[發(fā)明專利]制造半導(dǎo)體器件的方法和由此制造的半導(dǎo)體器件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110592173.7
• 申請(qǐng)日: 2021-05-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113380703A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-09-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳重輝;謝正祥;陳萬(wàn)得;張子敬;陳威志;沈瑞濱;傅敬銘
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/822
• 分類號(hào): H01L21/822;H01L27/06
• 代理公司: 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

制造基于雙架構(gòu)兼容設(shè)計(jì)的半導(dǎo)體器件的方法包括：在晶體管(TR)層中形成晶體管組件；并執(zhí)行制造附加組件的以下操作中的一種(A)埋入式電源軌(BPR)類型的架構(gòu)，(B)非埋入式電源軌(非BPR)類型的架構(gòu)。步驟(A)包括，在相應(yīng)的sub?TR層中形成各個(gè)非偽sub?TR結(jié)構(gòu)，以及在相應(yīng)的supra?TR層中形成各個(gè)偽supra?TR結(jié)構(gòu)，該偽結(jié)構(gòu)是相應(yīng)的第一偽像。步驟(B)包括，在相應(yīng)的supra?TR層中形成各個(gè)非偽supra?TR結(jié)構(gòu)，并形成各個(gè)偽supra?TR結(jié)構(gòu)，該偽結(jié)構(gòu)是相應(yīng)的第二偽像，第一和第二偽像由雙架構(gòu)兼容涉及產(chǎn)生，適合于適應(yīng)BPR類型的架構(gòu)。本申請(qǐng)的實(shí)施例還涉及半導(dǎo)體器件。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)的實(shí)施例涉及制造半導(dǎo)體器件的方法和由此制造的半導(dǎo)體器件。

背景技術(shù)

集成電路(“IC”)包括一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體器件。表示半導(dǎo)體器件的一種方式是將平面圖稱為布局圖。布局圖是在設(shè)計(jì)規(guī)則的上下文中生成的。一組設(shè)計(jì)規(guī)則對(duì)布局圖中的相應(yīng)圖案的放置施加了約束，例如地理/空間約束、連接性約束等。通常，一組設(shè)計(jì)規(guī)則包括與相鄰或鄰接單元中的圖案之間的間距和其他相互作用有關(guān)的設(shè)計(jì)規(guī)則的子集，其中，圖案表示金屬化層中的導(dǎo)體。

通常，一組設(shè)計(jì)規(guī)則特定于工藝/技術(shù)節(jié)點(diǎn)，通過(guò)該設(shè)計(jì)規(guī)則將基于布局圖制造半導(dǎo)體器件。設(shè)計(jì)規(guī)則集補(bǔ)償了相應(yīng)工藝/技術(shù)節(jié)點(diǎn)的可變性。這種補(bǔ)償增加了由布局圖產(chǎn)生的實(shí)際半導(dǎo)體器件將成為布局圖所基于的偽器件的可接受的對(duì)應(yīng)物的可能性。

發(fā)明內(nèi)容

本申請(qǐng)的一些實(shí)施例提供了一種制造基于雙架構(gòu)兼容設(shè)計(jì)的半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：在半導(dǎo)體器件的晶體管(TR)層中形成一個(gè)或多個(gè)晶體管的一個(gè)或多個(gè)組件；以及執(zhí)行以下操作中的一種：(A)根據(jù)用于半導(dǎo)體器件的埋入式電源軌(BPR)類型的架構(gòu)制造附加組件，所述BPR類型的架構(gòu)包括晶體管層下方層(sub-TR層)和晶體管層上方層(supra-TR層)；或者(B)根據(jù)用于半導(dǎo)體器件的非埋入式電源軌(非BPR)類型的架構(gòu)制造附加組件，所述非BPR類型的架構(gòu)包括supra-TR層；以及其中：雙架構(gòu)兼容設(shè)計(jì)基本上同樣適合于適應(yīng)BPR類型的架構(gòu)或適應(yīng)非BPR類型的架構(gòu)；(A)根據(jù)BPR類型的架構(gòu)制造附加組件包括：在相應(yīng)的sub-TR層中形成相應(yīng)地電耦接至所述晶體管組件的各個(gè)非偽結(jié)構(gòu)(非偽sub-TR結(jié)構(gòu))；以及在相應(yīng)的supra-TR層中形成各個(gè)偽結(jié)構(gòu)(偽supra-TR結(jié)構(gòu))，所述偽結(jié)構(gòu)是由所述雙架構(gòu)兼容設(shè)計(jì)產(chǎn)生的相應(yīng)偽像，所述偽像適合于適應(yīng)非BPR類型的架構(gòu)；以及(B)根據(jù)非BPR類型的架構(gòu)制造附加組件包括：在相應(yīng)的supra-TR層中：形成相應(yīng)地耦接至所述晶體管組件的各個(gè)非偽結(jié)構(gòu)(非偽supra-TR結(jié)構(gòu))；以及形成各個(gè)偽結(jié)構(gòu)(偽supra-TR結(jié)構(gòu))，所述偽結(jié)構(gòu)是由雙架構(gòu)兼容設(shè)計(jì)產(chǎn)生的相應(yīng)偽像，所述偽像適合于適應(yīng)BPR類型的架構(gòu)。

本申請(qǐng)的另一些實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體器件，包括：位于晶體管(TR)層中的相應(yīng)晶體管組件(TR組件)；以及位于相應(yīng)的所述晶體管層上方層(supra-TR層)中的：各個(gè)非偽結(jié)構(gòu)(非偽supra-TR結(jié)構(gòu))，所述非偽結(jié)構(gòu)耦接至晶體管組件，并且由于半導(dǎo)體器件具有非埋入式電源軌(非BPR)類型的架構(gòu)而被包括在內(nèi)；以及各個(gè)偽結(jié)構(gòu)(偽supra-TR結(jié)構(gòu))，所述偽結(jié)構(gòu)包括為偽像，所述偽像是由于半導(dǎo)體器件的基于雙架構(gòu)兼容設(shè)計(jì)而產(chǎn)生的，所述偽像基本上同樣適合于適應(yīng)BPR類型的架構(gòu)或適應(yīng)非BPR類型的架構(gòu)。

本申請(qǐng)的又一些實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體器件，包括：位于晶體管(TR)層中的相應(yīng)晶體管組件(晶體管組件)；以及位于相應(yīng)的所述晶體管層下方層(sub-TR層)中的：各個(gè)非偽結(jié)構(gòu)(非偽sub-TR結(jié)構(gòu))，所述各個(gè)非偽結(jié)構(gòu)耦接至所述晶體管組件，并且由于所述半導(dǎo)體器件具有埋入式電源軌(BPR)類型的架構(gòu)而被包括在內(nèi)；以及位于相應(yīng)的所述晶體管層上方層(supra-TR層)中的：各個(gè)偽結(jié)構(gòu)(偽supra-TR結(jié)構(gòu))，所述各個(gè)偽結(jié)構(gòu)包括為由半導(dǎo)體器件基于雙架構(gòu)兼容涉及產(chǎn)生的偽像，所述偽像基本上同樣適合于適應(yīng)非BPR類型的架構(gòu)或適應(yīng)BPR類型的架構(gòu)。

附圖說(shuō)明