[發明專利]一種太陽能電池的制作方法在審
| 申請號: | 202110591366.0 | 申請日: | 2021-05-28 |
| 公開(公告)號: | CN113328009A | 公開(公告)日: | 2021-08-31 |
| 發明(設計)人: | 朱鴻根;張策;張雷;吳真龍;武留洋;吳志明 | 申請(專利權)人: | 揚州乾照光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/0687;H01L31/0693 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 駱宗力 |
| 地址: | 225101*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 太陽能電池 制作方法 | ||
本申請公開了一種太陽能電池的制作方法,該方法在襯底上依次形成了N個多結電池,相鄰所述多結電池之間包括犧牲層,且各所述犧牲層的腐蝕速率與所述犧牲層和所述襯底之間的距離正相關,這使得在N個多結電池制備完成之后,可通過腐蝕的方式依次剝離這N個多結電池,實現在同一個襯底上以層疊方式一次性制備N個多結電池的目的,降低了多結電池的制作過程中所需的襯底數量,從而降低了多結太陽能電池的制備成本。且本申請實施例提供的太陽能電池的制作方法制備的N個多結電池的種類可以不相同,為利用同一個襯底實現多種多結電池制備提供了可能。
技術領域
本申請涉及半導體技術領域,更具體地說,涉及一種太陽能電池的制作方法。
背景技術
太陽能電池可將太陽能直接轉換為電能,是一種最有效的清潔能源形式。
目前的多結太陽能電池技術以其高轉換效率、優良的抗輻射性能、穩定的溫度特性以及易于規模化生產等優勢,已全面取代傳統的硅太陽能電池成為空間飛行器的主電源。
但目前的多結太陽能電池的制備過程存在成本較高的問題。
發明內容
為解決上述技術問題,本申請提供了一種太陽能電池的制作方法,以實現降低多結太陽能電池的制備成本的目的。
為實現上述技術目的,本申請實施例提供了如下技術方案:
一種太陽能電池的制作方法,包括:
提供襯底;
在所述襯底上依次形成N個多結電池,相鄰所述多結電池之間包括犧牲層,所述犧牲層的腐蝕速率與所述犧牲層和所述襯底之間的距離正相關,各所述多結電池至少包括兩個子電池,N為大于1的整數。
可選的,在所述襯底上形成的第N個多結電池的外延層中存在晶格失配應力,以為第N-1個形成的所述犧牲層提供張應力。
可選的,所述在所述襯底上依次形成N個多結電池包括:
在所述襯底上形成倒置結構的第一多結電池;
在所述第一多結電池背離所述襯底一側形成第一犧牲層;
在所述第一犧牲層背離所述襯底一側形成倒置結構的第二多結電池;
在所述第二多結電池背離所述襯底一側形成第二犧牲層,所述第二犧牲層的腐蝕速率大于所述第一犧牲層的腐蝕速率;
在所述第二犧牲層背離所述襯底一側形成倒置結構的第三多結電池。
可選的,所述在所述第一多結電池背離所述襯底一側形成第一犧牲層包括:
在所述第一多結電池背離所述襯底一側形成AlxGa1-xAs層,且x的取值由a向b漸變,其中,0a≤b,0b≤1;
所述在所述第二多結電池背離所述襯底一側形成第二犧牲層包括:
在所述第二多結電池背離所述襯底一側形成AlAs層。
可選的,在所述AlxGa1-xAs層的形成過程中,x的取值由b向1線性漸變,其中,0b≤1。
可選的,所述第三多結電池的外延層中存在晶格失配應力,以為所述第二犧牲層提供張應力。
可選的,所述在所述襯底上形成倒置結構的第一多結電池包括:
在所述襯底上依次形成所述第一多結電池的第一子電池、第一隧穿結和所述第一多結電池的第二子電池;
所述第一多結電池的第一子電池包括鎵銦磷子電池,所述第一多結電池的第二子電池包括砷化鎵子電池;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





