[發明專利]一種將ABF增層膜片和銅箔壓合到內層基板的方法在審
| 申請號： | 202110588138.8 | 申請日： | 2021-05-27 |
| 公開（公告）號： | CN113382545A | 公開（公告）日： | 2021-09-10 |
| 發明（設計）人： | 于中堯;楊芳;方志丹 | 申請（專利權）人： | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號： | H05K3/00 | 分類號： | H05K3/00 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 周天宇 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 abf 膜片 銅箔 壓合到 內層 方法 | ||
1.一種將ABF增層膜片和銅箔壓合到內層基板的方法，其特征在于，包括：
對第一ABF增層膜片與內層基板進行第一真空壓合處理，得到第一增層線路板；
對銅箔和所述第一增層線路板進行第二真空壓合處理，得到第二增層線路板；
對所述第二增層線路板進行第一整平處理得到第三增層線路板。
2.根據權利要求1所述的一種將ABF增層膜片和銅箔壓合到內層基板的方法，其特征在于，包括：
對所述第三增層線路板進行第一預固化處理，其中，所述第一預固化處理包括第一階段于第四溫度下烘烤第四時間，第二階段于第五溫度下烘烤第五時間。
3.根據權利要求1所述的一種將ABF增層膜片和銅箔壓合到內層基板的方法，其特征在于，所述第一整平處理的第三溫度高于所述第一真空壓合處理的第一溫度及所述第二真空壓合處理的第二溫度。
4.一種將ABF增層膜片和銅箔壓合到內層基板的方法，其特征在于，包括：
對第一ABF增層膜片與內層基板進行第一真空壓合處理，得到第一增層線路板；
對第二ABF增層膜片與銅箔進行第一真空壓合處理，得到第一銅箔增層板；
對所述第一增層線路板進行第二整平處理得到第四增層線路板；
對所述第四增層線路板與所述第一銅箔增層板進行第一真空壓合處理，將所述第一銅箔增層板的ABF樹脂一側與所述第四增層線路板真空壓合得到第五增層線路板。
5.根據權利要求4所述的一種將ABF增層膜片和銅箔壓合到內層基板的方法，其特征在于，包括：
對所述第五增層線路板進行第二預固化處理，其中，所述第二預固化處理包括第一階段于第八溫度下烘烤第八時間，第二階段于第九溫度下烘烤第九時間。
6.一種將ABF增層膜片和銅箔壓合到內層基板的方法，其特征在于，包括：
對第一ABF增層膜片與內層基板進行第一真空壓合處理，得到第一增層線路板；
將第一增層線路板、半固化片、銅箔依次疊裝進行第二真空壓合處理，得到第六增層線路板。
7.根據權利要求6所述的一種將ABF增層膜片和銅箔壓合到內層基板的方法，其特征在于，包括：
對所述第六增層線路板進行第二預固化處理，其中，所述第二預固化處理包括第一階段于第八溫度下烘烤第八時間，第二階段于第九溫度下烘烤第九時間。
8.根據權利要求6或7所述的一種將ABF增層膜片和銅箔壓合到內層基板的方法，其特征在于，包括：
對所述第六增層線路板進行固化，其中，所述固化包括于第十一溫度下烘烤第十一時間。
9.根據權利要求4-8任一項所述的一種將ABF增層膜片和銅箔壓合到內層基板的方法，其特征在于，包括：
對所述第一增層線路板進行真空烘烤，其中，所述真空烘烤包括將所述第一增層線路板置于第六溫度下恒溫抽至第六真空度，保持第六真空時間。
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