[發(fā)明專利]半導(dǎo)體成膜APCVD機(jī)臺工藝腔體干濕結(jié)合的保養(yǎng)方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110600973.9
• 申請日: 2021-05-31
• 公開（公告）號: CN113463068B
• 公開（公告）日: 2023-04-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 翁劍峰;賀賢漢
• 申請（專利權(quán)）人: 上海中欣晶圓半導(dǎo)體科技有限公司
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44
• 代理公司: 上海申浩律師事務(wù)所 31280
• 代理人: 趙建敏

本發(fā)明公開了半導(dǎo)體成膜APCVD機(jī)臺工藝腔體干濕結(jié)合的保養(yǎng)方法，主要是在普通氮氣加氫氟酸腐蝕干法吹掃的基礎(chǔ)上在前期加入了獨特的濕法工藝，使得氫氟酸在濕法過程中能腐蝕70％的沉積在工藝腔體內(nèi)的SiO₂粉的殘余量，再結(jié)合原有的干法腐蝕；這樣就能使得沉積在工藝腔體內(nèi)的SiO₂粉被清除得更為徹底；這種干濕結(jié)合的保養(yǎng)方法是該機(jī)器的保養(yǎng)首創(chuàng)，并通過反復(fù)的實驗，成果顯著。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于半導(dǎo)體硅片成膜加工領(lǐng)域，具體涉及半導(dǎo)體成膜APCVD機(jī)臺工藝腔體干濕結(jié)合的保養(yǎng)方法。

背景技術(shù)

通常半導(dǎo)體常壓成膜工藝是當(dāng)半導(dǎo)體硅片在工藝腔體內(nèi)常壓高溫狀態(tài)下用化學(xué)氣相淀積方法并且通過硅烷的熱分解在硅片表面淀積成一層多晶硅薄膜，伴隨著工藝時間的推移，累計到一定工藝時間后，工藝腔體內(nèi)會沉積大量的SiO₂粉及結(jié)晶物顆粒，這些結(jié)晶顆粒不僅會污染該機(jī)臺的工藝腔體的底部腔體，使得像WAKTING-JOHNSON這種機(jī)臺的工藝腔體內(nèi)底部PURGE?FLOOR(凈化層)地板的吹氮氣的小孔會被結(jié)晶顆粒堵住，不僅會在工藝的時候影響到正常的工藝進(jìn)行而且還會在工藝的時候使得這些顆粒揚起來影響到整體成膜后的效果，使得不良品和報廢率一直居高不下。

現(xiàn)有的WATKING-JOHNSON(APCVD)機(jī)臺的保養(yǎng)法只是按照常規(guī)的機(jī)臺氫氟酸干法腐蝕，由于半導(dǎo)體硅片的成膜的膜厚不同，此類方法對于低膜厚工藝尚可，而高膜厚的工藝殘存的SiO₂顆粒會更多而且厚厚一層，普通氮氣加氫氟酸氣體干法腐蝕吹掃效果并不理想，僅靠干法腐蝕清理并不能適合機(jī)臺所承載各類半導(dǎo)體工藝的需求，會導(dǎo)致工藝周期明顯縮短，嚴(yán)重影響了機(jī)臺的產(chǎn)能以及設(shè)備的稼動率。

發(fā)明內(nèi)容

針對現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，本發(fā)明提供半導(dǎo)體成膜APCVD機(jī)臺工藝腔體干濕結(jié)合的保養(yǎng)方法，通過切實有效的干濕法相結(jié)合的保養(yǎng)，對WAKTING-JOHNSON這類APCVD(常壓化學(xué)氣相淀積)機(jī)臺進(jìn)行高效的保養(yǎng)，從而恢復(fù)機(jī)臺到工藝前的潔凈環(huán)境，大幅提高生產(chǎn)效率和切實解決現(xiàn)場半導(dǎo)體硅片工藝的不良問題。

本發(fā)明的技術(shù)方案是：半導(dǎo)體成膜APCVD機(jī)臺工藝腔體干濕結(jié)合的保養(yǎng)方法，具體步驟如下：

步驟一、準(zhǔn)備保養(yǎng)器件，所述保養(yǎng)器件包括干法腐蝕用的專用噴嘴；

步驟二、濕法腐蝕：在機(jī)臺工藝腔體內(nèi)的地板上平鋪無塵布，然后按照每平米140-180毫升的用量潑入氫氟酸，使得無塵布均勻含有一定量的氫氟酸，之后蓋上腐蝕用的專用噴嘴，進(jìn)行氫氟酸濕法腐蝕，濕法腐蝕時間至少靜置5個小時；

步驟三、濕法腐蝕完畢后拆掉腐蝕用的專用噴嘴，然后將工藝腔體稍作清理，再拿掉無塵布后，在機(jī)臺工藝腔體底層的凈化層金屬地板上按照每平米140-180毫升的用量沾上少量的純凈水，再蓋上腐蝕用的專用噴嘴使用機(jī)臺專用干法腐蝕清掃金屬履帶的管路進(jìn)行干法吹掃腐蝕；需要注意的在干法腐蝕前，必須在PURGE?FLOOR地板上灑上少量的水，這些少量的水能夠在干法吹掃氫氟酸氣體后，水里含有少量比例的氫氟酸，這樣更能有效的繼續(xù)腐蝕地板上的殘留物和堵住地板上的工藝氮氣孔洞里的硅粉。

步驟四、干法吹掃腐蝕至少15個小時后，關(guān)掉干法吹掃，拆掉專用噴嘴，開始對工藝腔體進(jìn)行保養(yǎng)。

進(jìn)一步的，步驟四中對工藝腔體進(jìn)行保養(yǎng)具體步驟如下：

步驟1、用粗砂皮打磨工藝腔體的凈化層金屬地板，將凈化層金屬地板上的剩余結(jié)晶物打磨成粉狀；

步驟2、用真空吸塵器或者真空掃除清理粉狀殘余物；

步驟3、用帶有0.8毫米的高強(qiáng)度小鉆頭的直流鉆孔器對凈化層金屬地板上的工藝氮氣孔洞進(jìn)行通孔；為的是防止顆粒堵住小孔。

步驟4、用無塵布蘸上工業(yè)酒精對凈化層金屬地板和工藝腔體周邊進(jìn)行徹底的精細(xì)清掃。