[發明專利]量子點發光器件、其制作方法及顯示裝置

在審

• 申請號: 202110594208.0
• 申請日: 2021-05-28
• 公開（公告）號: CN113314678A
• 公開（公告）日: 2021-08-27
• 發明（設計）人: 朱友勤;李東;陳卓
• 申請（專利權）人: 北京京東方技術開發有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/56;H01L27/32
• 代理公司: 北京市立方律師事務所 11330
• 代理人: 張筱寧;王存霞

本申請實施例提供了一種量子點發光器件、其制作方法及顯示裝置。該量子點發光器件包括襯底以及在遠離襯底的方向上依次排列的第一電極層、電子傳輸層、量子點發光層、空穴傳輸層、空穴注入層以及第二電極層；電子傳輸層的材料為金屬氧化物；量子點發光層包括量子點和連接在量子點表面的吸電配體，吸電配體包括位于量子點遠離電子傳輸層一側的吸電子基團；空穴傳輸層的材料的側鏈帶有給電子基團，吸電子基團和給電子基團相互作用形成偶極子。本實施例利用這些形成的偶極子減小量子點發光層和空穴傳輸層之間的勢壘，能夠有效平衡電子遷移率和空穴遷移率，抑制俄歇復合，有效提升量子點發光器件的發光效率和壽命。

技術領域

本申請涉及顯示技術領域，具體而言，本申請涉及一種量子點發光器件、其制作方法及顯示裝置。

背景技術

量子點因其發光峰位可以橫跨深藍至近紅外波段區域，發光半高寬較窄的特點，而應用到具有廣色域的高品質顯示器件中。對于量子點電致發光器件而言，由于電子傳輸層通常采用的金屬氧化物，具有較大的電子遷移率且與量子點之間的注入勢壘較小；而空穴傳輸層則通常采用有機物空穴遷移率相對較低且與量子點之間的注入勢壘較大。

以上因素使得在量子點電致發光器件中，電子傳輸速度比空穴傳輸速度快得多，導致量子點帶負電，產生俄歇復合，限制了QLED器件的效率和壽命。

發明內容

本申請提供一種量子點發光器件、其制作方法及顯示裝置，能夠在不降低電子傳輸能力的前提下，提高空穴的傳輸能力，有助于改善平衡空穴與電子傳輸能力，抑制俄歇復合，提升QLED器件的效率和壽命。

第一個方面，本申請實施例提供了一種量子點發光器件，包括依次排列的第一電極層、電子傳輸層、量子點發光層、空穴傳輸層、空穴注入層以及第二電極層；

所述電子傳輸層的材料為金屬氧化物；

所述量子點發光層包括量子點和連接在所述量子點表面的吸電配體，所述吸電配體包括位于量子點遠離所述電子傳輸層一側的吸電子基團；

所述空穴傳輸層的材料的側鏈帶有給電子基團，所述吸電子基團和所述給電子基團相互作用形成偶極子。

可選地，所述電子傳輸層的材料包括ZnO或ZnMgO。

可選地，所述吸電子基團包括-F、-Cl、-CN、-NO₂、-ClO₃、-ClO₂以及-ClO中的至少一種。

可選地，所述給電子基團包括二烷基氨基、烷基氨基、氨基、羥基、烷氧基以及硝基中的至少一種。

可選地，所述第一電極層的材料包括氧化銦錫，所述第二電極層的材料包括銀。

第二個方面，本申請實施例提供了一種量子點顯示裝置，包括襯底基板和多個陣列排布的上述的量子點發光器件。

第三個方面，本申請實施例提供了一種量子點發光器件的制作方法，包括：

在襯底上依次形成第一電極層和電子傳輸層；

在所述電子傳輸層遠離所述襯底的一側以形成量子點發光層，所述量子點發光層包括量子點和連接在所述量子點表面的吸電配體，所述吸電配體包括位于量子點遠離所述電子傳輸層一側的吸電子基團；

在所述量子點發光層遠離所述襯底的一側形成空穴傳輸層，所述空穴傳輸層的材料的側鏈帶有給電子基團，所述吸電子基團和所述給電子基團相互作用形成偶極子；

在所述空穴傳輸層遠離所述襯底的一側依次形成空穴注入層和第二電極層。

可選地，在所述電子傳輸層遠離所述襯底的一側以形成量子點發光層，包括：

利用表面連接有原始配體的量子點材料在所述電子傳輸層遠離所述襯底的一側以形成原始量子點層；