[發明專利]提高發光效率的紫外發光二極管芯片及其制備方法

在審

• 申請號: 202110591165.0
• 申請日: 2021-05-28
• 公開（公告）號: CN113540305A
• 公開（公告）日: 2021-10-22
• 發明（設計）人: 葛永暉;劉旺平;梅勁;劉春楊;王慧;陳張笑雄
• 申請（專利權）人: 華燦光電（浙江）有限公司
• 主分類號: H01L33/40
• 分類號: H01L33/40;H01L33/00
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 呂耀萍

1.一種提高發光效率的紫外發光二極管芯片，其特征在于，所述提高發光效率的紫外發光二極管芯片包括外延片、n電極與p電極，所述外延片包括襯底及依次層疊在所述襯底上的n型AlGaN層、GaN/AlGaN多量子阱層、p型AlGaN層及p型GaN歐姆接觸層，所述n電極與所述p電極分別連通至所述n型AlGaN層與所述p型GaN歐姆接觸層，

所述p電極包括依次層疊的氧化鉬層與Al金屬層。

2.根據權利要求1所述的提高發光效率的紫外發光二極管芯片，其特征在于，所述Al金屬層的厚度與所述氧化鉬層的厚度之比為200:1～100:3。

3.根據權利要求1所述的提高發光效率的紫外發光二極管芯片，其特征在于，所述氧化鉬層的厚度為1～3nm。

4.根據權利要求1～3任一項所述的提高發光效率的紫外發光二極管芯片，其特征在于，所述Al金屬層的厚度為100～200nm。

5.一種提高發光效率的紫外發光二極管芯片的制備方法，其特征在于，所述提高發光效率的紫外發光二極管芯片的制備方法包括：

提供一襯底；

在所述襯底上生長n型AlGaN層；

在所述n型AlGaN層上生長GaN/AlGaN多量子阱層；

在所述GaN/AlGaN多量子阱層上生長p型AlGaN層；

在所述p型AlGaN層上生長p型GaN歐姆接觸層；

在所述p型GaN歐姆接觸層上制備延伸至所述n型AlGaN層的凹槽；

在所述n型AlGaN層被所述凹槽暴露的表面形成n電極；

在所述p型GaN歐姆接觸層上形成p電極，所述p電極包括依次層疊的氧化鉬層與Al金屬層。

6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述在所述p型GaN歐姆接觸層上形成p電極，包括：

在300℃～400℃的溫度條件下生長所述氧化鉬層；在500℃～600℃的溫度條件下生長所述Al金屬層。

7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述在所述p型GaN歐姆接觸層上形成p電極，包括：

在1torr～10torr的壓力條件下生長所述氧化鉬層；在10torr～100torr的壓力條件下生長所述Al金屬層。

8.根據權利要求5～7任一項所述的制備方法，其特征在于，所述制備方法還包括：

在300～400℃的條件下對所述p電極進行退火。

9.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，對所述p電極進行退火的時長為1～5min。

10.根據權利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述p電極在氮氣氛圍下退火。