[發明專利]一種平板探測裝置和數字影像診斷設備在審
| 申請號: | 202110591508.3 | 申請日: | 2021-05-28 |
| 公開(公告)號: | CN113327952A | 公開(公告)日: | 2021-08-31 |
| 發明(設計)人: | 尚建興;韓軍;馬紅霖;張昕;薛靜 | 申請(專利權)人: | 北京京東方傳感技術有限公司;京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;A61B6/00 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 姜春咸;馮建基 |
| 地址: | 100176 北京市北京經濟技術開發*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 平板 探測 裝置 數字影像 診斷 設備 | ||
本發明提供一種平板探測裝置和數字影像診斷設備。該平板探測裝置包括高能信號轉換層和驅動讀取電路層;高能信號轉換層用于將高能信號轉換為電信號;驅動讀取電路層用于為高能信號轉換層的信號轉換提供驅動信號或者為讀取電信號提供讀取信號;還包括熱量阻隔層,熱量阻隔層隔設于高能信號轉換層和驅動讀取電路層之間,用于阻止驅動讀取電路層工作時釋放的熱量傳導至高能信號轉換層。該平板探測裝置通過設置熱量阻隔層,能夠減少或阻止驅動讀取電路層工作時釋放的熱量傳導至高能信號轉換層,從而能夠正常工作,具有良好的品質及可靠性。
技術領域
本發明屬于顯示技術領域,具體涉及一種平板探測裝置和數字影像診斷設備。
背景技術
數字化X線攝影(Digital Radiography,簡稱DR),是上世紀90年代發展起來的X線攝影新技術,以其更快的成像速度、更便捷的操作、更高的成像分辨率等顯著優點,成為數字X線攝影技術的主導方向,并得到世界各國的臨床機構和影像學專家認可。DR的技術核心是平板探測器,平板探測器是一種精密和貴重的設備,對成像質量起著決定性的作用,熟悉探測器的性能指標有助于提高成像質量和減少X線輻射劑量。
發明內容
本發明提供一種平板探測裝置和數字影像診斷設備。該平板探測裝置通過設置熱量阻隔層,能夠減少或阻止驅動讀取電路層工作時釋放的熱量傳導至高能信號轉換層,從而能夠正常工作,具有良好的品質及可靠性。
本發明實施例提供一種平板探測裝置,包括高能信號轉換層和驅動讀取電路層;
所述高能信號轉換層用于將高能信號轉換為電信號;
所述驅動讀取電路層用于為所述高能信號轉換層的信號轉換提供驅動信號或者為讀取所述電信號提供讀取信號;
還包括熱量阻隔層,所述熱量阻隔層隔設于所述高能信號轉換層和所述驅動讀取電路層之間,用于阻止所述驅動讀取電路層工作時釋放的熱量傳導至所述高能信號轉換層。
可選地,所述熱量阻隔層包括第一隔熱層、導熱層和第二隔熱層;所述第一隔熱層、所述導熱層和所述第二隔熱層依次疊置;
所述第一隔熱層和所述第二隔熱層用于對所述驅動讀取電路層工作時釋放的熱量進行隔絕和阻擋;
所述導熱層用于對所述驅動讀取電路層工作時釋放的熱量進行傳導。
可選地,所述熱量阻隔層包括第一隔熱層和第二隔熱層;所述第一隔熱層和所述第二隔熱層相互疊置;用于對所述驅動讀取電路層工作時釋放的熱量進行隔絕和阻擋。
可選地,所述第一隔熱層和所述第二隔熱層的材料包括氣凝膠氈、玻璃纖維、石棉、巖棉、硅酸鹽、真空板中的任意一種或兩種以上。
可選地,所述導熱層中開設有多個開口;
所述開口的形狀包括圓形、橢圓形、三角形、矩形、正多邊形、不規則形狀中的任意一種或多種。
可選地,由所述導熱層的四周邊緣向中間的區域,所述開口的面積逐漸增大。
可選地,所述導熱層的材料包括導熱金屬、導熱硅膠片、導熱矽膠片、導熱石墨片、納米碳銅箔片、導熱相變材料、1300系列單組分導熱膠、1900系列導熱粘結膠、導熱硅脂、導熱凝膠中的任意一種或兩種以上。
可選地,所述高能信號轉換層、所述熱量阻隔層和所述驅動讀取電路層依次疊置;
所述導熱層至少有部分延伸至其與所述高能信號轉換層和所述驅動讀取電路層的正投影重疊區域以外。
可選地,所述導熱層的正投影形狀為“工”字型;
所述導熱層的未延伸至其與所述高能信號轉換層和所述驅動讀取電路層的正投影重疊區域以外的部分與所述第一隔熱層和所述第二隔熱層的正投影重合。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





