[發(fā)明專利]芯片轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)、制作芯片轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)的系統(tǒng)及方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110596506.3 | 申請日: | 2021-05-28 |
| 公開(公告)號: | CN115483318A | 公開(公告)日: | 2022-12-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王斌;蕭俊龍;范春林;汪慶 | 申請(專利權(quán))人: | 重慶康佳光電技術(shù)研究院有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/00 | 分類號: | H01L33/00;H01L21/67;H01L27/15 |
| 代理公司: | 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240 | 代理人: | 王曉玲 |
| 地址: | 402760 重慶市璧*** | 國省代碼: | 重慶;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 芯片 轉(zhuǎn)移 結(jié)構(gòu) 制作 系統(tǒng) 方法 | ||
本申請涉及一種芯片轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)、制作芯片轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)的系統(tǒng)及方法。該系統(tǒng)包括:承載單元,用于承載一待處理基材;激光單元,用于輻照預(yù)設(shè)波長之激光至待處理基材;控制單元,與激光單元電連接,用于控制激光按照預(yù)定路徑輻照待處理基材,以使待處理基材表面經(jīng)由激光的燒蝕后形成若干呈陣列分布的凸起,各凸起的尺寸與待轉(zhuǎn)移芯片之尺寸相當(dāng)。采用上述系統(tǒng),通過控制單元控制激光按照預(yù)定路徑對待處理基材進(jìn)行輻照,形成與待轉(zhuǎn)移芯片之尺寸相當(dāng)?shù)某赎嚵蟹植嫉耐蛊穑瑥亩梢愿鶕?jù)生長基板上預(yù)轉(zhuǎn)移的芯片或目標(biāo)背板上芯片的轉(zhuǎn)移區(qū)域設(shè)計(jì)預(yù)定路徑,使制作得到的芯片轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)具有靈活的排列方式,實(shí)現(xiàn)了不同芯片排列組合快速切換,提高了制作工藝的實(shí)用性。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請涉及芯片巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種芯片轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)、制作芯片轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)的系統(tǒng)及方法。
背景技術(shù)
微型發(fā)光二級管(Micro Light Emitting Diode,Micro-LED)是新興的顯示技術(shù),相對比常規(guī)的顯示技術(shù),以Micro-LED技術(shù)為核心的顯示具有響應(yīng)速度快,自主發(fā)光、對比度高、使用壽命長、光電效率高等特點(diǎn)。
在Micro-LED產(chǎn)業(yè)技術(shù)中巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)為核心關(guān)鍵技術(shù),通過高精度設(shè)備將大量Micro-LED晶粒轉(zhuǎn)移到目標(biāo)基板或者電路上。其中,巨轉(zhuǎn)成本、良率、精度是巨量轉(zhuǎn)移成功的關(guān)鍵。
采用印章轉(zhuǎn)移是目前巨量轉(zhuǎn)移中應(yīng)用廣泛的一種轉(zhuǎn)移方式,其利用基材粘附力將芯片拾取以實(shí)現(xiàn)巨量轉(zhuǎn)移,但在在實(shí)際應(yīng)用中會采用平片式芯片轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)或凸塊式芯片轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)將芯片轉(zhuǎn)移,在實(shí)際應(yīng)用中凸塊式芯片轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)芯片固定行列芯片選擇更具有前景。
凸塊式印章通常采用轉(zhuǎn)印技術(shù)等方式制備,需要先制備高精度模板,該模板成本高昂,制作周期長,且不同芯片排列方式需重新設(shè)計(jì)制作,由此導(dǎo)致印章成本高昂,適用性差等問題。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的不足,本申請的目的在于提供一種芯片轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)、制作芯片轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)的系統(tǒng)及方法,旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中芯片轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)制作工藝成本高且適用性差的問題。
一種制作芯片轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)的系統(tǒng),其包括:
承載單元,用于承載一待處理基材;
激光單元,用于輻照預(yù)設(shè)波長之激光至待處理基材;
控制單元,與激光單元電連接,用于控制激光按照預(yù)定路徑輻照待處理基材,以使待處理基材表面經(jīng)由激光的燒蝕后形成若干呈陣列分布的凸起,各凸起的尺寸與待轉(zhuǎn)移芯片之尺寸相當(dāng)。
采用本申請的上述制作芯片轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)的系統(tǒng),能夠通過控制單元控制激光按照預(yù)定路徑對待處理基材進(jìn)行輻照,以形成與待轉(zhuǎn)移芯片之尺寸相當(dāng)?shù)娜舾沙赎嚵蟹植嫉耐蛊穑瑥亩梢愿鶕?jù)生長基板上預(yù)轉(zhuǎn)移的芯片或目標(biāo)背板上的芯片轉(zhuǎn)移區(qū)域設(shè)計(jì)預(yù)定路徑,使制作得到的芯片轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)具有靈活的排列方式,實(shí)現(xiàn)了不同芯片排列組合快速切換,提高了制作工藝的實(shí)用性,且與現(xiàn)有技術(shù)相比,無需依據(jù)目標(biāo)背板單獨(dú)制備高精度模板,降低了工藝成本。
可選地,上述待轉(zhuǎn)移芯片的尺寸為微米級或亞微米級。本申請的上述系統(tǒng)能夠制作出與上述芯片尺寸相當(dāng)?shù)奈⒚准壔騺單⒚准壍耐蛊穑剐酒D(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)能夠適用于對Micro-LED晶粒的轉(zhuǎn)移。
可選地,上述控制單元還包括:存儲模塊,用于存儲控制單元的可執(zhí)行指令;處理器,被配置為執(zhí)行實(shí)現(xiàn)以下功能的指令:控制激光按照預(yù)定路徑輻照待處理基材。
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