[發(fā)明專利]半導體存儲裝置及半導體存儲裝置的制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110606127.8
• 申請日: 2021-05-26
• 公開（公告）號: CN114188344A
• 公開（公告）日: 2022-03-15
• 發(fā)明（設計）人: 吉水康人;中木寬;中島一明
• 申請（專利權）人: 鎧俠股份有限公司
• 主分類號: H01L27/1157
• 分類號: H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11582;H01L27/11524;H01L27/11529;H01L27/11531;H01L27/11556
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 張軼楠;段承恩

1.一種半導體存儲裝置，具備：

多個第1布線層，其在第1方向上層疊；

第1柱，其在所述多個第1布線層的內部沿著所述第1方向延伸，包含第1半導體層；

第2布線層，其配置在所述第1半導體層的上端的上方，沿著與所述第1方向交叉的第2方向延伸；

半導體含有層，其具有第1部分、第2部分以及第3部分，所述第1部分配置在所述第1半導體層的上端與所述第2布線層的底面之間，所述第2部分與所述第1部分相接，沿著所述第2布線層的側面設置，所述第3部分與所述第2部分的上端相接，沿著與所述第1方向交叉的方向延伸；以及

第1絕緣層，其配置在所述第1部分與所述第2布線層之間以及所述第2部分與所述第2布線層之間，

所述第3部分的至少上表面含有金屬。

2.根據(jù)權利要求1所述的半導體存儲裝置，

所述第3部分包含硅化物。

3.根據(jù)權利要求1或者2所述的半導體存儲裝置，

還具備金屬層，所述金屬層層疊在所述第3部分的上表面。

4.根據(jù)權利要求1或者2所述的半導體存儲裝置，

所述第3部分的厚度比所述第2部分的厚度厚。

5.根據(jù)權利要求1或者2所述的半導體存儲裝置，

所述第3部分的上表面的周長為所述第3部分的下表面的周長以上。

6.根據(jù)權利要求1或者2所述的半導體存儲裝置，

還具備第1導電體，所述第1導電體與所述第3部分電連接，在所述第3部分的上方沿著所述第1方向延伸，

所述第3部分的上表面的周長比所述第1導電體的周長長。

7.根據(jù)權利要求1或者2所述的半導體存儲裝置，還具備：

第2柱，其在所述多個第1布線層的內部沿著所述第1方向延伸，包含第2半導體層；和

第3布線層，其配置在所述第2半導體層的上端的上方，沿著所述第2方向延伸，

所述半導體含有層還具有第4部分和第5部分，所述第4部分配置在所述第2半導體層的上端與所述第3布線層的底面之間，所述第5部分從所述第4部分朝向所述第3部分沿著所述第2布線層的側面延伸。

8.一種半導體存儲裝置的制造方法，包括：

將導電層或者犧牲層、和絕緣層在第1方向上交替地層疊的工序；

在層疊而成的層疊體形成沿著第1方向延伸的孔，在所述孔的內部形成包含第1半導體層的第1柱的工序；

在所述第1柱上層疊第1絕緣層，在第1絕緣層形成槽的工序；

通過在所述槽形成第2半導體層之后，對其一部分進行氧化，而在所述第1半導體層上形成半導體含有層的工序；

在所述槽形成第2布線層的工序；以及

使所述半導體含有層的一部分露出，使所露出的部分的半導體與金屬化合的工序。

9.根據(jù)權利要求8所述的半導體存儲裝置的制造方法，

使所述第2布線層與所述半導體含有層同時與金屬化合。