[發明專利]半導體裝置的制造方法及半導體制造裝置

在審

• 申請號: 202110593866.8
• 申請日: 2021-05-28
• 公開（公告）號: CN113764264A
• 公開（公告）日: 2021-12-07
• 發明（設計）人: 三神和章;南竹春彥;金田和德
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L21/268
• 分類號: H01L21/268;H01L21/66;H01L21/331;H01L21/67
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張天舒

本發明涉及半導體裝置的制造方法及半導體制造裝置。提供在進行激光退火處理時針對多個半導體基板進行厚度的測定的情況下，利用進行厚度測定的半導體基板有多個這一點的半導體裝置的制造方法。針對多個半導體基板中的至少1個半導體基板，各自基于該半導體基板的厚度的測定結果的數據即自身厚度數據、多個半導體基板中的該半導體基板之外的至少1個半導體基板的厚度的測定結果的數據即參考厚度數據，對照射至該半導體基板的激光進行控制而進行激光退火處理。

技術領域

本發明涉及半導體裝置的制造方法及半導體制造裝置。

背景技術

作為半導體裝置的制造工序之一的激光退火工序是使用激光局部地對半導體基板進行加熱而進行例如半導體層的激活的工序。當前，為了應對低損耗的市場要求，半導體基板的薄化正在發展。在進行了薄化的情況下，半導體基板的厚度厚的部位和薄的部位處的熱容的區別變得顯著，例如，擔心半導體層的激活程度變得不均勻。

在專利文獻1中公開了如下方法，即，對被照射物的高度進行測定，創建對與基于被照射物的高度得到的被照射物的膜厚對應的激光進行驅動的電流值的數據庫，以基于電流值的激光輸出進行激光退火。

專利文獻1：日本特開2009-64944號公報

但是，在專利文獻1的方法中，在進行激光退火處理時針對多個半導體基板進行厚度的測定的情況下，還存在利用進行厚度測定的半導體基板有多個這一點的余地。

發明內容

本發明就是為了解決這樣的問題而提出的，其目的在于，提供半導體裝置的制造方法以及適合于半導體裝置的制造方法的半導體制造裝置，在該半導體裝置的制造方法中，在進行激光退火處理時針對多個半導體基板進行厚度的測定的情況下，利用進行厚度測定的半導體基板有多個這一點。

在本發明的半導體裝置的制造方法中，準備多個半導體基板，針對多個半導體基板中的至少1個半導體基板，各自基于該半導體基板的厚度的測定結果的數據即自身厚度數據、多個半導體基板中的該半導體基板之外的至少1個半導體基板的厚度的測定結果的數據即參考厚度數據，對照射至該半導體基板的激光進行控制而進行激光退火處理。

另外，本發明的半導體制造裝置對半導體基板進行激光退火處理，該半導體制造裝置具有：工作臺，其對半導體基板進行保持；照射部，其對由工作臺保持的半導體基板照射激光；測定部，其對半導體基板的厚度進行測定；以及控制部，其對照射部進行控制，控制部在對某個半導體基板進行激光退火處理時，基于由測定部對某個半導體基板的厚度進行測定而得到的結果的數據即自身厚度數據、由測定部對某個半導體基板之外的至少1個半導體基板的厚度進行測定而得到的結果的數據即參考厚度數據，對激光進行控制。

發明的效果

本發明的半導體裝置的制造方法為如下半導體裝置的制造方法，即，準備多個半導體基板，針對多個半導體基板中的至少1個半導體基板，各自基于該半導體基板的厚度的測定結果的數據即自身厚度數據、多個半導體基板中的該半導體基板之外的至少1個半導體基板的厚度的測定結果的數據即參考厚度數據，對照射至該半導體基板的激光進行控制而進行激光退火處理。由此，本發明的半導體裝置的制造方法是在進行激光退火處理時針對多個半導體基板進行厚度的測定的情況下，利用進行厚度測定的半導體基板有多個這一點的半導體裝置的制造方法。

另外，在本發明的半導體制造裝置中，控制部在對某個半導體基板進行激光退火處理時，基于由測定部對某個半導體基板的厚度進行測定而得到的結果的數據即自身厚度數據、由測定部對某個半導體基板之外的至少1個半導體基板的厚度進行測定而得到的結果的數據即參考厚度數據，對激光進行控制。由此，本發明的半導體制造裝置是適合于如下半導體裝置的制造方法的半導體制造裝置，其中，在該半導體裝置的制造方法中，在進行激光退火處理時針對多個半導體基板進行厚度的測定的情況下，利用進行厚度測定的半導體基板有多個這一點。

附圖說明

圖1是半導體基板的俯視圖。