[發(fā)明專利]提高發(fā)光效率的紫外發(fā)光二極管芯片及其制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110591165.0 | 申請(qǐng)日： | 2021-05-28 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN113540305A | 公開(kāi)（公告）日： | 2021-10-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 葛永暉;劉旺平;梅勁;劉春楊;王慧;陳張笑雄 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 華燦光電（浙江）有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L33/40 | 分類號(hào)： | H01L33/40;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11138 | 代理人： | 呂耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 國(guó)省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 提高 發(fā)光 效率 紫外 發(fā)光二極管 芯片 及其 制備 方法 | ||
本公開(kāi)提供了一種提高發(fā)光效率的紫外發(fā)光二極管芯片及其制備方法，屬于發(fā)光二極管技術(shù)領(lǐng)域。將提高發(fā)光效率的紫外發(fā)光二極管芯片中與p型GaN歐姆接觸層相接觸的，p型氮化鎵材料、氧化鉬材料與Al金屬材料之間可具有較好的粘附性；氧化鉬的功函數(shù)與p型氮化鎵的費(fèi)米能級(jí)較為接近，氧化鉬層可以與p型GaN歐姆接觸層之間形成良好的歐姆接觸，使得p電極與p型GaN歐姆接觸層之間的歐姆接觸較低，p電極與p型GaN歐姆接觸層之間的歐姆接觸較低。另外氧化鉬在短波紫外波段具有較高的透過(guò)率，提高紫外發(fā)光二極管的外量子發(fā)光效率。最終可以得到發(fā)光效率有效提高且性能穩(wěn)定的紫外發(fā)光二極管。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開(kāi)涉及到了發(fā)光二極管技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及到一種提高發(fā)光效率的紫外發(fā)光二極管芯片及其制備方法。
背景技術(shù)
紫外發(fā)光二極管是一種用于光固化的發(fā)光產(chǎn)品，常用于殺菌消毒、食物封口材料固化、醫(yī)用膠固化等，提高發(fā)光效率的紫外發(fā)光二極管芯片則是用于制備紫外發(fā)光二極管的一種基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)。提高發(fā)光效率的紫外發(fā)光二極管芯片通常包括外延片、n電極與p電極，外延片包括襯底及襯底上生長(zhǎng)的n型AlGaN層、GaN/AlGaN多量子阱層、p型AlGaN層、p型歐姆接觸層與氧化銦錫層，n電極與p電極分別連通至n型AlGaN層與氧化銦錫層。
氧化銦錫層可以與p型歐姆接觸層以及電極之間形成良好的歐姆接觸，但氧化銦錫層對(duì)紫外光線的吸收非常嚴(yán)重，會(huì)降低紫外發(fā)光二極管的出光效率。
發(fā)明內(nèi)容
本公開(kāi)實(shí)施例提供了一種提高發(fā)光效率的紫外發(fā)光二極管芯片及其制備方法，可以提高紫外發(fā)光二極管的出光效率。所述技術(shù)方案如下：
本公開(kāi)實(shí)施例提供可一種提高發(fā)光效率的紫外發(fā)光二極管芯片，所述提高發(fā)光效率的紫外發(fā)光二極管芯片包括外延片、n電極與p電極，所述外延片包括襯底及依次層疊在所述襯底上的n型AlGaN層、GaN/AlGaN多量子阱層、p型AlGaN層及p型GaN歐姆接觸層，所述n電極與所述p電極分別連通至所述n型AlGaN層與所述p型GaN歐姆接觸層，
所述p電極包括依次層疊的氧化鉬層與Al金屬層。
可選地，所述Al金屬層的厚度與所述氧化鉬層的厚度之比為200:1～100:3。
可選地，所述氧化鉬層的厚度為1～3nm。
可選地，所述Al金屬層的厚度為100～200nm。
本公開(kāi)實(shí)施例提供了一種提高發(fā)光效率的紫外發(fā)光二極管芯片的制備方法，所述提高發(fā)光效率的紫外發(fā)光二極管芯片的制備方法包括：
提供一襯底；
在所述襯底上生長(zhǎng)n型AlGaN層；
在所述n型AlGaN層上生長(zhǎng)GaN/AlGaN多量子阱層；
在所述GaN/AlGaN多量子阱層上生長(zhǎng)p型AlGaN層；
在所述p型AlGaN層上生長(zhǎng)p型GaN歐姆接觸層；
在所述p型GaN歐姆接觸層上制備延伸至所述n型AlGaN層的凹槽；
在所述n型AlGaN層被所述凹槽暴露的表面形成n電極；
在所述p型GaN歐姆接觸層上形成p電極，所述p電極包括依次層疊的氧化鉬層與Al金屬層。
可選地，所述在所述p型GaN歐姆接觸層上形成p電極，包括：
在300℃～400℃的溫度條件下生長(zhǎng)所述氧化鉬層；在500℃～600℃的溫度條件下生長(zhǎng)所述Al金屬層。
可選地，所述在所述p型GaN歐姆接觸層上形成p電極，包括：
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L33-00 至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的專門(mén)適用于光發(fā)射的半導(dǎo)體器件；專門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或設(shè)備；這些半導(dǎo)體器件的零部件
H01L33-02 .以半導(dǎo)體為特征的
H01L33-36 .以電極為特征的
H01L33-44 .以涂層為特征的，例如鈍化層或防反射涂層
H01L33-48 .以半導(dǎo)體封裝體為特征的
H01L33-50 ..波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件
