[發明專利]掩膜版、陣列基板的制作方法和顯示裝置在審
| 申請號: | 202110592220.8 | 申請日: | 2021-05-28 |
| 公開(公告)號: | CN113327938A | 公開(公告)日: | 2021-08-31 |
| 發明(設計)人: | 范文志;李陽;蔡偉民;施文峰;李瑤;朱超 | 申請(專利權)人: | 合肥維信諾科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32;G03F1/24 |
| 代理公司: | 北京華進京聯知識產權代理有限公司 11606 | 代理人: | 吳迪 |
| 地址: | 230000 安徽省合*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 掩膜版 陣列 制作方法 顯示裝置 | ||
本申請涉及一種掩膜版、陣列基板的制作方法和顯示裝置。陣列基板包括多個第一連接孔和多個第二連接孔。第一連接孔周圍的走線面積小于第二連接孔周圍的走線面積。掩膜版包括掩膜版主體。掩膜版主體設置有多個第一通光孔和多個第二通光孔。第一通光孔對應第一連接孔。第二通光孔對應第二連接孔。在曝光的條件下,第一通光孔的輻射通量大于第二通光孔的輻射通量。通過使第一通光孔的輻射通量大于第二通光孔的輻射通量,能夠彌補在形成第一連接孔的圖案時的曝光量。因此使在曝光工藝中,形成第一連接孔的圖案時的曝光量等于或者趨于等于形成第二連接孔的圖案時的曝光量。因此使第一連接孔和第二連接孔的尺寸相等或者趨于相等,從而提高產品良率。
技術領域
本申請涉及顯示技術領域,特別是涉及一種掩膜版、陣列基板的制作方法和顯示裝置。
背景技術
隨著顯示技術的發展,AMOLED(有源矩陣有機發光二極體)顯示面板由于具有清晰度高、耐用等優勢越來越被人們重視。AMOLED顯示面板在日常生活中的應用也越來越廣泛。
AMOLED顯示面板顯示區中部和周圍的結構不同,因此在制作顯示區中部和周圍的連接孔時,在相同的工藝下容易造成連接孔的大小不一,這嚴重影響了產品的良率。
發明內容
基于此,有必要針對上述技術問題,提供一種掩膜版、陣列基板的制作方法和顯示裝置。
一種掩膜版,用于制作陣列基板,所述陣列基板包括多個第一連接孔和多個第二連接孔,所述第一連接孔周圍的走線面積小于所述第二連接孔周圍的走線面積,所述掩膜版包括:
掩膜版主體,所述掩膜版主體開設有多個第一通光孔和多個第二通光孔,所述第一通光孔對應所述第一連接孔,所述第二通光孔對應所述第二連接孔,曝光時所述第一通光孔的輻射通量大于所述第二通光孔的輻射通量。
在一個實施例中,所述第一通光孔的橫截面積大于所述第二通光孔的橫截面積。
在一個實施例中,所述第一通光孔的透光率大于所述第二通光孔的透光率。
在一個實施例中,所述第二通光孔設置有半透光層。
在一個實施例中,在所述掩膜版主體的出光側,所述第一通光孔的周圍設置有反光層。
在一個實施例中,沿所述第一通光孔周圍到所述第一通光孔中心的方向,所述反光層的高度逐級遞減。
在一個實施例中,所述掩膜版還包括透明襯底,所述透明襯底和所述掩膜版主體層疊設置,所述反光層設置于所述透明襯底遠離所述掩膜版主體的表面,所述反光層在所述掩膜版主體的正投影圍繞所述第一通光孔的中心設置。
在一個實施例中,所述陣列基板包括顯示區和非顯示區,所述非顯示區圍繞所述顯示區設置,所述非顯示區的走線面積小于所述顯示區的走線面積,所述多個第一連接孔設置于所述顯示區靠近所述非顯示區的邊緣,所述多個第二連接孔設置于所述顯示區的中部,所述多個第一連接孔圍繞所述多個第二連接孔設置;
所述多個第一通光孔設置于所述掩膜版主體的邊緣,所述多個第二通光孔設置于所述掩膜版的中部,所述多個第一通光孔圍繞所述多個第二通光孔設置。
本申請實施例還提供一種陣列基板的制作方法,包括:
提供掩膜版,所述掩膜版包括掩膜版主體,所述掩膜版主體設置有多個第一通光孔和多個第二通光孔,曝光時,所述第一通光孔的輻射通量大于所述第二通光孔的輻射通量;
通過所述掩膜版在所述陣列基板形成多個第一連接孔的圖案和多個第二連接孔的圖案,所述多個第一通光孔對應所述多個第一連接孔的圖案,所述多個第二通光孔對應所述多個第二連接孔的圖案;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





