[發明專利]制作成像板的方法及成像板在審
申請號: | 202110589021.1 | 申請日: | 2021-05-27 |
公開(公告)號: | CN113327844A | 公開(公告)日: | 2021-08-31 |
發明(設計)人: | 張云雪;宋丹;何玉國;黃安琳 | 申請(專利權)人: | 寧波市知行光學科技有限公司 |
主分類號: | H01L21/033 | 分類號: | H01L21/033;G03F7/00 |
代理公司: | 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 鐘揚飛 |
地址: | 315400 浙江省寧波市*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索關鍵詞: | 制作 成像 方法 | ||
1.一種制作成像板的方法,其特征在于,包括:
在基板上進行旋涂光刻膠,形成光刻膠層;
對所述光刻膠層進行曝光顯影,形成光刻板的反向圖案;
在所述反向圖案上鍍膜,形成遮擋膜層;
將鍍有所述遮擋膜層的所述基板放入預設溶液中,對所述光刻膠進行溶解,得到與所述光刻板具備相同圖案的成像板。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述在所述反向圖案上鍍膜,形成遮擋膜層之前,還包括:
在所述反向圖案的表面上進行鍍膜,形成過渡膜層。
3.根據權利要求2所述的方法,其特征在于,所述在將鍍有所述遮擋膜層膜后的所述基板放入預設溶液中,對所述光刻膠進行溶解,得到紅外成像板之前,還包括:
在所述遮擋膜層上鍍膜,形成保護膜層。
4.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述預設溶液為去膠溶液或丙酮溶液。
5.根據權利要求2所述的方法,其特征在于,所述過渡膜層的材料為Cr,所述過渡膜層的厚度范圍為10nm-20nm。
6.根據權利要求5所述的方法,其特征在于,所述遮擋膜層的材料為Ag或Al,所述遮擋膜層的厚度大于500nm。
7.根據權利要求3所述的方法,其特征在于,所述保護膜層的材料為TiO2、SiO2、Al2O3中的一種或多種,所述保護膜層的厚度范圍為10nm-50nm。
8.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述鍍膜的方法為蒸發鍍膜或者濺射鍍膜。
9.根據權利要求3所述的方法,其特征在于,所述光刻膠層的厚度大于所述過渡膜層的厚度、所述遮擋膜層的厚度和所述保護膜層的厚度之和。
10.一種成像板,其特征在于,包括:
基板;
過渡膜層,形成于所述基板上;
遮擋膜層,形成于所述過渡膜層上;以及
保護膜層,形成于所述遮擋膜層上;
其中,所述過渡膜層和所述遮擋膜層上形成有預定圖案。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造