[發明專利]測試三維存儲器單元陣列的方法和存儲器電路

在審

• 申請號: 202110603735.3
• 申請日: 2021-05-31
• 公開（公告）號: CN113380313A
• 公開（公告）日: 2021-09-10
• 發明（設計）人: 吳昭誼;呂士濂;楊世海
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G11C29/08
• 分類號: G11C29/08;G11C29/50;G11C11/34;G11C29/12
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種測試三維(3D)存儲器單元陣列的方法，所述方法包括：

將數據寫入所述3D存儲器單元陣列中的存儲器單元的每個層；

在至少所述3D存儲器單元陣列的第一支列中同時執行每個存儲器單元的讀取操作，所述第一支列包括在所述3D存儲器單元陣列的每個對應層上的存儲器單元；

確定所述3D存儲器單元陣列中的存儲器單元是否響應于所述讀取操作而發生故障；以及

響應于確定所述3D存儲器單元陣列中的所述存儲器單元發生故障，用備用存儲器單元替換所述3D存儲器單元陣列中的至少一個故障存儲器單元。

2.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在用所述備用存儲器單元替換所述3D存儲器單元陣列中的至少一個故障存儲器單元之后，同時執行所述3D存儲器單元陣列的所述第一支列中的每個存儲器單元的另外讀取操作。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，同時執行所述3D存儲器單元陣列的所述第一支列中的每個存儲器單元的所述讀取操作包括：

測量所述3D存儲器單元陣列的所述第一支列中的每個存儲器單元的總讀取電流。

4.根據權利要求3所述的方法，其中，確定所述3D存儲器單元陣列中的所述存儲器單元是否發生故障還包括：

確定所述3D存儲器單元陣列的所述第一支列中的每個存儲器單元的所述總讀取電流不等于預期總讀取電流。

5.根據權利要求4所述的方法，還包括：

執行所述3D存儲器單元陣列的第一層中的每個存儲器單元的讀取操作，其中，執行所述3D存儲器單元陣列的所述第一層中的每個存儲器單元的所述讀取操作包括：

測量所述3D存儲器單元陣列的所述第一層中的每個存儲器單元的第一讀取電流，以及以下操作中的至少一項：

響應于所述3D存儲器單元陣列的所述第一層中的每個存儲器單元的所述第一讀取電流不等于第一預期讀取電流，確定所述3D存儲器單元陣列的所述第一層中的第一存儲器單元發生故障；或者

響應于所述3D存儲器單元陣列的所述第一層中的每個存儲器單元的所述第一讀取電流等于所述第一預期讀取電流，確定所述3D存儲器單元陣列的所述第一層中沒有存儲器單元發生故障。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，執行所述3D存儲器單元陣列的所述第一層中的每個存儲器單元的所述讀取操作包括：

響應于3D存儲器單元陣列的所述第一層中的每個字線上的第一字線電壓，啟用所述3D存儲器單元陣列的所述第一層中的每行存儲器單元；和

響應于所述3D存儲器單元陣列的所述第一層中的每個位線上的第一位線電壓和所述3D存儲器單元陣列的所述第一層中的每個源極線上的第一源極線電壓，啟用所述3D存儲器單元陣列的所述第一層中的每列存儲器單元。

7.根據權利要求6所述的方法，其中，執行所述3D存儲器單元陣列的所述第一層中的每個存儲器單元的所述讀取操作還包括：

響應于所述3D存儲器單元陣列的其他層中的每個字線上的第二字線電壓，禁用所述3D存儲器單元陣列的其他層中的每行存儲器單元；和

響應于所述3D存儲器單元陣列的其他層中的每個位線上的第二位線電壓和所述3D存儲器單元陣列的其他層中的每個源極線上的第二源極線電壓，禁用所述3D存儲器單元陣列的其他層中的每列存儲器單元。