[發(fā)明專利]包括豎直存儲器裝置的集成電路裝置

在審

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• 申請日: 2021-05-28
• 公開（公告）號: CN113764428A
• 公開（公告）日: 2021-12-07
• 發(fā)明（設計）人: 黃昌善;權永振;金己煥;石韓松;殷東錫;林鐘欣
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/11524
• 分類號: H01L27/11524;H01L27/11529;H01L27/11548;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11575;H01L27/11582
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 趙南;張青

公開了一種包括豎直存儲器裝置的集成電路裝置。該集成電路裝置包括：襯底，其具有單元區(qū)、外圍電路區(qū)和位于單元區(qū)與外圍電路區(qū)之間的互連區(qū)；第一單元堆疊結構和位于第一單元堆疊結構上的第二單元堆疊結構，第一單元堆疊結構和第二單元堆疊結構均包括交替地堆疊在襯底上的多個絕緣層和多個字線結構；以及虛設堆疊結構，其位于與第二單元堆疊結構相同的豎直高度處，并且包括交替地堆疊在外圍電路區(qū)中的多個虛設絕緣層和多個虛設支承層。

相關申請的交叉引用

于2020年6月1日在韓國知識產權局提交的標題為“包括豎直存儲器裝置的集成電路裝置”的韓國專利申請No.10-2020-0066029以引用方式全文并入本文中。

技術領域

實施例涉及一種集成電路裝置，并且更具體地，涉及一種包括豎直存儲器裝置的集成電路裝置。

背景技術

隨著對集成電路裝置的大容量、高集成度的需求，已經提出了通過在豎直方向上堆疊多個存儲器單元而具有高存儲器容量的豎直存儲器裝置。豎直存儲器裝置中的每個芯片的組件的數(shù)量隨著存儲器單元的堆疊件的數(shù)量的增加而增加。然而，當豎直存儲器裝置中的在豎直方向上的存儲器單元的堆疊件的數(shù)量增加時，制造工藝的困難增加，從而集成電路裝置的電可靠性減小。

發(fā)明內容

實施例涉及一種集成電路裝置，該集成電路裝置包括：襯底，其具有單元區(qū)、外圍電路區(qū)和位于單元區(qū)與外圍電路區(qū)之間的互連區(qū)；第一單元堆疊結構和位于第一單元堆疊結構上的第二單元堆疊結構，第一單元堆疊結構和第二單元堆疊結構均包括交替地堆疊在襯底上的多個絕緣層和多個字線結構；以及虛設堆疊結構，其位于與第二單元堆疊結構相同的豎直高度處，并且包括交替地堆疊在外圍電路區(qū)中的多個虛設絕緣層和多個虛設支承層。

實施例還涉及一種集成電路裝置，該集成電路裝置包括：襯底，其具有單元區(qū)、外圍電路區(qū)和位于單元區(qū)與外圍電路區(qū)之間的互連區(qū)；以及順序地堆疊在襯底上的多個堆疊件。多個堆疊件中的每個堆疊件可以包括單元堆疊結構，單元堆疊結構具有在單元區(qū)和互連區(qū)中交替地堆疊在襯底上的多個絕緣層和多個字線結構，多個堆疊件中的堆疊件可以包括虛設堆疊結構，虛設堆疊結構可以位于單元堆疊結構中的與除多個堆疊件中的底部的堆疊件的單元堆疊結構之外的一個單元堆疊結構相同的豎直高度處，虛設堆疊結構可以與單元堆疊結構分離，并且虛設堆疊結構可以具有交替地堆疊在外圍電路區(qū)中的多個虛設絕緣層和多個虛設支承層。

實施例還涉及一種集成電路裝置，該集成電路裝置包括：襯底，其具有單元區(qū)、外圍電路區(qū)和位于單元區(qū)與外圍電路區(qū)之間的互連區(qū)；第一堆疊件和位于第一堆疊件上的第二堆疊件，第一堆疊件包括：第一單元堆疊結構，其包括在單元區(qū)和互連區(qū)中交替地堆疊在襯底上的多個第一絕緣層和多個第一字線結構，第一填充絕緣層，其位于互連區(qū)和外圍電路區(qū)中，并且具有與第一單元堆疊結構的上表面共面的上表面，以及第一保護絕緣層，其覆蓋第一單元堆疊結構和第一填充絕緣層。第二堆疊件包括：第二單元堆疊結構，其包括在單元區(qū)和互連區(qū)中交替地堆疊在襯底上的多個第二絕緣層和多個第二字線結構；虛設堆疊結構，其位于與第二單元堆疊結構相同的豎直高度處，并且包括交替地堆疊在外圍電路區(qū)中的多個虛設絕緣層和多個虛設支承層；位于互連區(qū)和外圍電路區(qū)中的第二填充絕緣層，第二填充絕緣層具有與虛設堆疊結構的上表面共面的上表面，并且被形成在比第一填充絕緣層在二維上更寬的區(qū)域上；以及第二保護絕緣層，其覆蓋第二單元堆疊結構、虛設堆疊結構和第二填充絕緣層。多個溝道結構可以位于單元區(qū)中，多個溝道結構填充穿過第一堆疊件的多個第一溝道孔，并且填充與多個第一溝道孔分別連通并且穿過第二堆疊件的多個第二溝道孔。

附圖說明

通過參照附圖詳細描述示例實施例，特征將對于本領域技術人員變得清楚，在附圖中：

圖1是根據示例實施例的集成電路裝置的存儲器單元陣列的等效電路圖；

圖2至圖20B是根據示例實施例按照工藝順序制造集成電路裝置的方法的剖視圖；