[發明專利]光阻去除方法在審
| 申請號： | 202110600536.7 | 申請日： | 2021-05-31 |
| 公開（公告）號： | CN113394081A | 公開（公告）日： | 2021-09-14 |
| 發明（設計）人： | 高平義 | 申請（專利權）人： | 上海華力集成電路制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/027 | 分類號： | H01L21/027;H01L21/033 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 去除 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種光阻去除方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1，按設計工藝形成光阻,并對光阻進行刻蝕；
S2，使用弱堿性清洗液對光阻進行預定時間的清洗去除；
S3，執行后續設計工藝步驟。
2.如權利要求1所述的光阻去除方法，其特征在于：所述弱堿性清洗液是氨水。
3.如權利要求2所述的光阻去除方法，其特征在于：實施步驟S2時，氨水濃度為10％-20％。
4.如權利要求2所述的光阻去除方法，其特征在于：實施步驟S2時，清洗時間范圍為30秒-60秒。
5.如權利要求2所述的光阻去除方法，其特征在于：實施步驟S2時，氨水濃流量為1000ml/min-2000ml/min。
6.如權利要求1所述的光阻去除方法，其特征在于：實施步驟S2時，清洗溫度范圍為40攝氏度-70攝氏度。
7.如權利要求1-6任意一項所述的光阻去除方法，其特征在于：其能用于32nm、28nm、22nm、20nm以及小于16nm工藝的光阻清洗。
8.如權利要求1-6任意一項所述的光阻去除方法，其特征在于：其能用于邏輯器件或存儲器件的光阻清洗去除。
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
