[發明專利]芯片檢測方法、芯片檢測結構以及芯片承載結構在審
| 申請號: | 202110588223.4 | 申請日: | 2021-05-27 |
| 公開(公告)號: | CN113777465A | 公開(公告)日: | 2021-12-10 |
| 發明(設計)人: | 廖建碩;張正杰 | 申請(專利權)人: | 臺灣愛司帝科技股份有限公司 |
| 主分類號: | G01R31/28 | 分類號: | G01R31/28;G01R1/04 |
| 代理公司: | 北京匯知杰知識產權代理有限公司 11587 | 代理人: | 吳煥芳;楊勇 |
| 地址: | 中國*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 芯片 檢測 方法 結構 以及 承載 | ||
本發明公開一種芯片檢測方法、芯片檢測結構以及芯片承載結構。芯片檢測方法包括:提供一芯片檢測結構、一芯片承載結構以及多個熔接材料組,芯片檢測結構包括多個微加熱器組,芯片承載結構用于承載多個芯片,多個熔接材料組設置于芯片承載結構與芯片檢測結構之間;將芯片承載結構與芯片檢測結構彼此靠近,以使得每一熔接材料組同時接觸芯片承載結構與芯片檢測結構,每一熔接材料組包括低溫熔接材料組以及高溫熔接材料組;多個低溫熔接材料組分別通過多個微加熱器組的加熱后再固化;以及,對多個芯片進行檢測,以使得多個芯片被區分成多個良好的芯片以及多個不良的芯片。借此,芯片能夠預先通過芯片檢測結構的檢測而篩選出良好的芯片。
技術領域
本發明涉及一種檢測方法、檢測結構以及承載結構,特別是涉及一種芯片檢測方法、芯片檢測結構以及芯片承載結構。
背景技術
現有技術中,多個發光二極管芯片可以在一晶圓上制作出來,但是多個發光二極管芯片必須先從晶圓上切割下來后,才能進行光學檢測,不僅造成發光二極管芯片在光學檢測上的困難度,也降低發光二極管芯片的檢測效率。
發明內容
本發明所要解決的技術問題在于,針對現有技術的不足提供一種芯片檢測方法、芯片檢測結構以及芯片承載結構。
為了解決上述的技術問題,本發明所采用的其中一技術方案是提供一種芯片檢測方法,其包括:提供一芯片檢測結構、一芯片承載結構以及多個熔接材料組,芯片檢測結構包括多個微加熱器組,芯片承載結構用于承載多個芯片,多個熔接材料組設置于芯片承載結構與芯片檢測結構之間;將芯片承載結構與芯片檢測結構彼此靠近,以使得每一熔接材料組同時接觸芯片承載結構與芯片檢測結構,每一熔接材料組包括一低溫熔接材料組以及熔點高于低溫熔接材料組的一高溫熔接材料組;多個低溫熔接材料組分別通過多個微加熱器組的加熱后再固化,以使得多個芯片分別通過已固化后的多個低溫熔接材料組而電性連接于芯片檢測結構;以及,對多個芯片進行檢測,以使得多個芯片被區分成多個良好的芯片以及多個不良的芯片。
為了解決上述的技術問題,本發明所采用的另外一技術方案是提供一種芯片檢測結構,其包括:一芯片檢測基板以及多個微加熱器組。芯片檢測基板包括多個基板焊墊組。多個微加熱器組設置在芯片檢測基板上或者芯片檢測基板的內部。其中,芯片檢測基板的多個基板焊墊組分別用于承載多個低溫熔接材料組。
為了解決上述的技術問題,本發明所采用的另外再一技術方案是提供一種芯片承載結構,其包括:一芯片承載基板,芯片承載基板用于承載多個芯片。其中,多個芯片分別用于承載多個熔接材料組,每一熔接材料組包括設置在相對應的芯片上的一高溫熔接材料組以及設置在高溫熔接材料組上的一低溫熔接材料組。
本發明的其中一有益效果在于,本發明所提供的一種芯片檢測方法、芯片檢測結構以及芯片承載結構,其能通過“將芯片承載結構與芯片檢測結構彼此靠近,以使得每一熔接材料組同時接觸芯片承載結構與芯片檢測結構,每一熔接材料組包括一低溫熔接材料組以及熔點高于低溫熔接材料組的一高溫熔接材料組”、“多個低溫熔接材料組分別通過多個微加熱器組的加熱后再固化,以使得多個芯片分別通過已固化后的多個低溫熔接材料組而電性連接于芯片檢測結構”以及“對多個芯片進行檢測,以使得多個芯片被區分成多個良好的芯片以及多個不良的芯片”的技術方案,使得當芯片在被固晶在一電路基板上之前,芯片能夠預先通過芯片檢測結構的檢測而篩選出良好的芯片,以確保只有良好的芯片可以被固晶在電路基板上。
本發明的另外一有益效果在于,本發明所提供的一種芯片檢測結構,其能通過“芯片檢測基板包括多個基板焊墊組”、“多個微加熱器組設置在芯片檢測基板上或者芯片檢測基板的內部”以及“芯片檢測基板的多個基板焊墊組分別用于承載多個低溫熔接材料組”的技術方案,以使得每一芯片能夠通過相對應的低溫熔接材料組以電性連接于芯片檢測基板。借此,當芯片在被固晶在一電路基板上之前,芯片能夠預先通過芯片檢測結構的檢測而篩選出良好的芯片,以確保只有良好的芯片可以被固晶在電路基板上。
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