[發明專利]一種平板探測裝置和數字影像診斷設備在審
| 申請號: | 202110591508.3 | 申請日: | 2021-05-28 |
| 公開(公告)號: | CN113327952A | 公開(公告)日: | 2021-08-31 |
| 發明(設計)人: | 尚建興;韓軍;馬紅霖;張昕;薛靜 | 申請(專利權)人: | 北京京東方傳感技術有限公司;京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;A61B6/00 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 姜春咸;馮建基 |
| 地址: | 100176 北京市北京經濟技術開發*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 平板 探測 裝置 數字影像 診斷 設備 | ||
1.一種平板探測裝置,包括高能信號轉換層和驅動讀取電路層;
所述高能信號轉換層用于將高能信號轉換為電信號;
所述驅動讀取電路層用于為所述高能信號轉換層的信號轉換提供驅動信號或者為讀取所述電信號提供讀取信號;
其特征在于,還包括熱量阻隔層,所述熱量阻隔層隔設于所述高能信號轉換層和所述驅動讀取電路層之間,用于阻止所述驅動讀取電路層工作時釋放的熱量傳導至所述高能信號轉換層。
2.根據權利要求1所述的平板探測裝置,其特征在于,所述熱量阻隔層包括第一隔熱層、導熱層和第二隔熱層;所述第一隔熱層、所述導熱層和所述第二隔熱層依次疊置;
所述第一隔熱層和所述第二隔熱層用于對所述驅動讀取電路層工作時釋放的熱量進行隔絕和阻擋;
所述導熱層用于對所述驅動讀取電路層工作時釋放的熱量進行傳導。
3.根據權利要求1所述的平板探測裝置,其特征在于,所述熱量阻隔層包括第一隔熱層和第二隔熱層;所述第一隔熱層和所述第二隔熱層相互疊置;用于對所述驅動讀取電路層工作時釋放的熱量進行隔絕和阻擋。
4.根據權利要求2或3所述的平板探測裝置,其特征在于,所述第一隔熱層和所述第二隔熱層的材料包括氣凝膠氈、玻璃纖維、石棉、巖棉、硅酸鹽、真空板中的任意一種或兩種以上。
5.根據權利要求2所述的平板探測裝置,其特征在于,所述導熱層中開設有多個開口;
所述開口的形狀包括圓形、橢圓形、三角形、矩形、正多邊形、不規則形狀中的任意一種或多種。
6.根據權利要求5所述的平板探測裝置,其特征在于,由所述導熱層的四周邊緣向中間的區域,所述開口的面積逐漸增大。
7.根據權利要求2所述的平板探測裝置,其特征在于,所述導熱層的材料包括導熱金屬、導熱硅膠片、導熱矽膠片、導熱石墨片、納米碳銅箔片、導熱相變材料、1300系列單組分導熱膠、1900系列導熱粘結膠、導熱硅脂、導熱凝膠中的任意一種或兩種以上。
8.根據權利要求2所述的平板探測裝置,其特征在于,所述高能信號轉換層、所述熱量阻隔層和所述驅動讀取電路層依次疊置;
所述導熱層至少有部分延伸至其與所述高能信號轉換層和所述驅動讀取電路層的正投影重疊區域以外。
9.根據權利要求8所述的平板探測裝置,其特征在于,所述導熱層的正投影形狀為“工”字型;
所述導熱層的未延伸至其與所述高能信號轉換層和所述驅動讀取電路層的正投影重疊區域以外的部分與所述第一隔熱層和所述第二隔熱層的正投影重合。
10.根據權利要求8所述的平板探測裝置,其特征在于,還包括外殼,所述外殼包設于所述高能信號轉換層、所述熱量阻隔層和所述驅動讀取電路層的外圍;
所述導熱層的延伸至其與所述高能信號轉換層和所述驅動讀取電路層的正投影重疊區域以外的部分與所述外殼相接觸。
11.根據權利要求10所述的平板探測裝置,其特征在于,所述外殼采用導熱材料。
12.根據權利要求8所述的平板探測裝置,其特征在于,還包括柔性基底和支撐層;
所述柔性基底設置于所述高能信號轉換層的靠近所述熱量阻隔層的一側;
所述支撐層設置于所述柔性基底和所述熱量阻隔層之間,用于對所述柔性基底形成支撐。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于北京京東方傳感技術有限公司;京東方科技集團股份有限公司,未經北京京東方傳感技術有限公司;京東方科技集團股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110591508.3/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:便捷式快速檢測型面機構
- 下一篇:一種軸端霍爾速度傳感器倍頻方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





