[發明專利]光阻去除方法

在審

• 申請號: 202110600536.7
• 申請日: 2021-05-31
• 公開（公告）號: CN113394081A
• 公開（公告）日: 2021-09-14
• 發明（設計）人: 高平義
• 申請（專利權）人: 上海華力集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/033
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 焦天雷

本發明公開了一種光阻去除方法，包括：按設計工藝形成光阻,并對光阻進行刻蝕；使用弱堿性清洗液對光阻進行預定時間的清洗去除；執行后續設計工藝步驟。本發明采用弱堿性清洗液，對DUO(以及其他光阻)及其表層堅硬的外殼進行有效清洗去除，同時和現有技術采用酸性清洗液例如DHF相比能有效地減少金屬層的損耗，進而更有利于工藝良率的優化和提升。

技術領域

本發明涉及集成電路領域，特別是涉及一種光阻去除方法。

背景技術

伴隨器件尺寸的不斷縮小，柵極介質的厚度不斷減薄，柵極的漏電流也隨之增大，在5nm以下，由于電子的隧穿效應，SiO2作為柵極介質所產生的漏電流已經無法接受。采用高介電常數(high-k)介質取代SiO2看可以有效降低等效二氧化硅絕緣厚度，同時可得到較大的柵極介質的物理厚度，從而在源頭堵住柵極漏電。目前在32nm節點中可以采用先柵極(gate-first)工藝和后柵極(gate-last)工藝兩種制程來獲得高介電常數金屬柵極(HKMG：High-K Metal Gate)結構。在28nm HK后柵極工藝，即替代金屬柵(RMG：Replacement MetalGate)工藝中，High-K材料不用經歷高溫過程，可以有效降低閾值電壓Vt的漂移，從而提高器件的可靠性，但是RMG工藝需包含更多工藝步驟，給制造帶來更多的挑戰。

在HKMG半導體制造工藝中，DUO(以及其他光阻)在經過刻蝕后表層會形成一層堅硬的外殼，導致在后續清洗工藝中使用單純的solvent難以將其完全去除干凈，在現有工藝中先用DHF進行pre treatment可以去除表層硬殼，但是在清洗過程中DHF會接觸到底部的金屬層，存在金屬層損耗的風險。

因此，需要一種新的光阻清洗方案，不僅可以有效的去除DUO表層的硬殼，同時和DHF相比可以有效地減少金屬層的損耗，進而更有利于工藝良率的優化和提升。

發明內容

在發明內容部分中引入了一系列簡化形式的概念,該簡化形式的概念均為本領域現有技術簡化，這將在具體實施方式部分中進一步詳細說明。本發明的發明內容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護的技術方案的關鍵特征和必要技術特征，更不意味著試圖確定所要求保護的技術方案的保護范圍。

本發明要解決的技術問題是提供一種能有效的去除DUO表層的硬殼，同時和DHF相比能有效地減少金屬層損耗的光阻去除方法。

為解決上述技術問題，本發明提供的光阻去除方法，包括以下步驟：

S1，按設計工藝形成光阻,并對光阻進行刻蝕；

S2，使用弱堿性清洗液對光阻進行預定時間的清洗去除；

S3，執行后續設計工藝步驟。

可選擇的，進一步改進所述的光阻去除方法，所述弱堿性清洗液是氨水。

可選擇的，進一步改進所述的光阻去除方法，實施步驟S2時，氨水濃度為10％-20％。

其中，氨水濃度優選為10％、11％、12％、13％、14％、15％、16％、17％、18％、19％或20％。

可選擇的，進一步改進所述的光阻去除方法，實施步驟S2時，清洗時間范圍為30秒-60秒。

其中，清洗時間優選為30秒、35秒、40秒、45秒、50秒、55秒或60秒。

可選擇的，進一步改進所述的光阻去除方法，實施步驟S2時，氨水濃流量為1000ml/min-2000ml/min；

其中，氨水濃流量優選為1000ml/min、1100ml/min、1200ml/min、1300ml/min、1400ml/min、1500ml/min、1600ml/min、1700ml/min、1800ml/min、1900ml/min或2000ml/min。