[發明專利]半導體裝置的制造方法及半導體制造裝置

在審

• 申請號: 202110593866.8
• 申請日: 2021-05-28
• 公開（公告）號: CN113764264A
• 公開（公告）日: 2021-12-07
• 發明（設計）人: 三神和章;南竹春彥;金田和德
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L21/268
• 分類號: H01L21/268;H01L21/66;H01L21/331;H01L21/67
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張天舒

1.一種半導體裝置的制造方法，其中，

準備多個半導體基板，

針對所述多個半導體基板中的至少1個半導體基板，各自基于該半導體基板的厚度的測定結果的數據即自身厚度數據、所述多個半導體基板中的所述該半導體基板之外的至少1個半導體基板的厚度的測定結果的數據即參考厚度數據，對照射至該半導體基板的激光進行控制而進行激光退火處理。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中，

所述自身厚度數據包含所述該半導體基板的基于所述參考厚度數據選擇出的部位處的厚度的測定結果的數據。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置的制造方法，其中，

所述選擇出的部位是基于預先確定的基準和所述參考厚度數據判斷為平坦的部位。

4.根據權利要求2所述的半導體裝置的制造方法，其中，

所述多個半導體基板各自具有至少1個形成半導體元件的半導體元件形成區域，

所述選擇出的部位包含有在所述至少1個半導體元件形成區域各自中從平坦性高的部位起依次各選擇出至少1個的部位，

就所述平坦性而言，在所述至少1個半導體元件形成區域各自中，在所述參考厚度數據的在所述激光的掃描方向上連續的3個測定部位處的厚度的標準偏差更小的情況下，將所述3個測定部位中的厚度與所述3個測定部位處的厚度的平均值最接近的部位判斷為所述平坦性更高。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其中，

所述多個半導體基板各自具有至少1個形成半導體元件的半導體元件形成區域，

所述自身厚度數據包含所述至少1個半導體元件形成區域各自的多個部位處的厚度的測定結果的數據。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其中，

與所述自身厚度數據相比，所述參考厚度數據包含所述半導體基板面內的更多部位處的厚度的測定結果的數據。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其中，

所述多個半導體基板各自具有至少1個形成半導體元件的半導體元件形成區域，

所述多個半導體基板各自在所述至少1個半導體元件形成區域分別設置有多個元件構造，

以所述多個元件構造在所述激光的掃描方向上排列的方式配置所述半導體基板，

基于被照射所述激光的區域的元件構造為所述多個元件構造中的哪一個而對所述激光進行控制，進行所述激光退火處理。

8.根據權利要求1至7中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其中，

在所述多個半導體基板的單側的主面側設置有電極，

對所述電極的膜厚進行測定，

基于所述電極的膜厚的所述測定的結果的數據而對所述激光進行控制，進行所述激光退火處理。

9.根據權利要求8所述的半導體裝置的制造方法，其中，

在所述多個半導體基板的所述單側的主面側設置有覆蓋所述電極的膜，

對所述膜的膜厚進行測定，

基于所述膜的膜厚的所述測定的結果的數據而對所述激光進行控制，進行所述激光退火處理。

10.一種半導體制造裝置，其對半導體基板進行激光退火處理，

該半導體制造裝置具有：

工作臺，其對所述半導體基板進行保持；

照射部，其對由所述工作臺保持的所述半導體基板照射激光；

測定部，其對所述半導體基板的厚度進行測定；以及

控制部，其對所述照射部進行控制，

所述控制部在對某個所述半導體基板進行所述激光退火處理時，基于由所述測定部對所述某個半導體基板的厚度進行測定而得到的結果的數據即自身厚度數據、由所述測定部對所述某個半導體基板之外的至少1個所述半導體基板的厚度進行測定而得到的結果的數據即參考厚度數據，對所述激光進行控制。

11.根據權利要求10所述的半導體制造裝置，其中，

所述自身厚度數據包含所述某個半導體基板的基于所述參考厚度數據由所述控制部選擇出的部位處的厚度的所述測定的結果的數據。