[發明專利]一種硅片激光退火定位設備及其使用方法

有效

• 申請號: 202110596137.8
• 申請日: 2021-05-30
• 公開（公告）號: CN113488404B
• 公開（公告）日: 2023-01-13
• 發明（設計）人: 周洪
• 申請（專利權）人: 深圳市嘉偉億科技有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/68;H01L21/268
• 代理公司: 深圳峰誠志合知識產權代理有限公司 44525
• 代理人: 趙愛婷

本發明公開了一種硅片激光退火定位設備及其使用方法，屬于半導體制造技術領域，包括定位板以及設置在所述定位板上的吸附區域和壓力感應區域，所述吸附區域位于所述壓力感應區域的中心，所述硅片通過吸附區域吸附后，所述硅片部分落入所述壓力感應區域內從而感應所述硅片的平面位置。本發明設備可以在硅片進行激光退火前，快速對硅片進行定位，減少芯片的生產工藝流程，減少生產成本。

技術領域

本發明屬于半導體制造技術領域，具體涉及一種硅片激光退火定位設備及其使用方法。

背景技術

在激光退火工藝中，硅片在定位夾緊后，需要對硅片的位置進行準確地識別，以確保激光退火工藝精度。如果無法辨別硅片和吸盤的位置，硅片邊緣提取精度低，導致硅片對準成功率較低，則需要反復多次調試校準，硅片與吸盤對準效率低，影響激光退火設備產能。

公告號為CN112117209A的發明申請公開了一種硅片吸附裝置及激光退火設備，該硅片吸附裝置具有能夠吸附硅片的吸附面，還包括標識差異件，標識差異件設置在硅片吸附裝置上，用于形成標識區域。但是發明裝置中，在形成標識區域后，還需要通過檢測裝置識別該標識區域，才能準確提取硅片邊緣的位置精度，增加了生產工藝流程，提高了產品交付期限，還增加了芯片的生產成本。

發明內容

有鑒于此，本發明的目的在于提供一種硅片激光退火定位設備及其使用方法，可以在硅片進行激光退火前，快速對硅片進行定位，減少芯片的生產工藝流程，減少生產成本。

為達到上述目的，本發明提供如下技術方案：

本發明一種硅片激光退火定位設備，包括定位板以及設置在所述定位板上的吸附區域和壓力感應區域，所述吸附區域位于所述壓力感應區域的中心，所述硅片通過吸附區域吸附后，所述硅片部分落入所述壓力感應區域內從而感應所述硅片的平面位置。

進一步，所述壓力感應區域包括若干壓力感應探針，所述壓力感應探針的一端連接至定位板，另一端沿定位板的法向向外延伸以承接所述硅片所述壓力感應探針連接至計算機，將所有壓力感應探針編號，每一壓力感應探針對應一個壓力輸出信號，硅片所處位置與所在區域的壓力感應探針對應。

進一步，所述壓力感應探針可沿其軸向伸縮。

進一步，所述壓力感應探針包括內桿、外桿、壓力傳感器和彈性支撐裝置，所述壓力傳感器位于所述外桿內側底部，所述內桿滑動設置在所述外桿內，所述內桿的內端通過彈性支撐裝置連接至所述壓力傳感器。

進一步，所述內桿的外端轉動設置有一球體，所述內桿上開設有與所述球體配合的球槽。

進一步，所述內桿的下部外側開設有若干條形透氣槽，所述條形透氣槽沿著內桿的軸向布置，所述條形透氣槽從外桿的外側延伸至外桿的內側將外桿的內腔與外側連通。

進一步，所述定位板上開設有與所述外桿的內腔連通的螺紋孔，所述螺紋孔內螺紋連接有一螺紋桿，所述螺紋桿的上端與所述壓力傳感器抵接。

進一步，所述硅片激光退火定位設備還包括安裝支架和吸附伸縮組件，所述安裝支架與所述定位板固定連接，所述安裝支架位于背離壓力感應區域一側，所述定位板上開設有供所述吸附區域通過的通孔，所述吸附伸縮組件用于控制所述吸附區域沿著定位板的法向移動。

進一步，所述吸附區域包括吸附腔體、環形布置于所述吸附腔體外側的若干吸嘴、連通所述吸附腔體和吸嘴的負壓裝置，所述負壓裝置與所述吸附伸縮組件傳動連接。

一種硅片激光退火定位設備的使用方法，采用上述所述的硅片激光退火定位設備，硅片吸附前，預設吸附區域所在位置，使得吸附平面低于壓力感應探針的感應平面；通過吸附區域將硅片吸附，硅片在吸附區域的作用下作用于壓力感應探針，使得壓力感應探針壓縮，通過計算機得到硅片的位置信息；通過吸附伸縮組件控制吸附區域向外伸出，使得吸附平面遠離壓力感應探針的感應平面，隨后即可進行激光退火操作。