[發明專利]芯片檢測方法、芯片檢測結構以及芯片承載結構

在審

• 申請號: 202110588223.4
• 申請日: 2021-05-27
• 公開（公告）號: CN113777465A
• 公開（公告）日: 2021-12-10
• 發明（設計）人: 廖建碩;張正杰
• 申請（專利權）人: 臺灣愛司帝科技股份有限公司
• 主分類號: G01R31/28
• 分類號: G01R31/28;G01R1/04
• 代理公司: 北京匯知杰知識產權代理有限公司 11587
• 代理人: 吳煥芳;楊勇

1.一種芯片檢測方法，其特征在于，所述芯片檢測方法包括：

提供一芯片檢測結構、一芯片承載結構以及多個熔接材料組，所述芯片檢測結構包括多個微加熱器組，所述芯片承載結構用于承載多個芯片，多個所述熔接材料組設置于所述芯片承載結構與所述芯片檢測結構之間；

將所述芯片承載結構與所述芯片檢測結構彼此靠近，以使得每一所述熔接材料組同時接觸所述芯片承載結構與所述芯片檢測結構，每一所述熔接材料組包括一低溫熔接材料組以及熔點高于所述低溫熔接材料組的一高溫熔接材料組；

多個所述低溫熔接材料組分別通過多個所述微加熱器組的加熱后再固化，以使得多個所述芯片分別通過已固化后的多個所述低溫熔接材料組而電性連接于所述芯片檢測結構；以及

對多個所述芯片進行檢測，以使得多個所述芯片被區分成多個良好的芯片以及多個不良的芯片。

2.根據權利要求1所述的芯片檢測方法，其特征在于，在提供所述芯片檢測結構、所述芯片承載結構與多個所述熔接材料組的步驟中，所述芯片檢測結構與所述芯片承載結構彼此分離，且多個所述熔接材料組的多個所述低溫熔接材料組分別設置在所述芯片承載結構的多個所述芯片上或者所述芯片檢測結構的多個基板焊墊組上；其中，每一所述低溫熔接材料組包括一第一低溫熔接材料以及一第二低溫熔接材料，每一所述高溫熔接材料組包括一第一高溫熔接材料以及一第二高溫熔接材料，且每一所述高溫熔接材料組的所述第一高溫熔接材料與所述第二高溫熔接材料分別設置在相對應的所述芯片的兩個芯片焊墊上；其中，每一所述第一低溫熔接材料與每一所述第二低溫熔接材料分別設置在相對應的所述第一高溫熔接材料與相對應的所述第二高溫熔接材料上。

3.根據權利要求1所述的芯片檢測方法，其特征在于，在提供所述芯片檢測結構、所述芯片承載結構與多個所述熔接材料組的步驟中，所述芯片檢測結構與所述芯片承載結構彼此分離，且多個所述熔接材料組的多個所述低溫熔接材料組分別設置在所述芯片承載結構的多個所述芯片上或者所述芯片檢測結構的多個基板焊墊組上；其中，每一所述低溫熔接材料組包括一第一低溫熔接材料以及一第二低溫熔接材料，每一所述高溫熔接材料組包括一第一高溫熔接材料以及一第二高溫熔接材料，且每一所述高溫熔接材料組的所述第一高溫熔接材料與所述第二高溫熔接材料分別設置在相對應的所述芯片的兩個芯片焊墊上；其中，每一所述低溫熔接材料組的所述第一低溫熔接材料與所述第二低溫熔接材料分別設置在相對應的所述基板焊墊組的兩個基板焊墊上。

4.根據權利要求1所述的芯片檢測方法，其特征在于，在提供所述芯片檢測結構、所述芯片承載結構與多個所述熔接材料組的步驟中，所述芯片檢測結構與所述芯片承載結構彼此分離，且多個所述熔接材料組的多個所述低溫熔接材料組分別設置在所述芯片承載結構的多個所述芯片上或者所述芯片檢測結構的多個基板焊墊組上；其中，在將所述芯片承載結構與所述芯片檢測結構彼此靠近的步驟中，進一步包括：分別預先設置在所述芯片承載結構的多個所述芯片上的多個所述熔接材料組分別接觸所述芯片檢測結構的多個所述基板焊墊組。

5.根據權利要求1所述的芯片檢測方法，其特征在于，在提供所述芯片檢測結構、所述芯片承載結構與多個所述熔接材料組的步驟中，所述芯片檢測結構與所述芯片承載結構彼此分離，且多個所述熔接材料組的多個所述低溫熔接材料組分別設置在所述芯片承載結構的多個所述芯片上或者所述芯片檢測結構的多個基板焊墊組上；其中，在將所述芯片承載結構與所述芯片檢測結構彼此靠近的步驟中，進一步包括：分別預先設置在所述芯片檢測結構的多個所述基板焊墊組上的多個所述熔接材料組分別接觸所述芯片承載結構的多個所述芯片。