[發明專利]用于等離子體處理設備的靜電吸盤組件

在審

• 申請號: 202110589056.5
• 申請日: 2021-05-28
• 公開（公告）號: CN114975053A
• 公開（公告）日: 2022-08-30
• 發明（設計）人: 龍茂林;曾為民;C·關
• 申請（專利權）人: 北京屹唐半導體科技股份有限公司;瑪特森技術公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/683
• 代理公司: 北京易光知識產權代理有限公司 11596
• 代理人: 崔曉光

公開了一種靜電吸盤，其包括具有第一夾持電極和第二夾持電極的夾持層。提供了限定第一夾持區域和第二夾持區域的第一夾持電極。第一夾持區域和第二夾持區域由第一間隙分開，并且通過跨第一間隙延伸的至少一個電連接件電連接。第二夾持電極設置為從第一夾持電極徑向向外。第二夾持電極限定由第二間隙分開的第三夾持區域和第四夾持區域。第三夾持區域和第四夾持區域通過跨第二間隙延伸的至少一個電連接件電連接。還提供了結合有靜電吸盤的等離子體處理設備和系統。

技術領域

本公開總體上涉及一種用于對工件進行等離子體處理的等離子體處理設備。更具體地，本公開針對一種用于等離子體處理設備的靜電吸盤組件。

背景技術

各種類型的處理室(process chamber)可用于處理不同類型的工件。工件可以包括例如玻璃板、膜、帶、太陽能板、鏡子、液晶顯示器、半導體晶片等。許多不同類型的處理室可用于例如在集成電路芯片的制造過程中處理半導體晶片。處理室可用于使晶片退火，執行化學氣相沉積、物理氣相沉積、等離子體和化學蝕刻處理、熱處理、表面工程和其他處理。這些類型的處理室通常包含用于將工件保持在處理室內的工件支撐件。

在許多處理中，期望在處理期間控制工件的某些參數，以便控制處理期間的均勻性。盡管已經進行了各種嘗試來設計可以控制溫度不均勻性的工件支撐件，但是仍然存在各種缺陷和缺點。因此，需要改進的工件支撐件以及等離子體處理設備和系統。

附圖說明

在說明書中參考附圖闡述了針對本領域普通技術人員的實施例的詳細討論，其中：

圖1描繪了根據本公開的示例實施例的示例處理設備。

圖2描繪了根據本公開的示例實施例的示例工件支撐件。

圖3描繪了根據本公開的示例實施例的示例工件支撐件。

圖4描繪了根據本公開的示例實施例的具有兩個夾持電極的夾持層的俯視圖。

圖5描繪了根據本公開的示例實施例的具有一個或多個加熱電極的加熱層的俯視圖。

圖6描繪了根據本公開的示例實施例的夾持層和跡線連接的底視圖。

圖7描繪了根據本公開的示例實施例的夾持層和跡線連接的底視圖。

圖8描繪了根據本公開的示例實施例的夾持層和跡線連接的底視圖。

圖9描繪了根據本公開的示例實施例的熱控制系統的俯視圖。

圖10描繪了根據本公開的示例實施例的工件支撐件的一部分。

具體實施方式

現在將詳細描述實施例，其一個或多個實例在附圖中示出。每個實例通過說明實施例而不是限制本公開的方式來提供。實際上，本領域技術人員明白，在不脫離本公開的范圍或精神的情況下，可以對實施例進行各種修改和變化。例如，作為一個實施例的一部分示出或描述的特征可以與另一實施例一起使用以產生又一實施例。因此，意圖是本公開的方面覆蓋這樣的修改和變化。

為了說明和討論的目的，參照“工件”、“晶片”或半導體晶片來討論本公開的方面。使用本文提供的公開內容的本領域普通技術人員將理解，本公開的示例方面可以與任何半導體工件或其他合適的工件結合使用。另外，術語“約”與數值結合使用是指在所述數值的百分之十(10％)之內。“底座”是指可用于支撐工件的任何結構。“遠程等離子體”是指遠離工件(例如在通過分離柵與工件分離的等離子體室中)而產生的等離子體。“直接等離子體”是指直接暴露于工件的等離子體，例如在具有可操作以支撐工件的底座的處理室中產生的等離子體。

如本文所用，術語“約”與所述及的數值結合使用可以包括在所述及的數值的10％以內的值的范圍。