[發明專利]半導體成膜APCVD機臺工藝腔體干濕結合的保養方法有效
| 申請號： | 202110600973.9 | 申請日： | 2021-05-31 |
| 公開（公告）號： | CN113463068B | 公開（公告）日： | 2023-04-07 |
| 發明（設計）人： | 翁劍峰;賀賢漢 | 申請（專利權）人： | 上海中欣晶圓半導體科技有限公司 |
| 主分類號： | C23C16/44 | 分類號： | C23C16/44 |
| 代理公司： | 上海申浩律師事務所 31280 | 代理人： | 趙建敏 |
| 地址： | 200444 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 apcvd 機臺 工藝 干濕 結合 保養 方法 | ||
1.半導體成膜APCVD機臺工藝腔體干濕結合的保養方法，其特征在于：具體步驟如下：
步驟一、準備保養器件，所述保養器件包括干法腐蝕用的專用噴嘴；
步驟二、濕法腐蝕：在機臺工藝腔體內的地板上平鋪無塵布，然后按照每平米140-180毫升的用量潑入氫氟酸，使得無塵布均勻含有一定量的氫氟酸，之后蓋上腐蝕用的專用噴嘴，進行氫氟酸濕法腐蝕，濕法腐蝕時間至少靜置5個小時；
步驟三、濕法腐蝕完畢后拆掉腐蝕用的專用噴嘴，然后將工藝腔體稍作清理，再拿掉無塵布后，在機臺工藝腔體底層的凈化層金屬地板上按照每平米140-180毫升的用量沾上少量的純凈水，再蓋上腐蝕用的專用噴嘴使用機臺專用干法腐蝕清掃金屬履帶的管路進行干法吹掃腐蝕；
步驟四、干法吹掃腐蝕至少15個小時后，關掉干法吹掃，拆掉專用噴嘴，開始對工藝腔體進行保養；
步驟四中對工藝腔體進行保養具體步驟如下：
步驟1、用粗砂皮打磨工藝腔體的凈化層金屬地板，將凈化層金屬地板上的剩余結晶物打磨成粉狀；
步驟2、用真空吸塵器或者真空掃除清理粉狀殘余物；
步驟3、用帶有0.8毫米的高強度小鉆頭的直流鉆孔器對凈化層金屬地板上的工藝氮氣孔洞進行通孔；
步驟4、用無塵布蘸上工業酒精對凈化層金屬地板和工藝腔體周邊進行徹底的精細清掃；
采用干濕結合的保養方法保養后的機臺工藝腔體內的地板粗糙度達到8.41以下。
2.根據權利要求1所述的半導體成膜APCVD機臺工藝腔體干濕結合的保養方法，其特征在于：步驟二中，在潑入氫氟酸之前，采用多張凈化布重疊后放在專用噴嘴安裝位置的正下方的地板兩側邊緣處。
3.根據權利要求1所述的半導體成膜APCVD機臺工藝腔體干濕結合的保養方法，其特征在于：步驟二中，在潑入氫氟酸之前，相鄰機臺工藝腔體之間的平面上用凈化布平鋪。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海中欣晶圓半導體科技有限公司，未經上海中欣晶圓半導體科技有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110600973.9/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
