[發明專利]芯片轉移結構、制作芯片轉移結構的系統及方法

在審

• 申請號: 202110596506.3
• 申請日: 2021-05-28
• 公開（公告）號: CN115483318A
• 公開（公告）日: 2022-12-16
• 發明（設計）人: 王斌;蕭俊龍;范春林;汪慶
• 申請（專利權）人: 重慶康佳光電技術研究院有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L21/67;H01L27/15
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 王曉玲

1.一種制作芯片轉移結構的系統，其特征在于，包括：

承載單元，用于承載一待處理基材；

激光單元，用于輻照預設波長之激光至所述待處理基材；

控制單元，與所述激光單元電連接，用于控制所述激光按照預定路徑輻照所述待處理基材，以使所述待處理基材表面經由所述激光的燒蝕后形成若干呈陣列分布的凸起，各所述凸起的尺寸與待轉移芯片之尺寸相當。

2.如權利要求1所述的制作芯片轉移結構的系統，其特征在于，所述待轉移芯片的尺寸為微米級或亞微米級。

3.如權利要求1所述的制作芯片轉移結構的系統，其特征在于，所述控制單元包括：

存儲模塊，用于存儲所述控制單元的可執行指令；

處理器，被配置為執行實現以下功能的所述指令：控制所述激光按照預定路徑輻照所述待處理基材。

4.如權利要求1至3中任一項所述的制作芯片轉移結構的系統，其特征在于，所述控制單元包括：

圖像獲取模塊，用于獲取目標圖像，其中，所述目標圖像包含與所述凸起對應的圖形；

識別模塊，與所述圖像獲取模塊電連接，用于從所述目標圖像中識別出輻照所述待處理基材的第一預定路徑信息；

焦點控制模塊，分別與所述識別模塊和所述激光單元電連接，用于根據所述第一預定路徑信息控制所述激光的焦點移動，以將所述待處理基材燒蝕后形成與所述圖形對應的所述凸起。

5.如權利要求4所述的制作芯片轉移結構的系統，其特征在于，所述激光單元包括：

激光器組件，用于發射所述激光；

聚焦組件，設置于所述激光器組件的出光側，用于接收所述激光并將所述激光的焦點聚焦至所述待處理基材。

6.如權利要求4所述的制作芯片轉移結構的系統，其特征在于，所述控制單元還包括：

定位模塊，用于獲取所述待處理基材表面上預形成所述凸起的位置信息，以生成第二預定路徑信息；

所述焦點控制模塊還與所述定位模塊電連接，用于根據所述第二預定路徑信息控制所述焦點移動，以將所述待處理基材燒蝕后形成所述凸起。

7.如權利要求5所述的制作芯片轉移結構的系統，其特征在于，所述控制單元還包括：

調整模塊，與所述激光器組件電連接，用于根據所述待處理基材的材料種類調整所述激光器組件的工藝參數，以將所述待處理基材燒蝕后得到所述凸起。

8.如權利要求7所述的制作芯片轉移結構的系統，其特征在于，所述工藝參數包括輻照時間，所述控制單元還包括：

關系獲取模塊，用于獲取所述輻照時間與所述凸起的目標高度之間的關系；

所述調整模塊還與所述關系獲取模塊電連接，用于依據所述關系調整所述輻照時間，以使所述凸起達到所述目標高度。

9.一種制作芯片轉移結構的方法，其特征在于，包括以下步驟：

在基底上形成待處理基材；

將所述基底轉移至權利要求1至8中任一項所述的制作芯片轉移結構的系統中的承載單元中，采用所述系統對所述待處理基材進行輻照，以使所述待處理基材表面經由所述激光的燒蝕后形成若干呈陣列分布的凸起，各所述凸起的尺寸與待轉移芯片之尺寸相當。

10.一種芯片轉移結構，其特征在于，所述芯片轉移結構由權利要求9所述的制作芯片轉移結構的方法制備而成。