[發(fā)明專(zhuān)利]制造半導(dǎo)體器件的方法和由此制造的半導(dǎo)體器件

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110592173.7
• 申請(qǐng)日: 2021-05-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113380703A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-09-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳重輝;謝正祥;陳萬(wàn)得;張子敬;陳威志;沈瑞濱;傅敬銘
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/822
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/822;H01L27/06
• 代理公司: 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種制造基于雙架構(gòu)兼容設(shè)計(jì)的半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：

在半導(dǎo)體器件的晶體管(TR)層中形成一個(gè)或多個(gè)晶體管的一個(gè)或多個(gè)組件；以及

執(zhí)行以下操作中的一種：

(A)根據(jù)用于半導(dǎo)體器件的埋入式電源軌(BPR)類(lèi)型的架構(gòu)制造附加組件，所述埋入式電源軌類(lèi)型的架構(gòu)包括晶體管層下方層(sub-TR層)和晶體管層上方層(supra-TR層)；或者

(B)根據(jù)用于半導(dǎo)體器件的非埋入式電源軌(非BPR)類(lèi)型的架構(gòu)制造附加組件，所述非埋入式電源軌類(lèi)型的架構(gòu)包括所述晶體管層上方層；以及

其中：

雙架構(gòu)兼容設(shè)計(jì)基本上同樣適合于適應(yīng)埋入式電源軌類(lèi)型的架構(gòu)或適應(yīng)非埋入式電源軌類(lèi)型的架構(gòu)；

(A)根據(jù)埋入式電源軌類(lèi)型的架構(gòu)制造附加組件包括：

在相應(yīng)的晶體管層下方層中形成相應(yīng)地電耦接至所述晶體管組件的各個(gè)非偽結(jié)構(gòu)(非偽sub-TR結(jié)構(gòu))；以及

在相應(yīng)的晶體管層上方層中形成各個(gè)偽結(jié)構(gòu)(偽supra-TR結(jié)構(gòu))，所述偽supra-TR結(jié)構(gòu)是由所述雙架構(gòu)兼容設(shè)計(jì)產(chǎn)生的相應(yīng)偽像，所述偽像適合于適應(yīng)非埋入式電源軌類(lèi)型的架構(gòu)；以及

(B)根據(jù)非埋入式電源軌類(lèi)型的架構(gòu)制造附加組件包括：

在相應(yīng)的晶體管層上方層中：

形成相應(yīng)地耦接至所述晶體管組件的各個(gè)非偽結(jié)構(gòu)(非偽supra-TR結(jié)構(gòu))；以及

形成各個(gè)偽結(jié)構(gòu)(偽supra-TR結(jié)構(gòu))，所述偽supra-TR結(jié)構(gòu)是由雙架構(gòu)兼容設(shè)計(jì)產(chǎn)生的相應(yīng)偽像，所述偽像適合于適應(yīng)埋入式電源軌類(lèi)型的架構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中：

所述晶體管層和所述晶體管層上方層中的每個(gè)基本上在垂直的第一方向和第二方向上延伸；

所述晶體管層上方層沿著基本垂直于所述第一方向和所述第二方向中的每個(gè)的第三方向堆疊；以及

(B)根據(jù)非埋入式電源軌類(lèi)型的架構(gòu)制造其他組件還包括：

相對(duì)于所述第一方向和所述第二方向中的至少一個(gè)，將所述各個(gè)偽supra-TR結(jié)構(gòu)相對(duì)于所述各個(gè)非偽supra-TR結(jié)構(gòu)非對(duì)稱(chēng)地定位；或者

相對(duì)于所述第一方向和所述第二方向中的至少一個(gè)，將所述各個(gè)偽supra-TR結(jié)構(gòu)相對(duì)于所述各個(gè)非偽supra-TR結(jié)構(gòu)對(duì)稱(chēng)地定位。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中：

所述晶體管層和所述晶體管層上方層中的每個(gè)基本上在垂直的第一方向和第二方向上延伸；

(A)所述晶體管層上方層或(B)所述晶體管層下方層中的至少一個(gè)在基本上垂直于所述第一方向和所述第二方向中的每個(gè)的第三方向上堆疊；

從所述第三方向看，給定結(jié)構(gòu)的覆蓋區(qū)是由所述給定結(jié)構(gòu)所占據(jù)的相對(duì)于所述第一方向和所述第二方向的面積；以及

(A)根據(jù)埋入式電源軌類(lèi)型的架構(gòu)制造附加組件還包括：

將所述各個(gè)偽sub-TR結(jié)構(gòu)的總覆蓋區(qū)配置為基本上包含在相應(yīng)TR組件的總覆蓋區(qū)內(nèi)；或者

(B)根據(jù)非埋入式電源軌類(lèi)型的架構(gòu)制造附加組件還包括：

將所述各個(gè)偽supra-TR結(jié)構(gòu)的總覆蓋區(qū)配置為基本上包含在相應(yīng)TR組件的總覆蓋區(qū)內(nèi)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，(A)根據(jù)埋入式電源軌類(lèi)型的架構(gòu)制造附加組件還包括：

在相應(yīng)的晶體管層下方層中，

形成各個(gè)偽結(jié)構(gòu)(偽sub-TR結(jié)構(gòu))，所述偽結(jié)構(gòu)將是由所述雙架構(gòu)兼容設(shè)計(jì)產(chǎn)生的相應(yīng)偽像，所述偽像適合于適應(yīng)所述非埋入式電源軌類(lèi)型的架構(gòu)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中：

所述晶體管層、所述晶體管層下方層和所述晶體管層上方層中的每個(gè)基本上在垂直的第一方向和第二方向上延伸；

所述晶體管層下方層和所述晶體管層上方層在基本上垂直于所述第一方向和所述第二方向的第三方向上堆疊；以及

(A)根據(jù)埋入式電源軌類(lèi)型的架構(gòu)制造附加組件還包括：

相對(duì)于所述第一方向或所述第二方向中的至少一個(gè)，將所述各個(gè)偽sub-TR結(jié)構(gòu)相對(duì)于所述各個(gè)非偽sub-TR結(jié)構(gòu)不對(duì)稱(chēng)地定位；或者

相對(duì)于所述第一方向或所述第二方向中的至少一個(gè)，將所述各個(gè)偽supra-TR結(jié)構(gòu)相對(duì)于所述各個(gè)非偽sub-TR結(jié)構(gòu)對(duì)稱(chēng)地定位。