[發明專利]一種太陽能電池的制作方法

在審

• 申請號: 202110591366.0
• 申請日: 2021-05-28
• 公開（公告）號: CN113328009A
• 公開（公告）日: 2021-08-31
• 發明（設計）人: 朱鴻根;張策;張雷;吳真龍;武留洋;吳志明
• 申請（專利權）人: 揚州乾照光電有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0687;H01L31/0693
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱宗力

1.一種太陽能電池的制作方法，其特征在于，包括：

提供襯底；

在所述襯底上依次形成N個多結電池，相鄰所述多結電池之間包括犧牲層，所述犧牲層的腐蝕速率與所述犧牲層和所述襯底之間的距離正相關，各所述多結電池至少包括兩個子電池，N為大于1的整數。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述襯底上形成的第N個多結電池的外延層中存在晶格失配應力，以為第N-1個形成的所述犧牲層提供張應力。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述襯底上依次形成N個多結電池包括：

在所述襯底上形成倒置結構的第一多結電池；

在所述第一多結電池背離所述襯底一側形成第一犧牲層；

在所述第一犧牲層背離所述襯底一側形成倒置結構的第二多結電池；

在所述第二多結電池背離所述襯底一側形成第二犧牲層，所述第二犧牲層的腐蝕速率大于所述第一犧牲層的腐蝕速率；

在所述第二犧牲層背離所述襯底一側形成倒置結構的第三多結電池。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述在所述第一多結電池背離所述襯底一側形成第一犧牲層包括：

在所述第一多結電池背離所述襯底一側形成Al_xGa_1-xAs層，且x的取值由a向b漸變，其中，0a≤b，0b≤1；

所述在所述第二多結電池背離所述襯底一側形成第二犧牲層包括：

在所述第二多結電池背離所述襯底一側形成AlAs層。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，在所述Al_xGa_1-xAs層的形成過程中，x的取值由b向1線性漸變，其中，0b≤1。

6.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述第三多結電池的外延層中存在晶格失配應力，以為所述第二犧牲層提供張應力。

7.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述在所述襯底上形成倒置結構的第一多結電池包括：

在所述襯底上依次形成所述第一多結電池的第一子電池、第一隧穿結和所述第一多結電池的第二子電池；

所述第一多結電池的第一子電池包括鎵銦磷子電池，所述第一多結電池的第二子電池包括砷化鎵子電池；

所述在所述襯底上形成倒置結構的第二多結電池包括：

在所述襯底上依次形成所述第二多結電池的第一子電池、第二隧穿結和所述第二多結電池的第二子電池；

所述第二多結電池的第一子電池包括鎵銦磷子電池，所述第二多結電池的第二子電池包括砷化鎵子電池；

所述在所述第二犧牲層背離所述襯底一側形成倒置結構的第三多結電池包括：

在所述第二犧牲層背離所述襯底一側依次形成所述第三多結電池的第一子電池、第三隧穿結、所述第三多結電池的第二子電池、第四隧穿結、組分漸變緩沖層和所述第三多結電池的第三子電池；

所述第三多結電池的第一子電池包括鎵銦磷子電池；

所述第三多結電池的第二子電池包括砷化鎵子電池；

所述第三多結電池的第三子電池包括銦鎵砷子電池。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述襯底上依次形成N個多結電池之前還包括：

在所述襯底上依次形成變質緩沖層、腐蝕截止層和N型歐姆接觸層。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述襯底上依次形成N個多結電池之后還包括：

形成P型歐姆接觸層。