[發明專利]一種MoS2

有效

• 申請號: 202110589903.8
• 申請日: 2021-05-28
• 公開（公告）號: CN113292249B
• 公開（公告）日: 2022-05-03
• 發明（設計）人: 黃勝利;萬景;劉家赫;趙經天;王紫云;郭生士;李書平;康俊勇
• 申請（專利權）人: 廈門大學;廈門大學九江研究院;廈門大學深圳研究院
• 主分類號: C03C17/34
• 分類號: C03C17/34;C03C17/22;C03C17/245;C01G39/06;C01G9/02;C01G5/00;B82Y40/00;B82Y30/00
• 代理公司: 廈門南強之路專利事務所(普通合伙) 35200
• 代理人: 張素斌

1.一種MoS₂/ZnO/Ag₂S同軸納米管陣列的制備方法，其特征在于包括以下步驟：

1)制備MoS₂納米管陣列；

2)MoS₂納米管表面包覆ZnO薄膜；

3)MoS₂/ZnO納米管陣列表面吸附Ag₂S量子點；

步驟1)中，所述制備MoS₂納米管陣列是將ZnO/MoS₂同軸納米線正面朝上放置在0.2～0.5mol/L的H₂SO₄溶液中浸泡5～10min，刻蝕納米線中的ZnO，再用去離子水清洗，得到MoS₂納米管陣列；

所述ZnO/MoS₂同軸納米線的制備如下：在FTO基片的正面沉積ZnO籽晶層，將樣品正面朝下，然后在乙酸鋅Zn(CH₃COO)₂·2H₂O和六次甲基四胺C₆H₁₂N₄的混合水溶液中水熱生長ZnO納米棒，取出清洗后退火，再將長有ZnO納米棒的樣品正面朝下放置，放入裝有三氧化鉬MoO₃、硫粉、辛胺C₈H₁₉N和無水乙醇的混合溶液的反應釜內襯中，水熱生長ZnO/MoS₂同軸納米線，取出清洗，最后在退火爐中退火；

步驟2)中，所述MoS₂納米管表面包覆ZnO薄膜是采用ALD方法，在步驟1)所得MoS₂納米管表面沉積一層ZnO薄膜，并在退火爐中進行退火處理，所述退火處理的條件為氬氣環境下250～600℃退火30～120min；

步驟3)中，所述MoS₂/ZnO納米管陣列表面吸附Ag₂S量子點采用連續離子層吸附反應法，將步驟2)所得MoS₂/ZnO同軸納米管正面朝上，按照AgNO₃乙醇溶液、無水乙醇溶液、Na₂S·9H₂O甲醇溶液、無水乙醇溶液的順序依次浸泡，循環次數根據需求進行調整，得MoS₂/ZnO/Ag₂S納米管陣列。

2.如權利要求1所述的一種MoS₂/ZnO/Ag₂S同軸納米管陣列的制備方法，其特征在于：所述ZnO籽晶層為20～50nm，所述Zn(CH₃COO)₂·2H₂O和C₆H₁₂N₄的混合水溶液濃度均為20mM。

3.如權利要求1所述的一種MoS₂/ZnO/Ag₂S同軸納米管陣列的制備方法，其特征在于：所述水熱生長ZnO納米棒的溫度為75～95℃，時間為20～80min；所述ZnO納米棒退火溫度為250～600℃、時間為30～120min。

4.如權利要求1所述的一種MoS₂/ZnO/Ag₂S同軸納米管陣列的制備方法，其特征在于：所述MoO₃和硫粉質量比為2:1，所述C₈H₁₉N和無水乙醇的體積比為5:6。

5.如權利要求1所述的一種MoS₂/ZnO/Ag₂S同軸納米管陣列的制備方法，其特征在于：所述水熱生長ZnO/MoS₂同軸納米線的溫度為170～200℃、時間為60～180min；所述ZnO/MoS₂同軸納米線退火是將樣品放入退火爐氬氣環境下300～500℃退火30～60min。

6.如權利要求1所述的一種MoS₂/ZnO/Ag₂S同軸納米管陣列的制備方法，其特征在于：所述AgNO₃乙醇溶液、Na₂S·9H₂O甲醇溶液濃度均為0.05～0.30mol/L。