[發(fā)明專利]存儲器器件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110606344.7
• 申請日: 2021-05-27
• 公開（公告）號: CN113327929A
• 公開（公告）日: 2021-08-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孫宏彰;江昱維;楊子慶;蔣國璋;賴升志
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/11568
• 分類號: H01L27/11568;H01L27/11582
• 代理公司: 南京正聯(lián)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32243
• 代理人: 顧伯興

1.一種存儲器器件，包括：

第一多層堆疊，設(shè)置在襯底上且包括交替堆疊的多個(gè)第一導(dǎo)電層與多個(gè)第一介電層；

溝道層，穿過多個(gè)所述第一導(dǎo)電層及多個(gè)所述第一介電層，其中所述溝道層包括彼此隔開的第一溝道部與第二溝道部；

電荷存儲層，設(shè)置在多個(gè)所述第一導(dǎo)電層與所述溝道層之間；

第一導(dǎo)電柱，設(shè)置在所述第一溝道部的一個(gè)端部與所述第二溝道部的一個(gè)端部之間；以及

第二導(dǎo)電柱，設(shè)置在所述第一溝道部的另一端部與所述第二溝道部的另一端部之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器器件，還包括：

第二多層堆疊，設(shè)置在所述襯底上且包括交替堆疊的多個(gè)第二導(dǎo)電層與多個(gè)第二介電層，其中

所述溝道層穿過多個(gè)所述第二導(dǎo)電層及多個(gè)所述第二介電層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲器器件，還包括：

第三介電層，設(shè)置在所述第一多層堆疊與所述第二多層堆疊之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器器件，其中所述電荷存儲層被所述第一導(dǎo)電柱及所述第二導(dǎo)電柱劃分成兩部分。

5.一種存儲器器件，包括：

多層堆疊，設(shè)置在襯底上且包括交替堆疊的多個(gè)導(dǎo)電層與多個(gè)介電層；

溝道層，穿過多個(gè)所述導(dǎo)電層及多個(gè)所述介電層；

電荷存儲層，設(shè)置在多個(gè)所述導(dǎo)電層與所述溝道層之間；

絕緣層，穿過多個(gè)所述導(dǎo)電層及多個(gè)所述介電層且設(shè)置在所述電荷存儲層與所述多層堆疊之間；以及

第一導(dǎo)電柱及第二導(dǎo)電柱，被所述溝道層包圍。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的存儲器器件，還包括：

第一介電層，設(shè)置在所述絕緣層與所述電荷存儲層之間；以及

第二介電層，設(shè)置在所述電荷存儲層與所述溝道層之間。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的存儲器器件，其中所述絕緣層設(shè)置在所述第一介電層與所述襯底之間、所述電荷存儲層與所述襯底之間、以及所述第二介電層與所述襯底之間。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的存儲器器件，還包括：

介電柱，其中所述絕緣層設(shè)置在所述介電柱與所述襯底之間，且所述介電柱被所述溝道層包圍并位于所述絕緣層上。

9.一種存儲器器件，包括：

多層堆疊，設(shè)置在襯底上且包括交替堆疊的多個(gè)導(dǎo)電層與多個(gè)介電層；

溝道層，穿過多個(gè)所述導(dǎo)電層及多個(gè)所述介電層；

電荷存儲層，設(shè)置在多個(gè)所述導(dǎo)電層與所述溝道層之間；

第一導(dǎo)電柱及第二導(dǎo)電柱，與所述溝道層相鄰；

第一內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，連接到所述第一導(dǎo)電柱的端部；以及

第二內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，連接到所述第二導(dǎo)電柱的端部，其中

所述第一導(dǎo)電柱的連接到所述第一內(nèi)連線結(jié)構(gòu)的所述端部與所述第二導(dǎo)電柱的連接到所述第二內(nèi)連線結(jié)構(gòu)的所述端部位于所述多層堆疊的相對側(cè)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲器器件，其中所述第一內(nèi)連線結(jié)構(gòu)及所述第二內(nèi)連線結(jié)構(gòu)分別包括導(dǎo)線。