請公開了一種校準OM和SEM坐標關系的方法，該校準OM和SEM坐標關系的方法包括讀取由同一標準片中選取的同一標記點在工作臺上的位置和標記圖案，在OM模式下獲取OM圖像，根據OM標記圖案和OM圖像得到第一標記點偏移量，在SEM模式下獲取SEM圖像，SEM圖像為控制工作臺移動至第二位置處后拍照得到的圖像，根據SEM標記圖案和SEM圖像得到第二標記點偏移量，通過第一標記點偏移量和第二標記點偏移量得到OM和SEM坐標關系。這樣針對半導體制造過程中電子束檢測與特征尺寸測量之前的校準過程進行了自動化處理，該方法不僅排除了人為因素以及環境因素（溫度等）的影響，還提高了檢測效率。

技術領域

本公開涉及半導體制造和檢測技術領域，尤其涉及一種校準OM和SEM坐標關系的方法和裝置、設備和存儲介質。

背景技術

近年來，隨著物聯網以及人工智能等新技術的發展，半導體芯片的需求量與日俱增，芯片制程工藝也越來越精細。日漸精細的生產工藝會降低芯片功率，同樣也會限制半導體制造的生產良率。在28nm以下技術節點的半導體制造流程中，通過電子束缺陷檢測（EBI）的手段，能夠有效提高生產良率。在進行電子束缺陷檢測之前，對于EBI設備的校準必不可少，這一步驟會直接影響缺陷檢測結果，尤其是對EBI設備的光學顯微鏡系統（OM）和掃描電子顯微鏡系統（SEM）坐標關系的校準。一般情況下，EBI設備的OM和SEM坐標關系的校準主要是通過人工來完成，這種方式不僅耗時耗力，而且容易出現人為因素帶來的偏差。

發明內容

有鑒于此，本公開提出了一種校準OM和SEM坐標關系的方法，包括：

讀取由同一標準片中選取的同一標記點在工作臺上的位置和標記圖案；

其中，所述標記點在所述工作臺上的位置包括：OM模式下的第一位置和SEM模式下的第二位置；

所述標記圖案包括：OM模式下的OM標記圖案和SEM模式下的SEM標記圖案；

在OM模式下獲取OM圖像；其中，所述OM圖像為控制所述工作臺移動至所述第一位置處后拍照得到的圖像；

根據所述OM標記圖案和所述OM圖像得到第一標記點偏移量；

在SEM模式下獲取SEM圖像；所述SEM圖像為控制所述工作臺移動至所述第二位置處后拍照得到的圖像；

根據所述SEM標記圖案和所述SEM圖像得到第二標記點偏移量；

通過所述第一標記點偏移量和所述第二標記點偏移量得到所述OM和SEM坐標關系。

在一種可能的實現方式中，所述標記點為由所述標準片中選取的具有唯一標識性的圖案；

所述圖案為單個圖形和圖形陣列中的至少一種。

在一種可能的實現方式中，根據所述OM標記圖案和所述OM圖像得到第一標記點偏移量包括：

將所述OM標記圖案和所述OM圖像進行圖像匹配得到第一相似度；

根據所述第一相似度得到所述第一標記點偏移量。

在一種可能的實現方式中，根據所述SEM標記圖案和所述SEM圖像得到第二標記點偏移量包括：

將所述OM標記圖案和所述OM圖像進行圖像匹配得到第二相似度；

根據所述第二相似度得到所述第二標記點偏移量。

在一種可能的實現方式中，通過所述第一標記點偏移量和所述第二標記點偏移量得到所述OM和SEM坐標關系包括：

根據所述第一標記點偏移量的X值、所述OM圖像的像素尺寸的X值和所述OM標記圖案的位置的X值得到OM橫向偏移量；