[發(fā)明專利]提高發(fā)光效率的紫外發(fā)光二極管芯片及其制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110591165.0 | 申請(qǐng)日: | 2021-05-28 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN113540305A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-10-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 葛永暉;劉旺平;梅勁;劉春楊;王慧;陳張笑雄 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 華燦光電(浙江)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L33/40 | 分類號(hào): | H01L33/40;H01L33/00 |
| 代理公司: | 北京三高永信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11138 | 代理人: | 呂耀萍 |
| 地址: | 322000 浙江省*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 提高 發(fā)光 效率 紫外 發(fā)光二極管 芯片 及其 制備 方法 | ||
1.一種提高發(fā)光效率的紫外發(fā)光二極管芯片,其特征在于,所述提高發(fā)光效率的紫外發(fā)光二極管芯片包括外延片、n電極與p電極,所述外延片包括襯底及依次層疊在所述襯底上的n型AlGaN層、GaN/AlGaN多量子阱層、p型AlGaN層及p型GaN歐姆接觸層,所述n電極與所述p電極分別連通至所述n型AlGaN層與所述p型GaN歐姆接觸層,
所述p電極包括依次層疊的氧化鉬層與Al金屬層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高發(fā)光效率的紫外發(fā)光二極管芯片,其特征在于,所述Al金屬層的厚度與所述氧化鉬層的厚度之比為200:1~100:3。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高發(fā)光效率的紫外發(fā)光二極管芯片,其特征在于,所述氧化鉬層的厚度為1~3nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1~3任一項(xiàng)所述的提高發(fā)光效率的紫外發(fā)光二極管芯片,其特征在于,所述Al金屬層的厚度為100~200nm。
5.一種提高發(fā)光效率的紫外發(fā)光二極管芯片的制備方法,其特征在于,所述提高發(fā)光效率的紫外發(fā)光二極管芯片的制備方法包括:
提供一襯底;
在所述襯底上生長(zhǎng)n型AlGaN層;
在所述n型AlGaN層上生長(zhǎng)GaN/AlGaN多量子阱層;
在所述GaN/AlGaN多量子阱層上生長(zhǎng)p型AlGaN層;
在所述p型AlGaN層上生長(zhǎng)p型GaN歐姆接觸層;
在所述p型GaN歐姆接觸層上制備延伸至所述n型AlGaN層的凹槽;
在所述n型AlGaN層被所述凹槽暴露的表面形成n電極;
在所述p型GaN歐姆接觸層上形成p電極,所述p電極包括依次層疊的氧化鉬層與Al金屬層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法,其特征在于,所述在所述p型GaN歐姆接觸層上形成p電極,包括:
在300℃~400℃的溫度條件下生長(zhǎng)所述氧化鉬層;在500℃~600℃的溫度條件下生長(zhǎng)所述Al金屬層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法,其特征在于,所述在所述p型GaN歐姆接觸層上形成p電極,包括:
在1torr~10torr的壓力條件下生長(zhǎng)所述氧化鉬層;在10torr~100torr的壓力條件下生長(zhǎng)所述Al金屬層。
8.根據(jù)權(quán)利要求5~7任一項(xiàng)所述的制備方法,其特征在于,所述制備方法還包括:
在300~400℃的條件下對(duì)所述p電極進(jìn)行退火。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法,其特征在于,對(duì)所述p電極進(jìn)行退火的時(shí)長(zhǎng)為1~5min。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備方法,其特征在于,所述p電極在氮?dú)夥諊峦嘶稹?/p>
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L33-00 至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的專門(mén)適用于光發(fā)射的半導(dǎo)體器件;專門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或設(shè)備;這些半導(dǎo)體器件的零部件
H01L33-02 .以半導(dǎo)體為特征的
H01L33-36 .以電極為特征的
H01L33-44 .以涂層為特征的,例如鈍化層或防反射涂層
H01L33-48 .以半導(dǎo)體封裝體為特征的
H01L33-50 ..波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件





