[發明專利]一種MoS2

有效

• 申請號: 202110589903.8
• 申請日: 2021-05-28
• 公開（公告）號: CN113292249B
• 公開（公告）日: 2022-05-03
• 發明（設計）人: 黃勝利;萬景;劉家赫;趙經天;王紫云;郭生士;李書平;康俊勇
• 申請（專利權）人: 廈門大學;廈門大學九江研究院;廈門大學深圳研究院
• 主分類號: C03C17/34
• 分類號: C03C17/34;C03C17/22;C03C17/245;C01G39/06;C01G9/02;C01G5/00;B82Y40/00;B82Y30/00
• 代理公司: 廈門南強之路專利事務所(普通合伙) 35200
• 代理人: 張素斌

一種MoS₂/ZnO/Ag₂S同軸納米管陣列的制備方法，先制備MoS₂納米管陣列，然后在MoS₂納米管表面包覆ZnO薄膜，最后在MoS₂/ZnO納米管陣列表面吸附Ag₂S量子點。具體，先在基片表面用ALD法沉積ZnO籽晶層，再用水熱法生長ZnO納米棒陣列，隨后將基片固定放入反應釜中在納米棒表面包覆MoS₂薄膜，用硫酸刻蝕得到MoS₂納米管陣列，再用ALD法在MoS₂納米管表面包覆ZnO薄膜，最后用連續離子層吸附反應法制備Ag₂S量子點，得MoS₂/ZnO/Ag₂S同軸納米管陣列。所產生的納米管存在兩層異質界面，可通過調控各層厚度去調節整體的能帶結構和光電特性，適用于光伏電池和光催化劑等領域。

技術領域

本發明涉及導體異質結納米管陣列結構材料領域，尤其涉及一種MoS₂/ZnO/Ag₂S同軸納米管陣列的制備方法。

背景技術

ZnO具有透明性高、電阻率低以及激子束縛能(60eV)比較大等特性，能夠廣泛應用到短波光電探測器、發光二極管、太陽能電池、光催化劑等眾多領域。但是，ZnO材料禁帶寬度較大，為3.37eV，在可見光范圍內沒有光吸收，所以在很多領域的應用受到了限制。

雖然已有文獻報道ZnO/MoS₂同軸納米線和MoS₂納米管陣列，但目前的ZnO/MoS₂同軸納米線是以ZnO納米線為基底包覆MoS₂，厚實的內部結構不僅浪費材料而且不利于光譜的反射和吸收，而MoS₂納米管單一的材料成分局限了它的應用范圍。因此，我們在MoS₂納米管陣列的基礎上作進一步的研究，首次合成MoS₂/ZnO/Ag₂S同軸納米管陣列。

發明內容

本發明的目的在于解決現有技術中的上述問題，提供一種MoS₂/ZnO/Ag₂S同軸納米管陣列的制備方法，該方法為管狀半導體異質結及其陣列材料的制備提供技術參考，所產生的異質結納米管存在兩層異質界面，可通過調控各層的厚度去調節整體的能帶結構和光電特性，特別適用于作提高表面積和曲率效應的光伏電池和光催化劑等領域。

為達到上述目的，本發明采用如下技術方案：

一種MoS₂/ZnO/Ag₂S同軸納米管陣列的制備方法，包括以下步驟：

1)制備MoS₂納米管陣列；

2)在MoS₂納米管表面包覆ZnO薄膜；

3)MoS₂/ZnO納米管陣列表面吸附Ag₂S量子點。

步驟1)中，所述制備MoS₂納米管陣列是將ZnO/MoS₂同軸納米線正面朝上放置在0.2～0.5mol/L的H₂SO₄溶液中浸泡5～10min，刻蝕納米線中的ZnO，再用去離子水清洗至少三次，得到MoS₂納米管陣列。