[發明專利]量子點修飾方法

在審

• 申請號: 202110606729.3
• 申請日: 2021-05-31
• 公開（公告）號: CN113403061A
• 公開（公告）日: 2021-09-17
• 發明（設計）人: 王子琪;王士攀
• 申請（專利權）人: 廣東聚華印刷顯示技術有限公司
• 主分類號: C09K11/02
• 分類號: C09K11/02;C09K11/56;C09K11/62;C09K11/66;C09K11/88
• 代理公司: 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所 44287
• 代理人: 王徑武

本發明公開了一種量子點修飾方法，該方法通過確定介電常數小于或者等于預設數值的第一溶劑與介電常數大于預設數值的第二溶劑，根據配體、第一溶劑與第二溶劑得到介電常數為2～10的目標配體溶液，再將目標配體溶液與待修飾量子點溶液混合，得到目標量子點溶液，利用配體完成對量子點缺陷的修復處理。本發明通過根據配體、低介電常數溶劑與高介電常數溶劑得到介電常數為2～10的目標配體溶液，再將目標配體溶液與待修飾量子點溶液混合反應，得到目標量子點溶液，可以在量子點合成之后再對量子點進行配體修飾，減少了量子點表面的缺陷，提高了量子點的熒光強度。

技術領域

本發明涉及量子點領域，尤其涉及一種量子點修飾方法。

背景技術

量子點的應用不僅與其本身的材料特征、尺寸有關也與其表面的配體有關；量子點表面的配體對于相關的應用具有重要的決定作用。

需要說明的是，由于量子點在合成之后一般只能溶解于低介電常數溶液，而配體溶液一般只溶于高介電常數溶液，所以現有的量子點修飾方法只能在量子點合成前或者在量子點合成的過程中利用配體對缺陷進行修飾。但是當量子點合成之后，量子點本身表面存在大量的陽離子懸空鍵以及其他的表面缺陷，缺陷對電子進行捕獲造成非輻射復合；同時，對量子點純化時配體會脫落，導致純化后產生大量配體缺陷，此時配體無法對量子點的缺陷進行修飾，嚴重影響量子點的發光效率。

發明內容

本發明的主要目的在于提供一種量子點修飾方法，旨在解決現有量子點修飾技術不能在量子點合成之后對量子點進行配體修飾的技術問題。

為實現上述目的，本發明提供一種量子點修飾方法，所述量子點修飾方法包括以下步驟：

確定介電常數小于或者等于預設數值的第一溶劑與介電常數大于所述預設數值的第二溶劑；

根據配體、所述第一溶劑與所述第二溶劑得到介電常數為2～10的目標配體溶液；

將所述目標配體溶液與待修飾量子點溶液混合，得到目標量子點溶液。

可選地，所述根據配體、所述第一溶劑與所述第二溶劑得到介電常數為2～10的目標配體溶液的步驟包括：

將所述第一溶劑與所述第二溶劑混合，得到介電常數為2～10的混合溶劑；

將所述配體與所述混合溶劑混合，得到所述介電常數為2～10的目標配體溶液。

可選地，所述根據配體、所述第一溶劑與所述第二溶劑得到介電常數為2～10的目標配體溶液的步驟包括：

將所述配體與所述第二溶劑混合，得到配體溶液；

將所述配體溶液與所述第一溶劑混合，得到所述介電常數為2～10的目標配體溶液。

可選地，所述配體溶液的質量濃度為1～40mg/ml，所述目標配體溶液的質量濃度為1～10mg/ml。

可選地，所述第一溶劑包括辛烷、正己烷、庚烷、甲苯、氯苯、間二甲苯、鄰二甲苯和對二甲苯中的一種或多種，所述第二溶劑包括乙醇、丙酮、甲醇、正己醇和二甲基甲酰胺中的一種或多種。

可選地，所述將所述目標配體溶液與待修飾量子點溶液混合反應的步驟包括：

將所述目標配體溶液與所述待修飾量子點溶液以1:100～30:100的體積比混合反應。

可選地，所述預設數值為5，所述確定介電常數小于或者等于預設數值的第一溶劑與介電常數大于所述預設數值的第二溶劑的步驟包括：

確定介電常數小于或者等于5的所述第一溶劑與介電常數大于5的所述第二溶劑。

可選地，所述第一溶劑與所述第二溶劑的體積比為2:1。