[發(fā)明專利]量子點(diǎn)發(fā)光器件、其制作方法及顯示裝置

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110594208.0
• 申請(qǐng)日: 2021-05-28
• 公開（公告）號(hào): CN113314678A
• 公開（公告）日: 2021-08-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱友勤;李東;陳卓
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京京東方技術(shù)開發(fā)有限公司;京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/50
• 分類號(hào): H01L51/50;H01L51/56;H01L27/32
• 代理公司: 北京市立方律師事務(wù)所 11330
• 代理人: 張?bào)銓?王存霞

1.一種量子點(diǎn)發(fā)光器件，其特征在于，包括依次排列的第一電極層、電子傳輸層、量子點(diǎn)發(fā)光層、空穴傳輸層、空穴注入層以及第二電極層；

所述電子傳輸層的材料為金屬氧化物；

所述量子點(diǎn)發(fā)光層包括量子點(diǎn)和連接在所述量子點(diǎn)表面的吸電配體，所述吸電配體包括位于量子點(diǎn)遠(yuǎn)離所述電子傳輸層一側(cè)的吸電子基團(tuán)；

所述空穴傳輸層的材料的側(cè)鏈帶有給電子基團(tuán)，所述吸電子基團(tuán)和所述給電子基團(tuán)相互作用形成偶極子。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)發(fā)光器件，其特征在于，所述電子傳輸層的材料包括ZnO或ZnMgO。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)發(fā)光器件，其特征在于，所述吸電子基團(tuán)包括-F、-Cl、-CN、-NO₂、-ClO₃、-ClO₂以及-ClO中的至少一種。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)發(fā)光器件，其特征在于，所述給電子基團(tuán)包括二烷基氨基、烷基氨基、氨基、羥基、烷氧基以及硝基中的至少一種。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)發(fā)光器件，其特征在于，所述第一電極層的材料包括氧化銦錫，所述第二電極層的材料包括銀。

6.一種量子點(diǎn)顯示裝置，其特征在于，包括襯底基板，和多個(gè)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的量子點(diǎn)發(fā)光器件。

7.一種量子點(diǎn)發(fā)光器件的制作方法，其特征在于，包括：

在襯底上依次形成第一電極層和電子傳輸層；

在所述電子傳輸層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)以形成量子點(diǎn)發(fā)光層，所述量子點(diǎn)發(fā)光層包括量子點(diǎn)和連接在所述量子點(diǎn)表面的吸電配體，所述吸電配體包括位于量子點(diǎn)遠(yuǎn)離所述電子傳輸層一側(cè)的吸電子基團(tuán)；

在所述量子點(diǎn)發(fā)光層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)形成空穴傳輸層，所述空穴傳輸層的材料的側(cè)鏈帶有給電子基團(tuán)，所述吸電子基團(tuán)和所述給電子基團(tuán)相互作用形成偶極子；

在所述空穴傳輸層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)依次形成空穴注入層和第二電極層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的量子點(diǎn)發(fā)光器件的制作方法，其特征在于，在所述電子傳輸層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)以形成量子點(diǎn)發(fā)光層，包括：

利用表面連接有原始配體的量子點(diǎn)材料在所述電子傳輸層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)以形成原始量子點(diǎn)層；

利用含有吸電子基團(tuán)的沖洗溶液沖洗所述原始量子點(diǎn)層的表面，以使所述吸電子基團(tuán)取代所述原始配體而形成所述量子點(diǎn)發(fā)光層。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的量子點(diǎn)發(fā)光器件的制作方法，其特征在于，利用表面連接有原始配體的量子點(diǎn)材料在所述電子傳輸層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)以形成原始量子點(diǎn)層，包括：

將表面連接有原始配體的量子點(diǎn)材料配制為量子點(diǎn)溶液；

將所述量子點(diǎn)溶液通過噴墨打印、刮涂或旋涂的方式沉積在所述電子傳輸層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)，并進(jìn)行干燥處理以形成原始量子點(diǎn)層。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的量子點(diǎn)發(fā)光器件的制作方法，其特征在于，利用含有吸電子基團(tuán)的沖洗溶液沖洗所述原始量子點(diǎn)層的表面，以使所述吸電子基團(tuán)取代所述原始配體而形成所述量子點(diǎn)發(fā)光層，包括：

將含有-F、-Cl、-CN、-NO₂、-ClO₃、-ClO₂以及-ClO中至少一種吸電子基團(tuán)的鹽配制為沖洗溶液；

以所述沖洗溶液沖洗所述原始量子點(diǎn)層的表面，以使所述吸電子基團(tuán)取代所述原始配體，并進(jìn)行干燥處理以形成所述量子點(diǎn)發(fā)光層。

11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的量子點(diǎn)發(fā)光器件的制作方法，其特征在于，在所述量子點(diǎn)發(fā)光層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)形成空穴傳輸層，包括：

將含有二烷基氨基、烷基氨基、氨基、羥基、烷氧基以及硝基中的至少一種給電子基團(tuán)的材料以蒸鍍、噴墨打印或旋涂的方式沉積在所述量子點(diǎn)發(fā)光層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)，以形成所述空穴傳輸層。