[發明專利]用于等離子體處理設備的靜電吸盤組件在審
| 申請號: | 202110589056.5 | 申請日: | 2021-05-28 |
| 公開(公告)號: | CN114975053A | 公開(公告)日: | 2022-08-30 |
| 發明(設計)人: | 龍茂林;曾為民;C·關 | 申請(專利權)人: | 北京屹唐半導體科技股份有限公司;瑪特森技術公司 |
| 主分類號: | H01J37/32 | 分類號: | H01J37/32;H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京易光知識產權代理有限公司 11596 | 代理人: | 崔曉光 |
| 地址: | 100176 北京市大*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 等離子體 處理 設備 靜電 吸盤 組件 | ||
1.一種靜電吸盤,包括:
工件支撐表面,所述工件支撐表面被配置為在處理期間支撐工件;和
夾持層,所述夾持層包括一個或多個夾持電極,所述夾持層包括:
限定第一夾持區域和第二夾持區域的第一夾持電極,所述第一夾持區域和所述第二夾持區域由第一間隙分開,所述第一夾持區域和所述第二夾持區域通過跨所述第一間隙延伸的至少一個電連接件電連接;以及
設置為從所述第一夾持電極徑向向外的第二夾持電極,所述第二夾持電極限定第三夾持區域和第四夾持區域,所述第三夾持區域和所述第四夾持區域由第二間隙分開,所述第三夾持區域和所述第四夾持區域通過跨所述第二間隙延伸的至少一個電連接件電連接。
2.根據權利要求1所述的靜電吸盤,其中所述第一間隙減少所述第一夾持區域與所述第二夾持區域之間的熱傳導,并且其中所述第二間隙減少所述第三夾持區域與所述第四夾持區域之間的熱傳導。
3.根據權利要求1所述的靜電吸盤,其中所述第一間隙和/或所述第二間隙包含陶瓷材料。
4.根據權利要求1所述的靜電吸盤,其中所述第一電極和所述第二電極耦合至電壓源,所述電壓源被配置為提供DC偏移調節以平衡夾持力或調節工件處理均勻性。
5.根據權利要求1所述的靜電吸盤,其中所述第一夾持電極和所述第二夾持電極連接至DC電源、AC電源和/或RF電源。
6.根據權利要求5所述的靜電吸盤,其中所述第一夾持電極和所述第二夾持電極連接至相同的RF電源。
7.根據權利要求1所述的靜電吸盤,其中所述第一夾持電極耦合至負DC電壓,并且其中所述第二夾持電極耦合至正DC電壓。
8.根據權利要求1所述的靜電吸盤,其中所述第一夾持區域設置在徑向最內側,其中所述第二夾持區域設置為從所述第一夾持區域徑向向外并且從所述第三夾持區域徑向向內,并且其中所述第三夾持區域設置為從所述第二夾持區域徑向向外并且從所述第四夾持區域徑向向內。
9.根據權利要求1所述的靜電吸盤,其中可以將不同量的DC電壓、不同量的RF功率輸出和/或不同的電源施加到所述第一夾持區域、所述第二夾持區域、所述第三夾持區域和/或所述第四夾持區域以調節工件均勻性。
10.根據權利要求1所述的靜電吸盤,還包括限定加熱層的多個加熱電極,其中所述加熱電極以徑向方式設置,以形成第一加熱區域、第二加熱區域、第三加熱區域和第四加熱區域。
11.根據權利要求10所述的工件支撐件,其中所述加熱層在z方向上設置在所述夾持層的下方,進一步地其中所述第一加熱區域在z方向上設置在所述第一夾持區域的下方,所述第二加熱區域在z方向上設置在所述第二夾持區域的下方,所述第三加熱區域在z方向上設置在所述第三夾持區域的下方,并且所述第四加熱區域在z方向上設置在所述第四夾持區域的下方。
12.一種工件處理設備,包括:
處理室;和
設置在所述處理室中的工件支撐件,所述工件支撐件包括:
靜電吸盤,所述靜電吸盤包括被配置為在處理期間支撐工件的工件支撐表面和包括一個或多個夾持電極的夾持層,所述夾持層包括:
限定第一夾持區域和第二夾持區域的第一夾持電極,所述第一夾持區域和所述第二夾持區域由第一間隙分開,所述第一夾持區域和所述第二夾持區域通過跨所述第一間隙延伸的至少一個電連接件電連接;以及
設置為從所述第一夾持電極徑向向外的第二夾持電極,所述第二夾持電極限定第三夾持區域和第四夾持區域,所述第三夾持區域和所述第四夾持區域由第二間隙分開,所述第三夾持區域和所述第四夾持區域通過跨所述第二間隙延伸的至少一個電連接件電連接;
其中所述第一間隙減少所述第一夾持區域與所述第二夾持區域之間的熱傳導,并且其中所述第二間隙減少所述第三夾持區域與所述第四夾持區域之間的熱傳導。
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